兆易創(chuàng)新宣布，推出GD25WDxxK6 SPI NOR Flash產(chǎn)品系列，采用1.2mm×1.2mm USON6超小型塑封封裝，最大厚度僅為0.4mm，在如此緊湊、輕薄的空間內(nèi)，其功耗、電壓范圍等方面均實現(xiàn)了進(jìn)一步提升，為消費(fèi)電子、可穿戴設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)以及便攜式健康監(jiān)測設(shè)備等對電池壽命和緊湊型設(shè)計有著嚴(yán)苛需求的應(yīng)用提供了理想選擇。

如今，隨著5G、物聯(lián)網(wǎng)、AI等技術(shù)的不斷迭代，在筆記本攝像頭、智能遙控器、智能健康手環(huán)等采用電池供電的應(yīng)用場景中，兆易創(chuàng)新對“小而精”的追求從未停止，這對應(yīng)用其中的存儲產(chǎn)品提出了更高的要求。

一方面，需要提供足夠的代碼存儲空間來滿足設(shè)備正常運(yùn)行需求；

另一方面，也需要在尺寸和功耗方面追求精益求精，以適應(yīng)電子設(shè)備日益小型化的趨勢。

針對這一市場需求，兆易創(chuàng)新推出的GD25WDxxK6 SPI NOR Flash產(chǎn)品系列采用僅為1.2mm×1.2mm的超小型USON6封裝，相比于前一代1.5mm×1.5mm USON8封裝產(chǎn)品，縮小了高達(dá)36%的占板面積，為空間受限的產(chǎn)品提供了更大的設(shè)計自由度。

在低功耗設(shè)計方面，兆易創(chuàng)新將GD25WDxxK6系列的功耗控制在極低水平內(nèi)，在待機(jī)狀態(tài)下，電流僅為0.1μA，可顯著延長電子設(shè)備的電池壽命。

此外，為滿足便攜式電子產(chǎn)品的存儲需求，GD25WDxxK6提供單通道、雙通道SPI模式，具有1.65V~3.6V寬電壓工作范圍，支持512Kb~4Mb不同容量的選擇，最高時鐘頻率可達(dá)104MHz，擁有10萬次的擦寫壽命，數(shù)據(jù)有效保存期限可達(dá)20年，且全系列支持-40℃~85℃, -40℃~105℃, -40℃~125℃溫度范圍。

兆易創(chuàng)新存儲事業(yè)部執(zhí)行總監(jiān)陳暉先生表示：

“隨著萬物互聯(lián)時代下的數(shù)據(jù)狂潮席卷而來，電子設(shè)備對于存儲產(chǎn)品不斷發(fā)出挑戰(zhàn)，而兆易創(chuàng)新要做的就是從挑戰(zhàn)中尋求突破。此次推出的1.2mm×1.2mm的超小型USON6 GD25WDxxK6 SPI NOR Flash，在方寸之間實現(xiàn)了優(yōu)異性能。從小尺寸到低功耗，兆易創(chuàng)新從用戶需求出發(fā)，不斷推陳出新，再次將我們‘創(chuàng)新’的DNA發(fā)揮得淋漓極致。”

目前兆易創(chuàng)新GD25WDxxK6系列中512Kb~1Mb容量產(chǎn)品已全面量產(chǎn)；2Mb~4Mb容量產(chǎn)品可提供樣片，預(yù)計在8月中旬實現(xiàn)量產(chǎn)，感興趣的可以點擊文末的“閱讀原文”聯(lián)系我們。

原文轉(zhuǎn)自兆易創(chuàng)新GigaDevice