MOS管由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于壓控半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高10^7~10^12Ω)、低噪聲、低功耗、動(dòng)態(tài)范圍大、易集成、無二次擊穿、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極晶體管和功率晶體管的有力競(jìng)爭者。

??1)用N溝道或P溝道?

??選擇一個(gè)好的MOS晶體管器件的是決定采用N溝道還是P溝道MOS管。當(dāng)MOS管連接到總線并且負(fù)載接地時(shí)，就使用高壓側(cè)開關(guān)。通常會(huì)在這個(gè)拓?fù)渲胁捎肞溝道MOS管，這也是出于對(duì)電壓驅(qū)動(dòng)的考慮。

??2)確定MOS管的額定電流

??額定電流應(yīng)該是負(fù)載在任何情況下都能承受的最大電流。與電壓情況類似，即使系統(tǒng)產(chǎn)生峰值電流，也要確保所選的MOS晶體管能夠承受此額定電流。??3)選擇MOS管的下一步是系統(tǒng)的散熱要求。

??必須考慮兩種不同的情況，即最壞情況和真實(shí)情況。建議采用最壞情況的計(jì)算結(jié)果，因?yàn)檫@個(gè)結(jié)果提供了更大的安全裕度，可以保證系統(tǒng)不會(huì)出現(xiàn)故障。

??4)選擇MOS管的關(guān)鍵一步是確定MOS管的開關(guān)性能。

??影響開關(guān)性能的參數(shù)很多，但重要的是柵極/漏極、柵極/源極和漏極/源極電容。這些電容會(huì)導(dǎo)致器件的開關(guān)損耗，因?yàn)槊看伍_關(guān)時(shí)都要充電。

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