chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

一文讀懂電控系統(tǒng)核心——功率半導(dǎo)體IGBT模塊

智聯(lián)微 ? 2025-09-10 18:04 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

前言

功率半導(dǎo)體器件作為現(xiàn)代電子技術(shù)不可或缺的一部分,在電力轉(zhuǎn)換和控制中起著核心作用。而IGBT模塊作為其中一個極其高效、聽話且力量巨大的”電能開關(guān)“被廣泛應(yīng)用于多個領(lǐng)域,是現(xiàn)代工業(yè)社會從“用電”邁向“智電”的關(guān)鍵基石。




01什么是IGBT模塊



IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)模塊是當(dāng)今功率電子領(lǐng)域的“核心執(zhí)行者”,被譽為電力電子行業(yè)的“CPU”。您可以把它想象成一個“超級功率開關(guān)”的集成包。它將多個IGBT芯片與續(xù)流二極管芯片(FWD)通過特定電路拓撲集成封裝在一起,形成的一個高性能、高可靠性的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品。其和單管的區(qū)別在于,IGBT單管是一個獨立的器件,功率較??;而模塊將多個芯片并聯(lián),功率更大、散熱更好、可靠性更高,適用于工業(yè)級和能源級應(yīng)用。因此,不能將其視為簡單芯片的堆砌,而是一個復(fù)雜的系統(tǒng)。其中,第七代IGBT模塊采用先進的溝槽柵+場截止技術(shù),在導(dǎo)通損耗、電流密度與可靠性上實現(xiàn)全面升級,進一步拓展了功率半導(dǎo)體的應(yīng)用邊界。






02主要功能和結(jié)構(gòu)


核心功能:

IGBT模塊其最根本的用途是高效、精準(zhǔn)地控制和管理電能,特別是在高壓、大電流的條件下,能高效、快速地導(dǎo)通好和關(guān)斷電流,實現(xiàn)電能的轉(zhuǎn)換與控制(如直流變交流、交流變直流、改變電壓頻率等),是電控系統(tǒng)的“動力中樞”。

IGBT模塊主要實現(xiàn)以下幾種電能變換形式:

交換類型

功能描述

形象類比

典型應(yīng)用

直流→交流(逆變)

將電池或整流器來的直流電,轉(zhuǎn)換成所需頻率和電壓的交流電

“翻譯官”:把直流電的“語言”翻譯成交流電機的“語言”給交流電機“聽”。變頻空調(diào)、光伏逆變器新能源汽車驅(qū)動、變頻器

交流→直流(整流)

將交流電轉(zhuǎn)換成平滑的直流電。

“整理員”:把方向交替變化的交流電“整理”成方向單一的直流電。工業(yè)變頻器內(nèi)部的整流單元(常與逆變集成)

直流→直流(變壓)

將一種電壓的直流電轉(zhuǎn)換成另一種電壓的直流電

“變壓器”(用于直流):例如將汽車電池的高電壓降低為車載電器的低電壓。新能源汽車的DC-DC變換器、開關(guān)電源

交流→交流(變頻)

改變交流電的頻率和電壓

“調(diào)速器”:直接改變交流電機的供電頻率,從而精確控制器轉(zhuǎn)速。變頻器、高鐵牽引系統(tǒng)、工業(yè)伺服驅(qū)動

內(nèi)部結(jié)構(gòu)和封裝:

IGBT模塊結(jié)合了MOSFET(金屬氧化物場效應(yīng)管)的高輸入阻抗和BJT(雙極型三極管)的低導(dǎo)通壓降優(yōu)點,兼具電壓控制、驅(qū)動功率小、耐壓高、電流大等特性。而第七代IGBT模塊制造技術(shù)采用溝槽柵+場截止技術(shù),相比前代實現(xiàn)了三大關(guān)鍵升級:

①低損耗:導(dǎo)通壓降(Vce (sat))低至1.7V,開關(guān)損耗降低30%以上,能源轉(zhuǎn)換效率顯著提升;


②高電流密度:芯片pitch值(相鄰單元中心點間距)縮小至1.4微米,相同封裝尺寸下電流承載能力提升20%;


