聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
晶體管
+關注
關注
78文章
10232瀏覽量
146175
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
onsemi UF3N120007K4S SiC JFET晶體管的特性與應用解析
在電子工程領域,功率半導體器件的性能對電路設計和系統(tǒng)性能有著至關重要的影響。今天,我們來詳細探討一下安森美(onsemi)的UF3N120007K4S碳化硅(SiC)結型
無結場效應晶體管器件的發(fā)展歷程
2010年,愛爾蘭 Tyndall 國家研究所的J.P.Colinge 等人成功研制了三柵無結場效應晶體管,器件結構如圖1.15所示。從此,半導體界興起了一股研究無結
LT1541SIJ P溝道增強型場效應晶體管數(shù)據(jù)表
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1541SIJ P溝道增強型場效應晶體管數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 03-07 11:33
?1次下載
LT1756SJ N溝道增強型場效應晶體管規(guī)格書
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1756SJ N溝道增強型場效應晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 03-05 17:29
?0次下載
LT1729SI P溝道增強型場效應晶體管規(guī)格書
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1729SI P溝道增強型場效應晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 03-04 18:05
?0次下載
LT1728SJ P溝道增強型場效應晶體管規(guī)格書
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1728SJ P溝道增強型場效應晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 03-04 18:02
?0次下載
LT1725SI P溝道增強型場效應晶體管規(guī)格書
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1725SI P溝道增強型場效應晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 03-04 16:32
?0次下載
互補場效應晶體管的結構和作用
隨著半導體技術不斷逼近物理極限,傳統(tǒng)的平面晶體管(Planar FET)、鰭式場效應晶體管(FinFET)從平面晶體管到FinFET的演變,乃至全環(huán)繞柵或圍柵(GAA
一文解析現(xiàn)代場效應晶體管(FET)的發(fā)明先驅(qū)
菲爾德(Julius Edgar Lilienfeld)的一項專利中就已顯現(xiàn)。 盡管利利恩菲爾德從未制造出實物原型,但他在推動半導體技術未來突破方面發(fā)揮了決定性作用。他1925年申請的專利被廣泛認為是世界上第一個場效應晶體管(幾乎所有電子設備的關鍵組件)的理論概念
安森美完成對Qorvo碳化硅JFET技術的收購
安森美 (onsemi) 宣布已完成以1.15億美元現(xiàn)金收購Qorvo碳化硅結型場效應晶體管(SiC JFET)
安森美宣布將收購碳化硅結型場效應晶體管技術
安森美宣布與Qorvo達成協(xié)議,以1.15億美元現(xiàn)金收購其碳化硅結型場效應晶體管(SiC JFET)技術
安森美1.15億美元收購Qorvo碳化硅JFET技術業(yè)務
近日,安森美半導體公司宣布了一項重要的收購計劃,以1.15億美元現(xiàn)金收購Qorvo的碳化硅結型場效應晶體管(SiC JFET)

8.1 結型場效應晶體管(JFET)∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》


評論