chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

搜索歷史

清空
搜索熱詞
      0
      • 聊天消息
      • 系統(tǒng)消息
      • 評論與回復
      VIP于 到期 續(xù)費
      登錄后你可以
      • 下載海量資料
      • 學習在線課程
      • 觀看技術視頻
      • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
      會員中心
      創(chuàng)作中心
      發(fā)布
      創(chuàng)作活動

      完善資料讓更多小伙伴認識你，還能領取20積分哦，立即完善>

      3天內(nèi)不再提示

      ９.３.３　開通過程∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

      深圳市致知行科技有限公司 ? 2022-03-28 14:59 ? 次閱讀
      加入交流群
      微信小助手二維碼

      掃碼添加小助手

      加入工程師交流群

      ９.３.３開通過程

      ９.３晶閘管

      第９章雙極型功率開關器件

      《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

      5ba1bf88-ae00-11ec-82f6-dac502259ad0.jpg

      5bb9f742-ae00-11ec-82f6-dac502259ad0.jpg

      5bcfc9b4-ae00-11ec-82f6-dac502259ad0.jpg

      代理產(chǎn)品線：
      1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明
      2、國產(chǎn)MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉(zhuǎn)換位置靈活重新定義
      3、國產(chǎn)FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列4、國科微GK7202V300 PtP Hi3518EV300 Hi3518ERNCV300 低功耗IPC5、國科微GK7205V200 PtP Hi3516EV200 Hi3516ERNCV200 4M@18fps
      6、GK7205V300 PINtoPIN Hi3516EV300 Hi3516ERBCV300 高清視頻編碼
      7、GK7605V100 PINtoPIN Hi3516DV200 Hi3516DRBCV200 HD IP攝像機IC

      8、MCU.十速科技.32位∈4位、8位、8051單片機

      9、中國芯.HX2401C 2.4G PA芯片 直接PINtoPIN替換XX2401

      10、MCU.十速科技.32位∈4位、8位、8051單片機

      聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
      • 碳化硅
        +關注

        關注

        25

        文章

        3324

        瀏覽量

        51732
      收藏 人收藏
      加入交流群
      微信小助手二維碼

      掃碼添加小助手

      加入工程師交流群

        評論

        相關推薦
        熱點推薦

        【新啟航】碳化硅外延片 TTV 厚度與生長工藝參數(shù)的關聯(lián)性研究

        一、引言 碳化硅外延片作為功率半導體器件的核心材料，其總厚度偏差（TTV）是衡量產(chǎn)品質(zhì)量的關鍵指標，直接影響器件的性能與可靠性 。外延片的 TTV 厚度受多種因素影響，其中生長工藝參
        的頭像 發(fā)表于 09-18 14:44 ?573次閱讀
        【新啟航】<b class='flag-5'>碳化硅</b>外延片 TTV 厚度與<b class='flag-5'>生長</b>工藝參數(shù)的關聯(lián)性研究

        碳化硅器件的應用優(yōu)勢

        碳化硅是第三代半導體典型材料，相比之前的硅材料，碳化硅有著高擊穿場強和高熱導率的優(yōu)勢，在高壓、高頻、大功率的場景下更適用。碳化硅的晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，哪怕是在超過300℃的高溫環(huán)境下，打破了傳統(tǒng)材料下
        的頭像 發(fā)表于 08-27 16:17 ?1119次閱讀
        <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>器件</b>的應用優(yōu)勢

        碳化硅晶圓特性及切割要點

        01襯底碳化硅襯底是第三代半導體材料中氮化鎵、碳化硅應用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料，經(jīng)過晶體生長、晶錠加工、切割、研磨、拋光
        的頭像 發(fā)表于 07-15 15:00 ?869次閱讀
        <b class='flag-5'>碳化硅</b>晶圓特性及切割要點

        碳化硅功率器件有哪些特點

        隨著全球?qū)G色能源和高效能電子設備的需求不斷增加，寬禁帶半導體材料逐漸進入了人們的視野。其中，碳化硅（SiC）因其出色的性能而受到廣泛關注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動汽車等領域的應用不斷拓展，成為現(xiàn)代電子
        的頭像 發(fā)表于 04-21 17:55 ?1010次閱讀

        碳化硅功率器件的種類和優(yōu)勢

        在現(xiàn)代電子技術飛速發(fā)展的背景下，功率器件的性能和效率面臨著越來越高的要求。碳化硅（SiC）作為一種新興的寬禁帶半導體材料，憑借其優(yōu)異的電氣特性和熱性能，逐漸成為功率電子器件領域的熱門選
        的頭像 發(fā)表于 04-09 18:02 ?1171次閱讀

