8.2.11 氧化層可靠性∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
8.2.11 氧化層可靠性
8.2 金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)
第８章單極型功率開關(guān)器件
《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
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發(fā)表于 01-04 12:37
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溝槽結(jié)構(gòu)碳化硅的外延填充方法
器件的穩(wěn)定性和可靠性。
二、外延填充方法
1. 實(shí)驗(yàn)準(zhǔn)備
在進(jìn)行外延填充之前，首先需要通過實(shí)驗(yàn)確定外延生長和刻蝕的工藝參數(shù)。這通常包括使用與待填充的碳化硅正式片具有
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