③高可靠性:支持10μs短路耐受時間(VGE=15V、VCC≤600V時),過載溫度可達175℃,適應(yīng)復(fù)雜工業(yè)環(huán)境。


一個典型的IGBT模塊結(jié)構(gòu)如下圖所示:

79101950-8e2d-11f0-8ce9-92fbcf53809c.jpg

其主要組成部分和封裝技術(shù)包括:

① 芯片(Die):核心,即第七代微溝槽場截止型IGBT芯片和二極管芯片。


② DBC基板(Direct Bonded Copper):覆蓋在銅底板上的陶瓷片(常用AI2O3或AIN),上下兩面覆銅。它起到電器絕緣和導(dǎo)熱橋梁的關(guān)鍵作用。


③ 銅底板(Beseplate):模塊的機械支撐和主要散熱通道。


④ 鍵合線(Bonding Wires):通常為粗鋁線,連接芯片電極與外部端子,承擔(dān)大電流。鍵合技術(shù)和線材質(zhì)量直接影響模塊的壽命和可靠性。先進技術(shù)如銅線鍵合、超聲鍵合和雙面冷卻(SLC)技術(shù)可以顯著提升性能。


⑤ 端子(Terminals):包括主電路端子(如直流輸入+/-,交流輸出U/V/W)和驅(qū)動控制端子(柵極)。


⑥ 外殼與硅凝膠:塑料外殼提供保護,內(nèi)部的硅凝膠則用于防潮、絕緣、抑制放電和緩沖應(yīng)力。





03

https://www.chiplinkstech.com/


03應(yīng)用場景



IGBT模塊是“電能高效利用”的核心載體,廣泛應(yīng)用于各個需要大功率轉(zhuǎn)換與控制的場景,下面主要介紹商用炒菜機場景應(yīng)用

在商用炒菜機領(lǐng)域中,配備了IGBT模塊的炒菜機能夠?qū)崿F(xiàn)高頻、無極、精準(zhǔn)的功率調(diào)節(jié)。對于炒菜機應(yīng)用,如果是普通機械開關(guān)(繼電器):無法高頻開關(guān),反應(yīng)慢,只能進行簡單的通斷,會導(dǎo)致溫度劇烈波動,而且頻繁開關(guān)容易燒蝕損壞;如果是普通MOSFET:雖然開關(guān)頻率高,但在高壓大電流場合下?lián)p耗巨大,容易過熱燒毀。而IGBT模塊天生為高壓、大電流、高頻開關(guān)的應(yīng)用而設(shè)計。它能夠輕松承受炒菜機的工作電壓和電流,自身發(fā)熱可控。使用IGBT模塊,能幫助現(xiàn)代炒菜機實現(xiàn)質(zhì)的飛躍。


在炒菜機中,IGBT模塊主要可應(yīng)用于兩種加熱方式的電源板上:

①電磁加熱式炒菜機:其原理類似電磁爐,IGBT模塊是電磁線圈的驅(qū)動核心,負責(zé)產(chǎn)生高頻交變磁場,使鍋體自身發(fā)熱。這是最高效的方式。

電阻加熱式炒菜機:鍋底是發(fā)熱盤或發(fā)熱管,IGBT模塊作為發(fā)熱盤的功率控制開關(guān),通過調(diào)節(jié)其通電時間來控溫。

總而言之,IGBT模塊能在炒菜機中扮演“智能火力控制系統(tǒng)”的核心角色,能幫助其實現(xiàn)精準(zhǔn)的“炒、燜、蒸、煮”等復(fù)雜烹飪火候。


其他應(yīng)用場景:

工業(yè)控制:如變頻器、伺服驅(qū)動器

② 新能源汽車:如電控系統(tǒng)(主驅(qū)動逆變器)、直流變換器(DC-DC)等。

③ 可再生能源發(fā)電:如光伏逆變器、風(fēng)力發(fā)電交流器等。

④智能家電:如變頻空調(diào)、變頻冰箱、變頻洗衣機等。



04實際產(chǎn)品介紹



下面以金蘭功率半導(dǎo)體幾款產(chǎn)品為實例進行介紹:

