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半導(dǎo)體未來風(fēng)向如何,功率IGBT又應(yīng)用于什么行業(yè)。

武漢開瑞電氣有限公司 ? 2022-04-21 14:45 ? 次閱讀
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2020年下半年開始全球疫情帶來的居家隔離和遠(yuǎn)程辦公的需求催生了PC和服務(wù)器的強(qiáng)勁需求,同時(shí)“雙碳”政策下電動(dòng)車和光伏發(fā)電領(lǐng)域?qū)τ诠β拾雽?dǎo)體的需求井噴,但是海外大廠受到疫情影響產(chǎn)能供給嚴(yán)重不足,因此拉開了這一輪功率半導(dǎo)體的漲價(jià)行情,預(yù)計(jì)2021年行業(yè)增速超過30%。
不同于市場擔(dān)憂的功率半導(dǎo)體行業(yè)景氣度開始向下,據(jù)我們測算,即使新增供給開出,行業(yè)整體供需仍處于緊平衡。
行業(yè)內(nèi)部供給結(jié)構(gòu)開始進(jìn)行調(diào)整,預(yù)計(jì)消費(fèi)類相關(guān)功率芯片由于供給逐步恢復(fù)價(jià)格會(huì)有所回落,但是車規(guī)MOSFET和小信號(hào)產(chǎn)品由于海外廠商減產(chǎn)轉(zhuǎn)移至IGBT和SiC仍處于供不應(yīng)求,IGBT在電動(dòng)車和光伏、風(fēng)電等新能源需求驅(qū)動(dòng)下仍然景氣度非常高,所以我們判斷2022年功率半導(dǎo)體行業(yè)雖然細(xì)分賽道有所分化,但是行業(yè)景氣度總體仍然向上。
電動(dòng)車大時(shí)代:IGBT
廠商IDM為王
在新能源汽車和光伏、風(fēng)電等清潔能源的需求推動(dòng)下,此輪功率半導(dǎo)體新周期最受益的是以IGBT為代表的中高壓功率器件,預(yù)計(jì)國內(nèi)車規(guī)IGBT/SiC模塊市場規(guī)模在2025年將達(dá)到300億元人民幣左右,如果考慮光伏逆變器帶來的100億左右增量需求和工業(yè)領(lǐng)域的存量需求,預(yù)計(jì)2025年國內(nèi)IGBT為代表的中高壓功率半導(dǎo)體市場規(guī)模將增至600億元左右。
2022年預(yù)計(jì)全球新增IGBT供給不足6萬片/月,而且海外大廠英飛凌安森美的交期仍在在一年左右,行業(yè)供給仍然非常緊張。
國內(nèi)IGBT芯片廠商如時(shí)代電氣、士蘭微的IGBT產(chǎn)能已經(jīng)投產(chǎn),下游客戶驗(yàn)證已經(jīng)大部分完成,預(yù)計(jì)2022年國內(nèi)IGBT廠商的國產(chǎn)化替代進(jìn)程將提速,我們認(rèn)為具有IDM產(chǎn)能優(yōu)勢的廠商在車規(guī)IGBT領(lǐng)域優(yōu)勢更加明顯,能夠同時(shí)保證較快的產(chǎn)品迭代速度和較短的產(chǎn)品交付周期。
碳化硅新世界:襯底成為
產(chǎn)業(yè)鏈最重要的環(huán)節(jié)
功率半導(dǎo)體作為電子電力控制的關(guān)鍵器件,技術(shù)持續(xù)提升的方向在于單位電壓的安培容量,不斷提高輸出效率,采用碳化硅襯底制作的功率器件相對(duì)于硅基而言具備天然優(yōu)勢,導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗都大幅降低,提升了逆變效率。
碳化硅基器件的價(jià)值量最大的環(huán)節(jié)在于襯底,由于碳化硅襯底的長晶速度減慢,良率非常依賴工藝積累,所以在襯底資源已經(jīng)成為SiC時(shí)代的核心資源。
我們認(rèn)為在SiC功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,對(duì)于器件廠綜合競爭力的要求已經(jīng)從設(shè)計(jì)、制造和封測一體化延伸至上游襯底材料的全產(chǎn)業(yè)鏈把控,目前全球范圍內(nèi)的襯底爭奪戰(zhàn)基本結(jié)束,未來國內(nèi)功率器件廠商對(duì)于襯底資源的掌控將成為碳化硅新世界的核心競爭力,建議關(guān)注即將登陸科創(chuàng)板的國內(nèi)SiC襯底龍頭廠商天岳先進(jìn)。
物聯(lián)網(wǎng)驅(qū)動(dòng)的電動(dòng)化和智能化帶來功率半導(dǎo)體新周期
物聯(lián)網(wǎng)驅(qū)動(dòng)的電動(dòng)化和智能化
帶來功率半導(dǎo)體新周期
復(fù)盤2020-2021年功率半導(dǎo)體周期:漲價(jià)與隱憂。
2019年底開啟的5G手機(jī)滲透率提升成為整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)需求動(dòng)能的來源,市場對(duì)于5G手機(jī)在未來幾年的強(qiáng)勁增長充滿信心,但是進(jìn)入2020年全球范圍內(nèi)出現(xiàn)新冠疫情,5G手機(jī)的需求爆發(fā)被按下了暫停鍵。
隨著疫情的進(jìn)一步發(fā)展,居家辦公帶來了遠(yuǎn)程服務(wù)器的巨量需求,沉寂十年的筆電市場迎來大幅增長,同時(shí)雙碳政策推動(dòng)下,國內(nèi)電動(dòng)車的高速發(fā)展進(jìn)一步刺激了對(duì)于功率半導(dǎo)體的需求。
在需求端一片向好的增長趨勢下,芯片供給端由于受到疫情的影響大幅縮水,全球功率半導(dǎo)體封測重鎮(zhèn)馬來西亞無限期封城無疑對(duì)功率半導(dǎo)體行業(yè)雪上加霜。
2020年疫情以來筆記本出貨創(chuàng)近十年新高:

