PIEZOCONCEPT 在其壓電級(jí)中使用什么類(lèi)型的位移傳感器？為什么它優(yōu)于其他傳感器技術(shù)？

PIEZOCONCEPT 使用單晶硅傳感器，稱(chēng)為Si-HR 傳感器。盡管它是應(yīng)變儀傳感器大系列的一部分，但它的性能優(yōu)于其他兩種常用技術(shù)（電容式傳感器和金屬應(yīng)變儀）。這兩種位置傳感技術(shù)有其自身的特定缺點(diǎn)。

電容式傳感器與 PIEZOCONCEPT 公司Si-HR 傳感器的比較

電容式傳感器非常常用。他們提供了不錯(cuò)的表現(xiàn)，但他們對(duì)以下情況很敏感：

? 氣壓變化：空氣的介電常數(shù)取決于氣壓。電容測(cè)量將受到任何壓力變化的影響。

? 溫度變化：同樣的，空氣的介電常數(shù)會(huì)隨溫度變化

? 污染物的存在

以上所有都會(huì)導(dǎo)致一些納米級(jí)的不穩(wěn)定性，因此如果您想實(shí)現(xiàn)真正的亞納米級(jí)穩(wěn)定性，則需要將它們考慮在內(nèi)。即使可以對(duì)氣壓和溫度進(jìn)行校正，也無(wú)法校正其他因素（污染物、脫氣）的影響。這解釋了電容式傳感器在真空環(huán)境中性能不佳的原因。此外，電容式傳感器非常昂貴且體積龐大。因此，帶有電容傳感器的位移臺(tái)不可能做的有像的 BIO3/LT3 這樣薄，即使設(shè)計(jì)的好也會(huì)在穩(wěn)定性方面進(jìn)一步犧牲性能。

因?yàn)樗且环N固態(tài)技術(shù)，所以Si-HR 傳感器的電阻不依賴(lài)于氣壓或污染物的存在。其次，溫度變化會(huì)對(duì)測(cè)量產(chǎn)生影響（主要是因?yàn)椴牧系臒崤蛎洠?，但這可以通過(guò)使用傳感器陣列來(lái)糾正?；旧?，我們?yōu)槊總€(gè)軸平行使用 2 個(gè)硅傳感器 - 一個(gè)用于測(cè)量，另一個(gè)用于考慮由于溫度變化導(dǎo)致的材料膨脹。

金屬應(yīng)變計(jì)與 PIEZOCONCEPT Silicon HR 技術(shù)的比較

金屬應(yīng)變計(jì)與我們的 Silicon HR 技術(shù)（也是應(yīng)變計(jì)）之間的差異更大。金屬應(yīng)變計(jì)和硅傳感器應(yīng)變計(jì)之間存在兩個(gè)巨大差異。

競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手試圖說(shuō)所有的應(yīng)變儀都具有相同的性能，因?yàn)樗鼈儨y(cè)量的是應(yīng)變。這是不正確的。半導(dǎo)體應(yīng)變計(jì)在穩(wěn)定性方面與金屬應(yīng)變計(jì)有很大不同。

金屬應(yīng)變計(jì)和Si-HR 傳感器（PIEZOCONCEPT 使用）之間的第yi個(gè)區(qū)別是應(yīng)變系數(shù)：半導(dǎo)體應(yīng)變儀（Si-HR）的應(yīng)變系數(shù)大約是金屬應(yīng)變儀的 100 倍。更高的規(guī)格因子導(dǎo)致更高的信噪比，最終導(dǎo)致更高的穩(wěn)定性。 更重要的是，第二個(gè)區(qū)別是金屬應(yīng)變計(jì)不能直接安裝在彎曲本身上（即實(shí)現(xiàn)運(yùn)動(dòng)的地方）：金屬應(yīng)變計(jì)必須安裝在某種“背襯”上。因此，它必須安裝在執(zhí)行器本身上，因?yàn)槟鷽](méi)有足夠的空間將其安裝在撓性件上。僅在執(zhí)行器上測(cè)量的問(wèn)題是壓電執(zhí)行器有很多缺陷......存在蠕變或滯后等現(xiàn)象。因此，由于壓電執(zhí)行器的伸長(zhǎng)不均勻，因此僅測(cè)量執(zhí)行器的部分伸長(zhǎng)率并不能精確地扣除其完全伸長(zhǎng)率。通過(guò)對(duì)彎曲本身進(jìn)行測(cè)量，我們不會(huì)遇到這種“不均勻”問(wèn)題。由于上述原因，如果您比較應(yīng)變計(jì)（金屬）和 PIEZOCONCEPT 的Si-HR 傳感器，在信噪比和穩(wěn)定性方面存在巨大差異。

關(guān)于法國(guó)PIEZOCONCEPT公司

PIEZOCONCEPT 是壓電納米位移臺(tái)領(lǐng)域的領(lǐng)憲供應(yīng)商，其應(yīng)用領(lǐng)域包括但不限于超分辨率顯微鏡、光阱、納米工業(yè)和原子力顯微鏡。其產(chǎn)品已被國(guó)內(nèi)外yi流大學(xué)和研究所從事前沿研究的知名科學(xué)家使用，在工業(yè)和科研領(lǐng)域受到廣泛好評(píng)。

多年來(lái)，納米定位傳感器領(lǐng)域電容式傳感器一直占據(jù)市場(chǎng)主導(dǎo)地位。但這項(xiàng)技術(shù)存在明顯的局限性。PIEZOCONCEPT經(jīng)過(guò)多年研究，開(kāi)發(fā)出硅基高靈敏度位置傳感器（Silicon HR）技術(shù)，Si-HR傳感器可以實(shí)現(xiàn)更高的穩(wěn)定性和線(xiàn)性度，以滿(mǎn)足現(xiàn)代顯微鏡技術(shù)的更高分辨率要求。

PIEZOCONCEPT的目標(biāo)是為客戶(hù)提供一個(gè)物美價(jià)廉的納米或亞納米定位解決方案，讓客戶(hù)享受到市面上蕞高的定位準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性的產(chǎn)品使用體驗(yàn)。我們開(kāi)發(fā)了一系列超穩(wěn)定的納米定位器件，包含單軸、兩軸、三軸、物鏡掃描臺(tái)、快反鏡和配套器件，覆蓋5-1500um行程，品類(lèi)豐富，并提供各類(lèi)定制化服務(wù)。與市場(chǎng)上已有的產(chǎn)品相比具有顯著優(yōu)勢(shì)，Piezoconcept的硅傳感器具有很好的穩(wěn)定性、超本低噪聲和超高的信號(hào)反饋，該技術(shù)優(yōu)于市場(chǎng)上昂貴的高端電容傳感器。因此，我們的舞臺(tái)通過(guò)其簡(jiǎn)單而高效的柔性設(shè)計(jì)和超本低噪聲電子器件提供皮米級(jí)穩(wěn)定性和亞納米（或亞納米弧度）本底噪聲。

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