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11.5 開(kāi)關(guān)模式電源的電力電子學(xué)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

深圳市致知行科技有限公司 ? 2022-04-24 15:30 ? 次閱讀
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11.5 開(kāi)關(guān)模式電源電力電子學(xué)

第11章碳化硅器件在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用

《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

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    的頭像 發(fā)表于 10-02 17:25 ?1583次閱讀

    【新啟航】碳化硅外延片 TTV 厚度與生長(zhǎng)工藝參數(shù)的關(guān)聯(lián)性研究

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    【新啟航】<b class='flag-5'>碳化硅</b>外延片 TTV 厚度與<b class='flag-5'>生長(zhǎng)</b>工藝參數(shù)的關(guān)聯(lián)性研究

    碳化硅器件的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

    碳化硅是第三代半導(dǎo)體典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有著高擊穿場(chǎng)強(qiáng)和高熱導(dǎo)率的優(yōu)勢(shì),在高壓、高頻、大功率的場(chǎng)景下更適用。碳化硅的晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,哪怕是在超過(guò)300℃的高溫環(huán)境下,打破了傳統(tǒng)材料下
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    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>器件</b>的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

    碳化硅器件在工業(yè)應(yīng)用中的技術(shù)優(yōu)勢(shì)

    ,正逐漸取代硅(Si)器件,在工業(yè)自動(dòng)化、電力電子、能源轉(zhuǎn)換等多領(lǐng)域中發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用。本文將深入分析碳化硅器件在工業(yè)應(yīng)用中的
    的頭像 發(fā)表于 08-25 14:10 ?1571次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>器件</b>在工業(yè)應(yīng)用中的<b class='flag-5'>技術(shù)</b>優(yōu)勢(shì)

    基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用

    。其中,關(guān)斷損耗(Eoff)作為衡量器件開(kāi)關(guān)性能的重要指標(biāo),直接影響著系統(tǒng)的效率、發(fā)熱和可靠性。本文將聚焦于基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性,深入探討其技術(shù)優(yōu)勢(shì)及在
    的頭像 發(fā)表于 06-10 08:38 ?898次閱讀
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    的頭像 發(fā)表于 04-21 17:55 ?1139次閱讀

    碳化硅功率器件的種類(lèi)和優(yōu)勢(shì)

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    碳化硅功率器件的封裝技術(shù)解析

    碳化硅(SiC)功率器件因其低內(nèi)阻、高耐壓、高頻率和高結(jié)溫等優(yōu)異特性,在電力電子系統(tǒng)中得到了廣泛關(guān)注和應(yīng)用。然而,要充分發(fā)揮SiC器件的性能
    的頭像 發(fā)表于 02-03 14:21 ?1376次閱讀