chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

30V MOS管N溝道PKC26BB替代料SVG032R4NL5

深圳市驪微電子科技 ? 2022-05-05 15:21 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

MOS管是電壓控制電流器件,用柵極電壓的變化控制漏極電流的變化。有P溝道MOS管和N溝道MOS管,SVG032R4NL5采用LVMOS工藝技術制造是100A、30VN溝道增強型場效應管,可兼容替代尼克森PKC26BB。

尼克森PKC26BB替代料100a 30v mos管SVG032R4NL5

PKC26BB替代料SVG032R4NL5特點

■ 100A,30V,RDs(on)(典型值)=2.0mΩ @Vcs=10V

■ 低柵極電荷

■ 低反向傳輸電容

■ 開關速度快

■ 提升了dv/dt能力

■ 100%雪崩測試

■ 無鉛管腳鍍層

■ 符合RoHS環(huán)保標準

SVG032R4NL5N關鍵特性參數(shù)

尼克森PKC26BB替代料100a 30v mos管SVG032R4NL5

SVG032R4NL5 100A、30VN溝道增強型場效應管采用PDFN56封裝,具有100A、30V的電流、電壓,RDS(on) = 2.0mΩtyp) ,封裝、參數(shù)和PKC26BB基本一致,可兼容替代尼克森PKC26BB,廣泛應用于不間斷電源逆變器系統(tǒng)的電源管理領域。

尼克森PKC26BB替代料100a 30v mos管SVG032R4NL5

驪微電子供應30V 100A N溝道MOS管SVG032R4NL5產(chǎn)品以及配套服務,提供樣品測試及技術支持,更多尼克森PKC26BB替代料30v 100a mos管SVG032R4NL5 參數(shù)及相關資料請向我們申請。>>

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • MOS管
    +關注

    關注

    110

    文章

    2754

    瀏覽量

    74998
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    選型手冊:VS3610AP N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體

    威兆半導體推出的VS3610AP是一款面向30V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,支持5V邏輯電平控制,采用PDFN5x6封裝,適配低
    的頭像 發(fā)表于 12-11 10:52 ?3次閱讀
    選型手冊:VS3610AP <b class='flag-5'>N</b> <b class='flag-5'>溝道</b>增強型功率 MOSFET 晶體<b class='flag-5'>管</b>

    選型手冊:VS3622AP N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體

    威兆半導體推出的VS3622AP是一款面向30V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用PDFN5x6封裝,適配低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型
    的頭像 發(fā)表于 12-10 14:53 ?61次閱讀
    選型手冊:VS3622AP <b class='flag-5'>N</b> <b class='flag-5'>溝道</b>增強型功率 MOSFET 晶體<b class='flag-5'>管</b>

    選型手冊:VS3618AS N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體

    威兆半導體推出的VS3618AS是一款面向30V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,支持5V邏輯電平控制,采用SOP8封裝,適配小型化低壓電源管理、負載開關等領域。一、產(chǎn)品基本信息
    的頭像 發(fā)表于 12-08 11:10 ?83次閱讀
    選型手冊:VS3618AS <b class='flag-5'>N</b> <b class='flag-5'>溝道</b>增強型功率 MOSFET 晶體<b class='flag-5'>管</b>

    貼片MOS100N03 TO-252規(guī)格書

    貼片MOS100N03 TO-252電流100A 30V
    發(fā)表于 12-04 17:12 ?0次下載

    合科泰TO-252封裝N溝道MOSHKTD100N03的核心優(yōu)勢

    如BMS、電機控制、電力開關的12V系統(tǒng)對低內(nèi)阻MOS的需求正增速增長,工程師們迫切需要兼顧大電流承載與小型化設計的解決方案。而HKTD100N03這款采用TO-252封裝的
    的頭像 發(fā)表于 11-26 09:44 ?364次閱讀
    合科泰TO-252封裝<b class='flag-5'>N</b><b class='flag-5'>溝道</b><b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>HKTD100<b class='flag-5'>N</b>03的核心優(yōu)勢

    選型手冊:MOT50N03C N 溝道功率 MOSFET 晶體

    仁懋電子(MOT)推出的MOT50N03C是一款面向30V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借低導通電阻、低柵極電荷及快速開關特性,適用于各類開關應用場景。一、產(chǎn)品基本信
    的頭像 發(fā)表于 11-20 16:22 ?223次閱讀
    選型手冊:MOT50<b class='flag-5'>N</b>03C <b class='flag-5'>N</b> <b class='flag-5'>溝道</b>功率 MOSFET 晶體<b class='flag-5'>管</b>