JL3I200V65RE2PN:此款I(lǐng)GBT模塊為650V/200A INPC三電平逆變模塊,采用溝槽柵場終止技術(shù)IGBT7芯片,帶熱敏電阻(NTC)和可選PressFIT壓接針腳技術(shù)。

793d44f2-8e2d-11f0-8ce9-92fbcf53809c.png

其產(chǎn)品特點為:

優(yōu)異的導(dǎo)通和開關(guān)損耗
同類最佳封裝,優(yōu)化外殼結(jié)構(gòu),更長的爬電距離
采用ZTA基板,更低的結(jié)殼熱阻,更強的可靠性
模塊雜散電感極低;優(yōu)化接線端子,在大電流下更低的端子溫升
可選PressFIT針腳和焊接針

其具備出色的模塊效率,能顯著提高功率密度和系統(tǒng)效率,緊湊型的設(shè)計,使系統(tǒng)成本更具優(yōu)勢。此款I(lǐng)GBT模塊推薦用于有源電力濾波器Active Power Filter,簡稱APF)及其他三電平應(yīng)用。APF可廣泛應(yīng)用于工業(yè)、商業(yè)和機關(guān)團體的配電網(wǎng)中,如:電力系統(tǒng)、電解電鍍企業(yè)、水處理設(shè)備、石化企業(yè)、大型商場及辦公大樓、精密電子企業(yè)、機場港口的供電系統(tǒng)、醫(yī)療機構(gòu)等。


JLHF800B120RD3E7DN:該款產(chǎn)品是金蘭LD3封裝模塊中的一個典型產(chǎn)品,該產(chǎn)品為半橋拓撲,并內(nèi)置熱敏電阻(NTC)。該產(chǎn)品采用AMB(Si3N4)陶瓷基板,具有較高的熱導(dǎo)率、更好的可靠性;芯片采用第七代IGBT,實現(xiàn)了更高的功率密度和更低的功率損耗。該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于儲能、光伏逆變、工業(yè)變頻、電動汽車等領(lǐng)域。

79645664-8e2d-11f0-8ce9-92fbcf53809c.png

其產(chǎn)品特點為:

全溫度范圍Vce耐壓大于1200V
飽和壓降低至1.7V,更低的導(dǎo)通損耗,卓越的開關(guān)損耗
10μs的短路時間
除常規(guī)可靠性項目外,還可以通過1000小時常溫反偏阻斷實驗(100%Vce,RTRB)
采用AMB(Si3N4)陶瓷基板,較常規(guī)基板熱阻降低25%以上
采用AMB(Si3N4)陶瓷基板,耐高低溫沖擊能力提高8倍以上
優(yōu)化外殼結(jié)構(gòu),更長的爬電距離
優(yōu)化接線端子,在大電流下更低的端子溫升


JLFF100B65RN2E7SN:該產(chǎn)品是金蘭推出的一款LN2封裝IGBT模塊,集成NCE第7代溝槽/場截止型IGBT、發(fā)射極控制二極管(Emitter Controlled Diode)及NTC溫度傳感器,主打高可靠性與高效能,適用于中高壓功率轉(zhuǎn)換場景。

7975cf2a-8e2d-11f0-8ce9-92fbcf53809c.png

其產(chǎn)品特點為:

采用低VCE (sat)溝槽IGBT技術(shù),導(dǎo)通損耗低,能源轉(zhuǎn)換效率高;VCE (sat)具備正溫度系數(shù),便于多模塊并聯(lián)使用。
具備10μs短路耐受能力(VGE=15V、VCC≤600V、Tj≤150℃時,短路電流ISCL typ=500A),抗過載能力強。
支持最高 175℃過載工作溫度(常規(guī)工作溫度 - 40~150℃),適應(yīng)復(fù)雜工業(yè)環(huán)境。
采用銅基板(Copper Base Plate)與低電感外殼,散熱性能優(yōu)異,同時降低寄生電感對開關(guān)性能的影響。
集成NTC溫度傳感器(25℃時額定電阻R25 typ=5.0kΩ,B值穩(wěn)定),可實時監(jiān)測模塊溫度,保障安全運行。
絕緣測試電壓V_ISOL=2.5kV RMS(50Hz,60s),內(nèi)部采用Al?O?基本絕緣(符合IEC 61140 Class 1標(biāo)準(zhǔn))。
端子到散熱片的爬電距離10.0mm、電氣間隙7.5mm,comparative tracking index(CTI)>200,電氣安全性高。

