基本半導體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領域的應用

一、引言

在電力電子技術飛速發(fā)展的今天，碳化硅（SiC）MOSFET 憑借其卓越的性能，成為推動高效能電力轉(zhuǎn)換的關鍵器件。其中，關斷損耗（Eoff）作為衡量器件開關性能的重要指標，直接影響著系統(tǒng)的效率、發(fā)熱和可靠性。本文將聚焦于基本半導體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性，深入探討其技術優(yōu)勢及在電力電子領域的廣泛應用。

傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級！

二、碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性解析

（一）Eoff 的定義與影響因素

關斷損耗（Eoff）是指 MOSFET 在關斷過程中，由于電壓和電流的交疊而產(chǎn)生的能量損耗。其大小主要與以下因素相關：

器件物理結(jié)構(gòu)：SiC MOSFET 的平面柵或溝槽柵結(jié)構(gòu)會影響載流子的復合速度和電場分布，進而改變關斷過程的能量釋放路徑。例如，基本半導體的 B3M 系列采用優(yōu)化的平面柵工藝，相比溝槽柵器件，在高溫下能更穩(wěn)定地控制 Eoff 增長幅度。

寄生參數(shù)：器件的寄生電容（如 Coss、Crss）和引線電感會延長關斷瞬態(tài)過程，導致 Eoff 增加?；景雽w通過改進封裝技術（如 TO-247-4、TOLT 封裝），有效降低了寄生電感，從而減少關斷損耗。

工作條件：母線電壓（VDS）、負載電流（ID）、結(jié)溫（Tj）以及驅(qū)動參數(shù)（如柵極電阻 Rg）均會對 Eoff 產(chǎn)生顯著影響。例如，在雙脈沖測試中，當 VDS=800V、ID=40A 時，基本半導體 B3M040120Z 的 Eoff 為 162μJ，優(yōu)于國際品牌 C3M0040120K 的 231μJ。

（二）基本半導體SiC MOSFET 的 Eoff 技術優(yōu)勢

低 Eoff 設計：通過優(yōu)化芯片結(jié)構(gòu)和外延層參數(shù)，基本半導體第三代 SiC MOSFET（如 B3M 系列）的 Eoff 較第二代產(chǎn)品降低約 18%。例如，B3M040065Z 在 6.6kW OBC 應用中，關斷損耗僅為 42μJ，顯著提升了系統(tǒng)效率。

高溫穩(wěn)定性：6SiC 材料的寬禁帶特性使其在高溫下仍能保持低 Eoff 特性。測試數(shù)據(jù)顯示，當結(jié)溫從 25℃升至 125℃時，B3M040120Z 的 Eoff 僅增加約 17%，而溝槽柵結(jié)構(gòu)的競品增幅可達 30% 以上。

米勒鉗位技術：搭配專用驅(qū)動芯片（如 BTD5350MCWR）的米勒鉗位功能，可有效抑制關斷過程中的電壓振蕩，進一步降低 Eoff。實驗表明，啟用米勒鉗位后，下管門極電壓波動從 7.3V 降至 2V，關斷損耗減少約 30%。

三、Eoff 特性在電力電子領域的應用場景

（一）車載充電電源（OBC）

在車載 OBC 系統(tǒng)中，高效的功率轉(zhuǎn)換是關鍵?；景雽w SiC MOSFET 的低 Eoff 特性使其在單級 PFC+LLC 拓撲中表現(xiàn)優(yōu)異。例如，6.6kW OBC 方案采用 B3M040065Z 作為 LLC 原邊器件，其 Eoff 僅為 6.62μJ，配合驅(qū)動芯片 BTD5350MCPR，系統(tǒng)效率可達 96% 以上。此外，在三相 PFC+CLLC1拓撲的 22kW OBC 中，AB2M040120Z 的 Eoff 特性助力實現(xiàn)了雙向能量流動的高效控制。

（二）車載 DC-DC 轉(zhuǎn)換器

車載 DC-DC 轉(zhuǎn)換器需在有限空間內(nèi)實現(xiàn)高功率密度和低發(fā)熱。基本半導體 SiC MOSFET 的低 Eoff 特性使其在 400V/800V 電池平臺的 LLC 轉(zhuǎn)換中優(yōu)勢顯著。例如，800V 平臺下，B2M160120Z 作為 LLC 原邊器件，結(jié)合驅(qū)動芯片 BTD25350MMCWR，可將 DC-DC 功率損耗降低 20% 以上，滿足車載低壓系統(tǒng)的高效供電需求。

（三）壁掛式小直流樁

在壁掛式小直流樁中，高頻化設計是提升功率密度的關鍵?；景雽w SiC MOSFET 的低 Eoff 特性允許開關頻率提升至 65kHz 以上，同時保持低損耗。仿真數(shù)據(jù)顯示，采用 B3M040065Z 的無橋 PFC 拓撲在 264Vac 輸入下，總損耗僅為 20.97W，結(jié)溫控制在 128.71℃，確保了充電樁的長期穩(wěn)定運行。

（四）工業(yè)與能源領域

在工業(yè)電源、光伏儲能等場景中，SiC MOSFET 的高溫穩(wěn)定性和低 Eoff 特性尤為重要。例如，在光伏儲能的 BUCK-BOOST 電路中，B3M040120Z 在 125℃結(jié)溫下仍能保持低關斷損耗，支持系統(tǒng)在寬溫域環(huán)境下高效運行。此外，在焊機電源的全橋拓撲中，其低 Eoff 特性可減少焊接過程中的能量損耗，提升焊接效率和質(zhì)量。

四、結(jié)論與展望

基本半導體碳化硅 MOSFET 憑借其優(yōu)異的 Eoff 特性，在車載充電、新能源轉(zhuǎn)換等電力電子領域展現(xiàn)出顯著的技術優(yōu)勢。隨著 SiC 工藝的不斷進步和驅(qū)動技術的完善，未來其 Eoff 特性將進一步優(yōu)化，推動電力電子系統(tǒng)向更高效率、更高功率密度和更低成本的方向發(fā)展。對于工程師而言，深入理解并合理利用 SiC MOSFET 的 Eoff 特性，將為設計下一代高效能電力電子設備提供關鍵技術支撐。

審核編輯 黃宇