場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)要比晶體管復(fù)雜，場(chǎng)效應(yīng)管的溝道一般只有幾個(gè)納米，原件是比晶體管小的多的一個(gè)小硅片，而且場(chǎng)效應(yīng)管的“硅片”制作會(huì)更加的復(fù)雜，在體積比晶體管要小很多的狀態(tài)下，工藝的要求更高了。不過(guò)話說(shuō)回來(lái)工業(yè)制造場(chǎng)效應(yīng)管的集成電路比晶體管的要簡(jiǎn)單，在集成密度上也會(huì)比晶體管的面積上也要大得多，場(chǎng)效應(yīng)管主要是電壓控制電流的晶體管是電流控制電流型的.一般不能直接替換，如果一定要去替換的話就要在電路結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)上做出更改。

MOS管

場(chǎng)效應(yīng)管要怎么選呢?

1、確認(rèn)產(chǎn)品要是要N溝道的，還是P溝道的，這點(diǎn)是最重要的。

2、計(jì)算導(dǎo)通損耗，確認(rèn)場(chǎng)效應(yīng)管的額定電流。

3、熱要求環(huán)境，電路設(shè)計(jì)需要考慮到最壞和真實(shí)的應(yīng)用環(huán)境，可以按照以最壞的的結(jié)果去計(jì)算設(shè)計(jì)，這樣可以給運(yùn)行提供更大的安全空間，穩(wěn)定運(yùn)行。

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