    ZK30N140T:Trench工藝賦能的30V/140AN溝道MOS,重塑低壓大電流應用新標桿

    在低壓大電流功率電子領域,MOS的導通損耗、電流承載能力與封裝適配性,直接決定了終端設備的能效、可靠性與設計靈活性。中科微電推出的ZK30N140TN溝道
    的頭像 發(fā)表于 10-22 09:42 ?305次閱讀
    ZK<b class='flag-5'>30N</b>140T:Trench工藝賦能的<b class='flag-5'>30V</b>/140AN<b class='flag-5'>溝道</b><b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>,重塑低壓大電流應用新標桿

    中科微電mosZK30N100G 30V 90A

    ZK30N100T是一款采用先進溝槽技術的N溝道增強型功率MOSFET,文檔從核心特性、關鍵參數(shù)、應用場景、封裝與包裝、電氣及熱特性、測試電路、機械尺寸等多維度展開介紹,為該器件的選型
    發(fā)表于 10-15 17:54 ?0次下載

    圣邦微電子推出30VN溝道功率MOSFET SGMNQ36430

    圣邦微電子推出 SGMNQ36430,一款 30VN 溝道功率 MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體)。該器件可應用于 CPU 電源傳輸、DC/DC 轉(zhuǎn)換器、功率負載開關以
    的頭像 發(fā)表于 05-09 16:57 ?914次閱讀
    圣邦微電子推出<b class='flag-5'>30V</b>單<b class='flag-5'>N</b><b class='flag-5'>溝道</b>功率MOSFET SGMNQ36430

    MOS的工作原理:N溝道與P溝道的區(qū)別

    MOS(金屬氧化物半導體場效應晶體)是現(xiàn)代電子設備中最常用的半導體器件之一。它通過電場效應控制電流的導通與截止,廣泛應用于放大、開關和信號處理等電路中。MOS
    的頭像 發(fā)表于 05-09 15:14 ?2072次閱讀
    <b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>的工作原理:<b class='flag-5'>N</b><b class='flag-5'>溝道</b>與P<b class='flag-5'>溝道</b>的區(qū)別

    CSD17581Q3A 30V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET技術手冊

    方框圖 1. 產(chǎn)品概述 ? 型號 ?:CSD17581Q3A ? 類型 ?:30V N溝道 NexFET? 功率MOSFET ? 封裝 ?:SON 3.3mm × 3.3mm 塑料封裝 ? 特點 ?:低柵極電荷(Q_g)、低導
    的頭像 發(fā)表于 04-16 11:25 ?729次閱讀
    CSD17581Q3A <b class='flag-5'>30V</b>、<b class='flag-5'>N</b> 通道 NexFET? 功率 MOSFET技術手冊

    納祥科技NX7010,PIN TO PIN AP20H03DF的30V 20A雙N溝道MOSFET

    NAXIANGTECHNOLOGY納祥科技NX701030V20A雙N溝道MOSFET30V20A雙N
    的頭像 發(fā)表于 03-21 15:33 ?734次閱讀
    納祥科技NX7010,PIN TO PIN AP20H03DF的<b class='flag-5'>30V</b> 20A雙<b class='flag-5'>N</b><b class='flag-5'>溝道</b>MOSFET

    PMH550UNEA 30V N溝道溝槽MOSFET規(guī)格書

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PMH550UNEA 30V N溝道溝槽MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 02-20 16:29 ?0次下載
    PMH550UNEA <b class='flag-5'>30V</b> <b class='flag-5'>N</b><b class='flag-5'>溝道</b>溝槽MOSFET規(guī)格書

    PSMN1RO-30YLC N溝道30V 1.15 mΩ邏輯電平MOSFET規(guī)格書

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSMN1RO-30YLC N溝道30V 1.15 mΩ邏輯電平MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 02-13 14:16 ?0次下載
    PSMN1RO-<b class='flag-5'>30</b>YLC <b class='flag-5'>N</b><b class='flag-5'>溝道</b><b class='flag-5'>30V</b> 1.15 mΩ邏輯電平MOSFET規(guī)格書

    PSMN2RO-30YLE n溝道30V 2 mQ邏輯電平MOSFET規(guī)格書

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSMN2RO-30YLE n溝道30V 2 mQ邏輯電平MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 01-23 16:33 ?0次下載
    PSMN2RO-<b class='flag-5'>30</b>YLE <b class='flag-5'>n</b><b class='flag-5'>溝道</b><b class='flag-5'>30V</b> 2 mQ邏輯電平MOSFET規(guī)格書