該產(chǎn)品根據(jù)特性,可適用于需要中高壓、高可靠功率控制的場景,包括:電機驅(qū)動領(lǐng)域:工業(yè)電機、伺服電機的變頻驅(qū)動系統(tǒng);新能源相關(guān)領(lǐng)域:光伏逆變器、儲能變流器;工業(yè)電源領(lǐng)域:隔離式DC-DC/AC-DC電源、UPS(不間斷電源);其他領(lǐng)域:大功率變頻器、焊接設(shè)備等功率轉(zhuǎn)換設(shè)備;等等。






0

05結(jié)語




域發(fā)揮

IGBT模塊是現(xiàn)代電控系統(tǒng)的“肌肉和骨骼”,它承上啟下:連接了微小的控制信號(信號端)和強大的動力執(zhí)行(能源端),將微小的控制信號轉(zhuǎn)化為強大的電力驅(qū)動;它高效節(jié)能:其自身的損耗遠低于傳統(tǒng)的機械開關(guān)或舊式功率器件,極大地提高了能源利用效率;它精準(zhǔn)控制:實現(xiàn)了對電能的形式、頻率、電壓的精準(zhǔn)控制,從而實現(xiàn)了設(shè)備的智能化運行。簡單來說,凡是需要高效處理、轉(zhuǎn)換和控制大功率電能的地方,幾乎都離不開IBGT模塊。

未來,IGBT 模塊將向“更低損耗(如寬禁帶半導(dǎo)體結(jié)合)、更高集成度(集成驅(qū)動與保護電路)、更優(yōu)成本”方向發(fā)展,進一步鞏固其在功率電子領(lǐng)域的核心地位。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • IGBT
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1284

    文章

    4171

    瀏覽量

    258479
  • 電控系統(tǒng)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    149

    瀏覽量

    16627
  • 功率半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    23

    文章

    1371

    瀏覽量

    44812
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    從零了解電控IGBT模塊

    驅(qū)動部分最核心的元件IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor絕緣柵雙極型晶體管芯片)。從零了解汽車電控IGBT模塊
    的頭像 發(fā)表于 11-20 16:44 ?2491次閱讀
    從零了解<b class='flag-5'>電控</b><b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>模塊</b>

    【基礎(chǔ)知識】功率半導(dǎo)體器件的簡介

    電子制造業(yè)的核心器件之,還獨立成為電子電力學(xué)科。作為制造業(yè)大國,功率半導(dǎo)體器件在中國大陸的工業(yè)、消費、軍事等領(lǐng)域都有著廣泛應(yīng)用,具有很高的戰(zhàn)略地位。
    發(fā)表于 02-26 17:04

    功率半導(dǎo)體模塊的發(fā)展趨勢如何?

    功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(功率MOSFET,常簡寫為功率MOS)、絕緣柵
    發(fā)表于 04-07 09:00

    半導(dǎo)體技術(shù)如何改進電控天線SWaP-C

    減小這些解決方案的尺寸、重量和功率。本文將簡要介紹現(xiàn)有的天線解決方案以及電控天線的優(yōu)勢所在。在此基礎(chǔ)上,本文將介紹半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展如何幫助實現(xiàn)改進電控天線SWaP-C這
    發(fā)表于 01-20 07:11

    國內(nèi)最大車規(guī)IGBT廠商 比亞迪半導(dǎo)體將分拆至創(chuàng)業(yè)板

    的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售。事實上,比亞迪半導(dǎo)體,目前在國內(nèi)已經(jīng)處于龍頭地位。網(wǎng)絡(luò)公開資料顯示,比亞迪半導(dǎo)體是國內(nèi)最大的IDM車規(guī)級IGBT廠商,旗下車規(guī)級IGBT是新能源汽車
    發(fā)表于 05-14 20:17

