8.1.1 夾斷電壓
8.1 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)
第8章單極型功率開(kāi)關(guān)器件
《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》


聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
晶體管
+關(guān)注
關(guān)注
78文章
10439瀏覽量
148610
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
探索BSS123 N溝道邏輯電平增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
溝道邏輯電平增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管,它在低電壓、低電流應(yīng)用中表現(xiàn)出色。 文件下載: BSS123-D.PDF 一、產(chǎn)品概述 BSS123采用安森美專有的高單元密度DMOS技術(shù)制造。這種技術(shù)
玩轉(zhuǎn)N溝道邏輯電平增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管BSS138
玩轉(zhuǎn)N溝道邏輯電平增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管BSS138 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,場(chǎng)效應(yīng)晶體管的選擇和應(yīng)用至關(guān)重要。今天,我們就來(lái)深入探討 onsemi 公司的 N 溝道邏輯電平增強(qiáng)型
深入解析 onsemi BSS84 P 溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
場(chǎng)效應(yīng)晶體管,看看它有哪些獨(dú)特之處以及在實(shí)際應(yīng)用中如何發(fā)揮作用。 文件下載: BSS84-D.PDF 一、產(chǎn)品概述 BSS84 是 onsemi 采用專有高單元密度 DMOS 技術(shù)生產(chǎn)的 P 溝道增強(qiáng)型
深入解析 onsemi FDT457N N 溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
DMOS 技術(shù)生產(chǎn)的 N 溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管。這種高密度工藝專門(mén)用于最小化導(dǎo)通電阻,并提供出色的開(kāi)關(guān)性能。
探索 onsemi NDC7002N 雙 N 溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管,看看它在實(shí)際應(yīng)用中能為我們帶來(lái)哪些優(yōu)勢(shì)。 文件下載: NDC7002N-D.PDF 產(chǎn)品概述 NDC7002N 采用 onsemi 專有的高單元密度 DMOS 技術(shù)制造。這項(xiàng)
深入解析 NDS0605 P 溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。這款晶體管在低電壓、低電流的應(yīng)用場(chǎng)景中表現(xiàn)卓越,下面我們就來(lái)詳細(xì)了解它的各項(xiàng)特性。 文件下載: NDS0605-D.PDF 一、產(chǎn)品概述 NDS0605 采用 onsemi 專有的高密度 DMOS
深入解析NDS331N:N溝道邏輯電平增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
場(chǎng)效應(yīng)晶體管——NDS331N,看看它在實(shí)際應(yīng)用中能為我們帶來(lái)哪些優(yōu)勢(shì)。 文件下載: NDS331N-D.PDF 產(chǎn)品概述 NDS331N是一款采用安森美半導(dǎo)體專有、高單元密度DMOS技術(shù)生產(chǎn)的N溝道邏輯電平增強(qiáng)型功率
深入解析NDS332P:P溝道邏輯電平增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
的NDS332P,這是一款P溝道邏輯電平增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管,專門(mén)為滿足低電壓應(yīng)用的需求而設(shè)計(jì)。 文件下載: NDS332P-D.PDF 產(chǎn)品概述 NDS332P采用了安森美專有的高密度DMOS技術(shù),這種
深入解析NDT014 N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
場(chǎng)效應(yīng)晶體管,詳細(xì)分析其特性、參數(shù)及應(yīng)用場(chǎng)景。 文件下載: NDT014-D.pdf 一、產(chǎn)品概述 NDT014是一款采用仙童專有高單元密度DMOS技術(shù)生產(chǎn)的功率SOT N溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)
onsemi 的 NDS9945 雙 N 通道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)解析
onsemi 的 NDS9945 雙 N 通道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)解析 在電子工程領(lǐng)域,高性能的場(chǎng)效應(yīng)晶體管是眾多電路設(shè)計(jì)的核心元件。今天我們要詳細(xì)介紹 onsemi 公司的 NDS
onsemi NDT3055 N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)解析
onsemi NDT3055 N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)解析 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)是不可或缺的基礎(chǔ)元件。今天我們來(lái)深入探討 onsemi 公司的 NDT3055 N
onsemi UF3N120007K4S SiC JFET晶體管的特性與應(yīng)用解析
在電子工程領(lǐng)域,功率半導(dǎo)體器件的性能對(duì)電路設(shè)計(jì)和系統(tǒng)性能有著至關(guān)重要的影響。今天,我們來(lái)詳細(xì)探討一下安森美(onsemi)的UF3N120007K4S碳化硅(SiC)結(jié)型
無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件的發(fā)展歷程
2010年,愛(ài)爾蘭 Tyndall 國(guó)家研究所的J.P.Colinge 等人成功研制了三柵無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,器件結(jié)構(gòu)如圖1.15所示。從此,半導(dǎo)體界興起了一股研究無(wú)結(jié)
無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管詳解
當(dāng)代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢(shì)壘結(jié)所構(gòu)成:雙極結(jié)型晶體管(BJT)包含兩個(gè)背靠背的PN 結(jié)
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)解析
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Junction Field-Effect Transistor, JFET)是在同一塊 N型半導(dǎo)體上制作兩個(gè)高摻雜的P區(qū)
8.1 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》
評(píng)論