90nm 更早的工藝，通常都只有兩個RC Corner: Cworst = Cmax, Rmin;

Cbest =Cmin, Rmax 電容電阻特性分別占主導。

90nm后更新的工藝，考慮到互連線coupling的影響，出現(xiàn)了RCworst, RCbest corner. RCbest（也被稱為XTALK Corner）= Cc max（此時耦合電容最大），Cg x R min RCworst（也被稱為Delay Corner）= Cg x R max（此時RC的乘積最大）, Cc min Cc是耦合電容，Cg是對地電容

因此加起來就有4個RC Corner，

Cbest, Cworst, RCbest,

C-best：

?它具有最小的電容，所以也被稱為Cmin Corner；

?互連電阻大于Typical Corner；

?此Corner導致那些nets都非常短的路徑的延遲非常小，可用于hold分析。

C-worst：

?具有最大的電容，所以也被稱為Cmax Corner；

?互連電阻小于Typical Corner;

?此Corner導致那些nets都非常短的路徑的延遲非常大，可用于setup分析。

RC-best：

?指最小化互連RC乘積的Corner，所以也被稱為RC-min Corner； ?通常對應于較小的蝕刻，這增加了Trace（實際走線）的寬度。這導致最小的電阻，但其電容值要大于Typical Corner； ?對于具有長互連的路徑，該Corner具有最小的路徑延遲，可用于hold分析。

RC-worst：

?指最大化互連RC乘積的Corner，所以也稱為RC-max Corner；

?通常對應于較大的蝕刻，這會減少Trace（實際走線）的寬度，這導致最大的電阻，但其電容值要小于Typical Corner；

?對于具有長互連的路徑，該Corner具有最大的路徑延遲，可用于setup分析。

Typical：

?典型值，這是指互連電阻和電容的標稱值。

總結： 所以你可能已經(jīng)注意到有兩種類型的寄生：一種是基于C的，另一種是基于RC的。 在基于C的里面，C意味著最差和最佳情況的電容C；

但在基于RC的里面，RC意味著最差和最佳情況的電阻R，同時調整C為最差或最佳。

根據(jù)經(jīng)驗，發(fā)現(xiàn)基于C的提取比基于RC的提取為內部時序路徑提供了更差和最好的情況，因為電容主導了短線。

然而，對于大型設計，由于R在長導線中占優(yōu)勢，因此Block之間的時序路徑（inter-block timing path通常）最差，RC寄生效應最差。

注意：沒有Corner能保證任意晶體管驅動任意導線拓撲的最小或最大延遲 借助下面的圖片，很容易理解該內容：

在先進工藝的下，會引入Double Pattern，考慮到不同Mask之間的misalign，因此會增加額外的CCworst和CCbest Corner。引入Double Pattern之后的Corner如下：

它們之間的RC關系如下：

審核編輯：劉清