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由于功率半導(dǎo)體供需錯(cuò)配,本來產(chǎn)品價(jià)格較低的功率器件在晶圓廠產(chǎn)能供給的優(yōu)先權(quán)就比較低,晶圓產(chǎn)能供給緊張的時(shí)候代工和封測成本端大幅上升,各大功率半導(dǎo)體廠商紛紛大幅上調(diào)產(chǎn)品價(jià)格,預(yù)計(jì)行業(yè)平均價(jià)格漲幅超過20%,部分產(chǎn)品甚至價(jià)格上漲了7-8倍。
根據(jù)我們對(duì)于2020-2021年這一輪周期的復(fù)盤,行業(yè)平均毛利率在2021年Q3創(chuàng)近十年歷史新高,行業(yè)接近29%的增速高點(diǎn)也遠(yuǎn)超上一輪周期的增速高點(diǎn)。
但是瘋漲的功率半導(dǎo)體行情也讓市場對(duì)于2022年的價(jià)格回調(diào)壓力充滿擔(dān)憂,大家對(duì)于2018年Q4開始的下行周期中價(jià)格下跌的慘烈仍歷歷在目,尤其是消費(fèi)類相關(guān)的功率半導(dǎo)體價(jià)格,2022年跌價(jià)壓力較大。
2014-2021年功率半導(dǎo)體行業(yè)周期:

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功率半導(dǎo)體下游應(yīng)用全面開花,電動(dòng)車
和光伏/風(fēng)電新能源領(lǐng)域需求激增
在全球分立器件的下游需求中汽車占比最高,達(dá)到35%左右,國內(nèi)市場中汽車行業(yè)對(duì)于分立器件的用量占比為27%。
MOSFETs為代表的中低壓分立器件廣泛應(yīng)用于汽車的電動(dòng)天窗、雨刮器、安全氣囊、后視鏡等領(lǐng)域,純電汽車的車載充電機(jī)(OBC)、DC-DC轉(zhuǎn)換器對(duì)于MOSFETs的需求進(jìn)一步增加。
另外汽車車燈轉(zhuǎn)為LED大燈以后,MOSFETs的需求量從原來每個(gè)車燈需要1顆增加至18顆,很多造車新勢力熱衷的車頂和側(cè)邊漸變玻璃對(duì)于MOSFETs的需求也在增長。
傳統(tǒng)燃油車中僅有少量的IGBT單管用于發(fā)動(dòng)機(jī)點(diǎn)火器,純電汽車的動(dòng)力系統(tǒng)轉(zhuǎn)為電池以后,IGBT模塊成為電驅(qū)系統(tǒng)中逆變器的標(biāo)配,此外新能源汽車在車載充電機(jī)(OBC)、DC-DC升壓器、電空調(diào)驅(qū)動(dòng)也需要用到IGBT單管。
根據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈調(diào)研與我們測算,四驅(qū)版本的純電車型前后雙電機(jī)各需要18顆IGBT,車載充電機(jī)需要4顆,電動(dòng)空調(diào)8顆,合計(jì)一臺(tái)電動(dòng)車需要48顆IGBT芯片。
單車用到的MOSFETs和IGBTs:
根據(jù)StrategyAnalytics測算,傳統(tǒng)燃油車功率半導(dǎo)體用量僅為71美元,48V輕混車型功率半導(dǎo)體價(jià)值量增值至90美元,而純電車型的功率半導(dǎo)體用量增幅高達(dá)364%,大幅上漲至330美元。
2020年混動(dòng)和純電車型單車半導(dǎo)體價(jià)值量分布:

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雙碳政策下,以光伏和風(fēng)電為代表的新能源發(fā)電的裝機(jī)量大幅增長,太陽能發(fā)電中DC-DC直流轉(zhuǎn)換器和光伏逆變器均需要用到IGBT作為功率開關(guān)。
其中逆變器的效率很大程度上取決于設(shè)計(jì)使用的元器件,元器件的性能可以由功率損耗來衡量,功率損耗分為導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗。
相較于MOSFETs而言,IGBT適用于較低開關(guān)頻率和大電流的應(yīng)用,大電流下IGBT的導(dǎo)通損耗比MOSFET更低,MOSFET有能力滿足高頻、小電流的應(yīng)用,具有更低的開關(guān)損耗,更適合開關(guān)頻率在100KHz以上的逆變器模塊。
從逆變器類別來看,由于微型及單相逆變器功率較小,一般采用IGBT單管方案為主,高功率三相逆變器則采用IGBT模塊,低功率三相逆變器則兩種方案都有采用。
目前集中式光伏逆變器成本在0.16-0.17元/W,組串式光伏逆變器成本在0.2元/W左右,總體光伏逆變器成本在0.2元/w,IGBT模塊占光伏逆變器的成本比例約為15%,每GW對(duì)應(yīng)功率半導(dǎo)體的價(jià)值量約為0.3億-0.4億元。
光伏中用到的MOSFETs和IGBTs:

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除了電動(dòng)車和光伏發(fā)電兩大驅(qū)動(dòng)力以外,智能家居中也大量用到功率半導(dǎo)體的分立器件,比如多功能掃地機(jī)器人
在一個(gè)掃地機(jī)中,可能會(huì)有不同的部分用到這樣的功率分立器件:無線充電電池管理系統(tǒng)、音頻放大器、吸塵器、清潔系統(tǒng)電機(jī)控制、移動(dòng)電機(jī)控制等,由于功能不同,所需要的MOS也不盡相同,大約在2-6顆不等。
掃地機(jī)用到的功率半導(dǎo)體:

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功率半導(dǎo)體行業(yè)
競爭格局
全球功率半導(dǎo)體行業(yè)市場規(guī)模在2019年達(dá)到464億美元,相較于上一輪高景氣周期的2018年同比下滑3.53%:
2020年和2021年在疫情影響全球進(jìn)入“居家辦公模式”,服務(wù)器和PC的強(qiáng)勁復(fù)蘇疊加高景氣的電動(dòng)車和新能源發(fā)電需求刺激,功率半導(dǎo)體行業(yè)迎來拐點(diǎn)。
SIA預(yù)計(jì)2021年全球半導(dǎo)體的銷售額將達(dá)到5530億美元,創(chuàng)下新高,同比增長25.6%,全球功率半導(dǎo)體龍頭廠商英飛凌Infineon,恩智浦NXP,意法半導(dǎo)體STM,安森美ONsemi,2021年前三季度分別成長32.5%,31.43%,31.8%和28.5%,我們預(yù)計(jì)全球功率半導(dǎo)體的行業(yè)增速預(yù)計(jì)在2021年有望達(dá)到30%,市場規(guī)模將接近600億美元。
從全球功率半導(dǎo)體分立器件需求結(jié)構(gòu)來看,汽車是需求最大的領(lǐng)域,占比達(dá)到35%,其次是工業(yè)和消費(fèi)電子領(lǐng)域,需求占比分別為27%和13%。
全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模:

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全球功率半導(dǎo)體分立器件需求結(jié)構(gòu):

