通過(guò)測(cè)量晶片上的殘留物得知，晶片上已經(jīng)分配并干燥了含有金屬鹽作為示蹤元素的溶液。假設(shè)有兩種不同的沉積機(jī)制：吸附和蒸發(fā)沉積。

第一種機(jī)制是污染物和晶圓表面之間吸引相互作用的結(jié)果，而第二種機(jī)制是由于干燥過(guò)程中的液體蒸發(fā)。

對(duì)于第二種情況，蒸發(fā)膜厚度被引入作為所研究干燥過(guò)程的品質(zhì)因數(shù)。將旋轉(zhuǎn)干燥與兩種基于 Marangoni 的干燥進(jìn)行了比較：在垂直移動(dòng)的晶圓上和在水平旋轉(zhuǎn)的晶圓上。

結(jié)果表明，對(duì)于旋轉(zhuǎn)干燥，會(huì)發(fā)生兩個(gè)連續(xù)的階段：在旋轉(zhuǎn)的前幾秒，液體對(duì)流去除是主要機(jī)制，隨后是蒸發(fā)接管的階段。旋轉(zhuǎn)干燥過(guò)程中液體蒸發(fā)量與旋轉(zhuǎn)速度的平方根成反比。這表明晶片表面上的氣流夾帶液體是蒸發(fā)的主要機(jī)制。這一發(fā)現(xiàn)與描述旋轉(zhuǎn)基板夾帶的氣體流動(dòng)的流體動(dòng)力學(xué)模型一致。在垂直移動(dòng)的晶圓上和水平旋轉(zhuǎn)的晶圓上。

審核編輯：湯梓紅