一、引言
碳化硅外延片作為功率半導(dǎo)體器件的核心材料,其總厚度偏差(TTV)是衡量產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo),直接影響器件的性能與可靠性 。外延片的 TTV 厚度受多種因素影響,其中生長工藝參
發(fā)表于 09-18 14:44
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碳化硅是第三代半導(dǎo)體典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有著高擊穿場(chǎng)強(qiáng)和高熱導(dǎo)率的優(yōu)勢(shì),在高壓、高頻、大功率的場(chǎng)景下更適用。碳化硅的晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,哪怕是在超過300℃的高溫環(huán)境下,打破了傳統(tǒng)材料下
發(fā)表于 08-27 16:17
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01襯底碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料中氮化鎵、碳化硅應(yīng)用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料,經(jīng)過晶體生長、晶錠加工、切割、研磨、拋光
發(fā)表于 07-15 15:00
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隨著全球?qū)G色能源和高效能電子設(shè)備的需求不斷增加,寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸進(jìn)入了人們的視野。其中,碳化硅(SiC)因其出色的性能而受到廣泛關(guān)注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動(dòng)汽車等領(lǐng)域的應(yīng)用不斷拓展,成為現(xiàn)代電子
發(fā)表于 04-21 17:55
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在現(xiàn)代電子技術(shù)飛速發(fā)展的背景下,功率器件的性能和效率面臨著越來越高的要求。碳化硅(SiC)作為一種新興的寬禁帶半導(dǎo)體材料,憑借其優(yōu)異的電氣特性和熱性能,逐漸成為功率電子器件領(lǐng)域的熱門選
發(fā)表于 04-09 18:02
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隨著全球能源需求的快速增長和對(duì)可再生能源的重視,電力電子技術(shù)正經(jīng)歷著前所未有的變革。在這一過程中,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的寬禁帶半導(dǎo)體材料,憑借其優(yōu)越的性能,正在逐步取代
發(fā)表于 02-25 13:50
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器件設(shè)計(jì)公司正在加速被市場(chǎng)拋棄:碳化硅功率器件設(shè)計(jì)公司出現(xiàn)倒閉潮,這是是市場(chǎng)集中化的必然結(jié)果。結(jié)合英飛凌、安森美等企業(yè)的業(yè)務(wù)動(dòng)態(tài),可從以下維度分析這一趨勢(shì): 1. 技術(shù)壁壘與產(chǎn)能競(jìng)賽:
發(fā)表于 02-24 14:04
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多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應(yīng)性、制造優(yōu)勢(shì)和多樣的沉積技術(shù)而著稱;而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫
發(fā)表于 02-05 13:49
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碳化硅(SiC)作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,因其出色的物理和化學(xué)特性,如高硬度、高熔點(diǎn)、高熱導(dǎo)率和化學(xué)穩(wěn)定性,在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中得到了廣泛的應(yīng)用。SiC襯底是制造高性能SiC器件的關(guān)鍵材料,其生產(chǎn)過程復(fù)雜
發(fā)表于 02-03 14:21
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碳化硅(SiC)功率器件因其低內(nèi)阻、高耐壓、高頻率和高結(jié)溫等優(yōu)異特性,在電力電子系統(tǒng)中得到了廣泛關(guān)注和應(yīng)用。然而,要充分發(fā)揮SiC器件的性能,封裝技術(shù)至關(guān)重要。本文將詳細(xì)解析
發(fā)表于 02-03 14:21
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。 碳化硅的主要缺陷類型 微管缺陷 :微管是碳化硅晶體生長過程中最常見的缺陷之一,它們會(huì)形成垂直于晶體生長方向的空管,影響電子器件的電導(dǎo)率和
發(fā)表于 01-24 09:17
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隨著電力電子技術(shù)的不斷進(jìn)步,碳化硅MOSFET因其高效的開關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化層對(duì)
發(fā)表于 01-04 12:37
隨著碳化硅(SiC)材料在電力電子、航空航天、新能源汽車等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,高質(zhì)量、大面積的SiC外延生長技術(shù)變得尤為重要。8英寸SiC晶圓作為當(dāng)前及未來一段時(shí)間內(nèi)的主流尺寸,其外延
發(fā)表于 12-31 15:04
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能源轉(zhuǎn)換、電力傳輸和電動(dòng)汽車等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。本文將介紹碳化硅功率器件的基本原理和特點(diǎn),并探討其在能源轉(zhuǎn)換中的創(chuàng)新應(yīng)用,引領(lǐng)高效能源轉(zhuǎn)換的未來之光。
發(fā)表于 12-04 10:49
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碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的能源轉(zhuǎn)換技術(shù),因其優(yōu)異的性能在能源領(lǐng)域受到了廣泛的關(guān)注。本文將介紹碳化硅功率器件的
發(fā)表于 10-30 15:04
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評(píng)論