        碳化硅功率器件的特性和應用

        隨著全球能源需求的快速增長和對可再生能源的重視，電力電子技術正經(jīng)歷著前所未有的變革。在這一過程中，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新興的寬禁帶半導體材料，憑借其優(yōu)越的性能，正在逐步取代
        的頭像 發(fā)表于 02-25 13:50 ?1488次閱讀
        <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>的特性和應用

        國內(nèi)碳化硅功率器件設計公司的倒閉潮是市場集中化的必然結(jié)果

        器件設計公司正在加速被市場拋棄：碳化硅功率器件設計公司出現(xiàn)倒閉潮，這是是市場集中化的必然結(jié)果。結(jié)合英飛凌、安森美等企業(yè)的業(yè)務動態(tài)，可從以下維度分析這一趨勢： 1. 技術壁壘與產(chǎn)能競賽：
        的頭像 發(fā)表于 02-24 14:04 ?885次閱讀
        國內(nèi)<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>設計公司的倒閉潮是市場集中化的必然結(jié)果

        碳化硅薄膜沉積技術介紹

        多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應性、制造優(yōu)勢和多樣的沉積技術而著稱;而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫
        的頭像 發(fā)表于 02-05 13:49 ?1807次閱讀
        <b class='flag-5'>碳化硅</b>薄膜沉積<b class='flag-5'>技術</b>介紹

        碳化硅襯底的生產(chǎn)過程

        碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導體材料，因其出色的物理和化學特性，如高硬度、高熔點、高熱導率和化學穩(wěn)定性，在半導體產(chǎn)業(yè)中得到了廣泛的應用。SiC襯底是制造高性能SiC器件的關鍵材料，其生產(chǎn)過程復雜
        的頭像 發(fā)表于 02-03 14:21 ?1830次閱讀

        碳化硅功率器件的封裝技術解析

        碳化硅（SiC）功率器件因其低內(nèi)阻、高耐壓、高頻率和高結(jié)溫等優(yōu)異特性，在電力電子系統(tǒng)中得到了廣泛關注和應用。然而，要充分發(fā)揮SiC器件的性能，封裝技術至關重要。本文將詳細解析
        的頭像 發(fā)表于 02-03 14:21 ?1197次閱讀

        碳化硅的缺陷分析與解決方案

        。 碳化硅的主要缺陷類型 微管缺陷 ：微管是碳化硅晶體生長過程中最常見的缺陷之一，它們會形成垂直于晶體生長方向的空管，影響電子器件的電導率和
        的頭像 發(fā)表于 01-24 09:17 ?2360次閱讀

        鐘罩式熱壁碳化硅高溫外延片生長裝置

        一、引言 隨著半導體技術的飛速發(fā)展，碳化硅（SiC）作為一種具有優(yōu)異物理和化學性質(zhì)的材料，在電力電子、微波器件、高溫傳感器等領域展現(xiàn)出巨大的應用潛力。高質(zhì)量、大面積的SiC外延片是實現(xiàn)高性能SiC
        的頭像 發(fā)表于 01-07 15:19 ?423次閱讀
        鐘罩式熱壁<b class='flag-5'>碳化硅</b>高溫外延片<b class='flag-5'>生長</b>裝置

        什么是MOSFET柵極氧化層？如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性？

        隨著電力電子技術的不斷進步，碳化硅MOSFET因其高效的開關特性和低導通損耗而備受青睞，成為高功率、高頻應用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分，柵極氧化層對
        發(fā)表于 01-04 12:37

        8英寸單片高溫碳化硅外延生長室結(jié)構(gòu)

        隨著碳化硅（SiC）材料在電力電子、航空航天、新能源汽車等領域的廣泛應用，高質(zhì)量、大面積的SiC外延生長技術變得尤為重要。8英寸SiC晶圓作為當前及未來一段時間內(nèi)的主流尺寸，其外延生長
        的頭像 發(fā)表于 12-31 15:04 ?398次閱讀
        8英寸單片高溫<b class='flag-5'>碳化硅</b>外延<b class='flag-5'>生長</b>室結(jié)構(gòu)

        溝槽結(jié)構(gòu)碳化硅的外延填充方法

        一、引言 溝槽結(jié)構(gòu)碳化硅的外延填充方法是指通過在碳化硅襯底上形成的溝槽內(nèi)填充高質(zhì)量的外延層，以實現(xiàn)器件的電學和熱學性能要求。這一過程中，不僅
        的頭像 發(fā)表于 12-30 15:11 ?504次閱讀
        溝槽結(jié)構(gòu)<b class='flag-5'>碳化硅</b>的外延填充方法