8.2.11 氧化層可靠性∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》
8.2.11 氧化層可靠性
8.2 金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)
第８章單極型功率開(kāi)關(guān)器件
《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》
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發(fā)表于 03-12 11:31
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二、外延填充方法
1. 實(shí)驗(yàn)準(zhǔn)備
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