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從產(chǎn)品形態(tài)分類,功率半導(dǎo)體可以分為分立器件、模組和功率IC三大類別,一類是分立器件指單管,即1顆芯片加上封裝外殼,第二類是模塊,把幾個(gè)單管和特定功能的電路封裝在一起構(gòu)成模塊,第三類就是功率IC,包括交流直流轉(zhuǎn)換器AC/DC,直流-直流轉(zhuǎn)換器DC/DC,電源管理IC和驅(qū)動(dòng)IC。
2019年分立器件/模組與功率IC的市場規(guī)模分別為224億和240億美元,其中英飛凌是分立器件和模組市場當(dāng)之無愧的全球龍頭,市占率高達(dá)19%,美國功率半導(dǎo)體大廠安森美市占率為8.4%,功率IC市場占有率最高的是德州儀器TI,市場份額為16%,其次是英飛凌和ADI,占比分別為7.7%和7.2%。
2019年全球分立器件與模組市場競爭格局:

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2019年全球功率IC市場競爭格局:

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根據(jù)Omdia的統(tǒng)計(jì),2019年國內(nèi)功率半導(dǎo)體市場規(guī)模約為177億美元,約占全球市場需求的38%,2020年隨著半導(dǎo)體行業(yè)復(fù)蘇進(jìn)入新一輪高增長周期。
目前國內(nèi)功率半導(dǎo)體分立器件廠商營收規(guī)模最大的是聞泰科技收購的安世半導(dǎo)體,2020年?duì)I收達(dá)到96.4億元人民幣,2021年大幅成長53.3%,功率半導(dǎo)體營收增至147.8億元。
我國本土IDM廠商中功率半導(dǎo)體營收規(guī)模最大的廠商是華潤微電子,2020年公司功率半導(dǎo)體營收達(dá)到28億元,預(yù)計(jì)2021年?duì)I收同比增長49.3%,超過41億元人民幣。
Fab-less模式為代表的MOSFET廠商無錫新潔能和IGBT模組廠商嘉興斯達(dá)半導(dǎo)在2021年實(shí)現(xiàn)了更快的成長,2021年?duì)I收兩者預(yù)計(jì)將分別大增64.8%和71.6%。
前十大國內(nèi)功率半導(dǎo)體廠商2021年?duì)I收規(guī)模合計(jì)達(dá)到362.5億元,同比成長57.4%,相較于國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)
2021年前三季度16.1%的成長速度,顯示了功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)超預(yù)期的復(fù)蘇態(tài)勢。

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    <b class='flag-5'>功率</b>器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十一)——<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>器件的<b class='flag-5'>功率</b>端子

    求問帖!靜電消除器在電子半導(dǎo)體領(lǐng)域的具體應(yīng)用與需求!

    回復(fù)都將對(duì)我產(chǎn)生極大的幫助,也為我未來更好地服務(wù)于電子半導(dǎo)體行業(yè)奠定堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。感謝您的關(guān)注與支持! 祝工作順利,事業(yè)蒸蒸日上!
    發(fā)表于 12-26 10:25

    RIGOL IGBT雙脈沖測試應(yīng)用案例介紹

    )及全控型(IGBT、MOSFET 為主)。其中IGBT(絕緣柵雙極晶體管)被廣泛應(yīng)用于中、高電壓及大電流場合的功率半導(dǎo)體器件。它綜合了 M
    的頭像 發(fā)表于 11-24 15:02 ?1025次閱讀
    RIGOL <b class='flag-5'>IGBT</b>雙脈沖測試應(yīng)用案例介紹

    igbt功率管型號(hào)參數(shù)意義

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。IG
    的頭像 發(fā)表于 08-08 09:11 ?3645次閱讀

    igbt功率管發(fā)熱什么原因

    IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體器件,具有高電壓、大電流、高頻率等特點(diǎn)。然而,在實(shí)際應(yīng)用過程中,IGBT
    的頭像 發(fā)表于 08-07 15:40 ?3521次閱讀

    一文看懂功率半導(dǎo)體-IGBT

    共讀好書 文章大綱 IGBT是電子電力行業(yè)的“CPU” ? ? ?? · IGBT功率器件中的“結(jié)晶” ? ? ? ?· IGBT技術(shù)不斷
    的頭像 發(fā)表于 07-21 17:43 ?2212次閱讀
    一文看懂<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>-<b class='flag-5'>IGBT</b>