11月14日，兆易創(chuàng)新（GigaDevice）新一代GD5F1GM9 SPI NAND Flash產品在2025年“中國芯”集成電路產業(yè)促進大會暨第二十屆“中國芯”優(yōu)秀產品征集活動發(fā)布儀式上，榮獲“優(yōu)秀技術創(chuàng)新產品”獎。這一獎項充分肯定了兆易創(chuàng)新在存儲芯片領域的技術實力與創(chuàng)新能力。

本屆“中國芯”大會以“芯生萬物，智算無界”為主題，在珠海橫琴天沐琴臺會議中心舉行。作為國內集成電路領域最具影響力的行業(yè)評選之一，“中國芯”優(yōu)秀產品評選活動自2006年啟動以來，始終致力于推動中國芯片技術與應用的結合，已成為產業(yè)發(fā)展的“風向標”。本屆評選共收到來自303家企業(yè)的410款產品報名，參選數(shù)量再創(chuàng)新高，產品覆蓋領域廣泛，競爭尤為激烈。

兆易創(chuàng)新此次獲獎的GD5F1GM9產品是一款基于24nm工藝打造的高性能QSPI NAND Flash。該系列支持3V與1.8V工作電壓，以及Continuous read、Cache Read、Auto Load Next Page等多種高速讀取模式，為用戶提供了靈活的組合設計方案。

與傳統(tǒng)的SPI NAND Flash相比，GD5F1GM9系列在關鍵指標上實現(xiàn)質的飛躍。其采用復雜ECC算法的并行計算方式，解決了傳統(tǒng)串行計算方式帶來的延遲問題，大幅提升糾錯效率。在性能表現(xiàn)上，同等工作頻率讀取速度達到主流SPI NAND產品的2～3倍，能夠為用戶帶來極致的性能體驗。其新增的壞塊管理（BBM）功能?？纱_保前256個Block均為出廠好塊，并可有效應對使用過程中產生的新增壞塊問題，極大減小了標準SPI NAND Flash在可靠性方面的風險。多重優(yōu)勢使得該系列成為安防監(jiān)控、工業(yè)控制、IoT設備等快啟應用的理想選擇。

GD5F1GM9系列SPI NAND Flash的推出是兆易創(chuàng)新不斷突破技術邊界、以創(chuàng)新驅動發(fā)展的又一例證。未來，兆易創(chuàng)新將繼續(xù)錨定全球存儲技術前沿，緊密圍繞客戶需求，打造更多具有競爭力的存儲解決方案，賦能千行百業(yè)的數(shù)字化變革。