圣邦微電子推出 SGMNQ36430，一款 30V 單 N 溝道功率 MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。該器件可應(yīng)用于 CPU 電源傳輸、DC/DC 轉(zhuǎn)換器、功率負(fù)載開關(guān)以及筆記本電池管理等領(lǐng)域。

SGMNQ36430 的主要特性包括低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷。在 VGS= 10V 時(shí)，其導(dǎo)通電阻典型值為 2.9mΩ，最大值為 3.6mΩ，能夠有效減少功率損耗。同時(shí)，總柵極電荷僅為 22.7nC（VGS= 10V），有助于降低開關(guān)過程中的能量損失。此外，其封裝尺寸為 3.3×3.3mm2，較為緊湊，適合在有限的 PCB 空間內(nèi)使用。產(chǎn)品符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)且無鹵素，滿足環(huán)保要求。

在性能參數(shù)方面，SGMNQ36430 的最大漏源電壓為 30V，最大漏極電流在外殼溫度 25℃ 時(shí)可達(dá) 75A，在 100℃ 時(shí)為 47A。脈沖漏極電流最高為 160A，適用于短時(shí)高電流脈沖場(chǎng)景。其雪崩電流為 38A，雪崩能量為 72.2mJ，能夠在一定程度上承受反向恢復(fù)過程中的能量沖擊。SGMNQ36430 采用符合環(huán)保理念的 PDFN-3.3×3.3-8L 綠色封裝，工作溫度范圍為 -55℃ 至 +150℃，存儲(chǔ)溫度范圍相同，適應(yīng)多種工作環(huán)境。

電氣特性方面，器件的漏源擊穿電壓不低于 30V，零柵極電壓時(shí)漏極電流小于等于 1μA，柵極漏電流在 ±20V 的 VGS下小于等于 100nA。柵極閾值電壓在 1.2V 至 2.2V 之間，確保穩(wěn)定的開關(guān)控制。動(dòng)態(tài)特性上，輸入電容為 1028pF，輸出電容為 876pF，反向轉(zhuǎn)移電容為 57pF，這些參數(shù)決定了其在高頻開關(guān)應(yīng)用中的性能表現(xiàn)。

圖 1 SGMNQ36430 等效電路

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