    全球功率半導(dǎo)體市場格局:MOSFET與IGBT模塊

    所在各類半導(dǎo)體功率器件中,未來增長強勁的產(chǎn)品將是 MOSFET 與 IGBT 模塊。目前,全球功率半導(dǎo)體
    發(fā)表于 11-11 11:50

    三菱電機推出新功率半導(dǎo)體模塊

    三菱電機推出新功率半導(dǎo)體模塊 三菱電機株式會社推出新功率
    發(fā)表于 03-24 18:01 ?1442次閱讀

    賽米控推出最新MiniSKiiP IGBT功率半導(dǎo)體模塊

    賽米控推出其最新的MiniSKiiP IGBT功率半導(dǎo)體模塊,該模塊目前也可提供三電平拓撲結(jié)構(gòu)。與競爭對手的產(chǎn)品相比,新
    發(fā)表于 05-06 08:34 ?1194次閱讀

    IGBT場效應(yīng)半導(dǎo)體功率器件導(dǎo)論免費下載

    IGBT場效應(yīng)半導(dǎo)體功率器件導(dǎo)論》以新半導(dǎo)體功率器件I
    發(fā)表于 11-09 18:03 ?0次下載
    <b class='flag-5'>IGBT</b>場效應(yīng)<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>功率</b>器件導(dǎo)論免費下載

    功率半導(dǎo)體器件:IGBT模塊和IPM模塊的定義及區(qū)別

    IGBT模塊(Insulated Gate Bipolar Transistor Module)是種集成了多個IGBT芯片、驅(qū)動電路、保護電路等功能的
    發(fā)表于 10-27 11:40 ?8323次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>器件:<b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>模塊</b>和IPM<b class='flag-5'>模塊</b>的定義及區(qū)別

    讀懂何為IGBT

    IGBT(絕緣柵雙極晶體管)作為種高效能的功率半導(dǎo)體元件,在能源轉(zhuǎn)換和控制領(lǐng)域的作用日益凸顯。01作為能量轉(zhuǎn)換與管理的核心
    的頭像 發(fā)表于 03-12 15:34 ?5190次閱讀
    <b class='flag-5'>一</b><b class='flag-5'>文</b><b class='flag-5'>讀懂</b>何為<b class='flag-5'>IGBT</b>

    意法半導(dǎo)體新能源功率器件解決方案

    在《意法半導(dǎo)體新能源功率解決方案:從產(chǎn)品到應(yīng)用,讀懂(上篇)》文章中,我們著重介紹了ST新能源功率
    的頭像 發(fā)表于 02-07 10:38 ?1304次閱讀
    意法<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>新能源<b class='flag-5'>功率</b>器件解決方案

    碳化硅VS硅基IGBT:誰才是功率半導(dǎo)體之王?

    半導(dǎo)體技術(shù)的不斷演進中,功率半導(dǎo)體器件作為電力電子系統(tǒng)核心組件,其性能與成本直接影響著整個系統(tǒng)
    的頭像 發(fā)表于 04-02 10:59 ?4337次閱讀
    碳化硅VS硅基<b class='flag-5'>IGBT</b>:誰才是<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>之王?

    功率半導(dǎo)體器件IGBT模塊:PPS注塑加工案例

    IGBT模塊種重要的功率半導(dǎo)體器件,具有結(jié)構(gòu)簡單、容量大、損耗低等優(yōu)點,被廣泛應(yīng)用于各種高功率
    的頭像 發(fā)表于 04-16 08:06 ?828次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>器件<b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>模塊</b>:PPS注塑加工案例

    讀懂電控系統(tǒng)核心——功率半導(dǎo)體IGBT模塊

    功率半導(dǎo)體器件作為現(xiàn)代電子技術(shù)不可或缺的部分,在電力轉(zhuǎn)換和控制中起著核心作用。本文將簡單講解何為功率
    的頭像 發(fā)表于 09-10 17:57 ?740次閱讀
    <b class='flag-5'>一</b><b class='flag-5'>文</b><b class='flag-5'>讀懂</b><b class='flag-5'>電控</b><b class='flag-5'>系統(tǒng)</b><b class='flag-5'>核心</b>——<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>模塊</b>