具備低功耗和小體積等優(yōu)勢(shì)的LPDDR

隨著可移動(dòng)設(shè)備的發(fā)展

逐漸進(jìn)入大家的視線

技術(shù)迭代更新越來(lái)越快

對(duì)LPDDR的質(zhì)量與可靠性要求進(jìn)一步提高

其測(cè)試變量也變得越來(lái)越多

比如

漏電流測(cè)試、協(xié)議測(cè)試、

開(kāi)短路測(cè)試、時(shí)序測(cè)試、高溫測(cè)試等

Q

@“有人”

測(cè)試不能給LPDDR增加功能，也不能提升性能，對(duì)產(chǎn)品本身，不體現(xiàn)價(jià)值......

A

@江小編

確實(shí)，測(cè)試不能改變芯片制造的質(zhì)量，只能在現(xiàn)有質(zhì)量條件下進(jìn)行度量。但是，制造缺陷或者瑕疵會(huì)對(duì)LPDDR的正常工作帶來(lái)一定影響。

就拿漏電流測(cè)試來(lái)說(shuō)，如果LPDDR存在漏電流異常，應(yīng)用到手機(jī)、筆記本電腦等終端設(shè)備時(shí)，輕則會(huì)增加LPDDR的功耗，降低續(xù)航力，重則可能會(huì)發(fā)生故障或燒毀等問(wèn)題。

并且測(cè)試本身就是設(shè)計(jì)的一環(huán)，對(duì)于像江波龍這樣擁有芯片設(shè)計(jì)能力的企業(yè)來(lái)說(shuō)，測(cè)試的重要性不亞于電路設(shè)計(jì)本身。

為了幫助內(nèi)存設(shè)計(jì)師和工程師應(yīng)對(duì)調(diào)試和驗(yàn)證內(nèi)設(shè)計(jì)時(shí)不斷面臨新的挑戰(zhàn)，江波龍?jiān)谶M(jìn)行LPDDR3/4/4X的信號(hào)測(cè)試時(shí)，通過(guò)Turbocats測(cè)試機(jī)臺(tái)，進(jìn)行IDD/Leakage、O/S、Pattern存儲(chǔ)、算法、Schmoo/Timing、高溫85℃等測(cè)試，并支持1333~3200Mbps速率和178/200/221/254 Ball數(shù)的產(chǎn)品測(cè)試。

存儲(chǔ)芯片技術(shù)工程實(shí)驗(yàn)室（創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室）集研發(fā)設(shè)計(jì)、失效分析、工程驗(yàn)證和聯(lián)合開(kāi)發(fā)于一體，是江波龍電子重要的質(zhì)量保證技術(shù)服務(wù)平臺(tái)。實(shí)驗(yàn)室配備先進(jìn)的研發(fā)試驗(yàn)設(shè)施和高素質(zhì)的研發(fā)團(tuán)隊(duì)，研發(fā)場(chǎng)所面積為846.72㎡，2021年5月底建成并正式投入使用。