之前我們寫(xiě)過(guò)文章說(shuō)明了CS創(chuàng)世 SD NAND與eMMC，TF卡，Raw nand等產(chǎn)品的對(duì)比。今天給大家聊聊CS創(chuàng)世 SD NAND 與SPI NAND的對(duì)比。
這兩個(gè)產(chǎn)品外觀看起來(lái)類似孿生兄弟：感興趣的朋友們可以找雷龍發(fā)展申請(qǐng)免費(fèi)樣品測(cè)試哦~~

都是6*8mm大小，SD NAND是LGA-8封裝，SPI NAND是WSON-8封裝。它們有哪些異同點(diǎn)呢？
一， 相同點(diǎn)：
1.1 內(nèi)部材質(zhì)
主流基本都使用的是SLC NAND Flash晶圓，擦寫(xiě)壽命5~10W次
1.2 封裝大小
主流尺寸都是6*8mm，8pin腳
二， 不同點(diǎn)：
2.1接口不同
SD NAND正常接CPU的SDIO使用，有些平臺(tái)也支持SD NAND接SPI接口（但讀寫(xiě)速度可能會(huì)變慢）； SPI NAND接SPI接口, 接SDIO則無(wú)法正常使用。
2.2驅(qū)動(dòng)程序
基本上主流CPU平臺(tái)都自帶SDIO的驅(qū)動(dòng)，因此SD NAND不需要用戶額外寫(xiě)驅(qū)動(dòng);另外SD NAND內(nèi)置了針對(duì)NAND Flash的EDC/ECC，壞塊管理，平均讀寫(xiě)，垃圾回收等算法。針對(duì)NAND Flash的管理完全做好了；而SPI NAND主要是做協(xié)議的轉(zhuǎn)換，從并口轉(zhuǎn)為SPI接口，有部分廠商產(chǎn)品內(nèi)置了EDC/ECC算法，但其他管理機(jī)制未包含在內(nèi)。從而導(dǎo)致了用戶在使用SPI NAND時(shí)還是要寫(xiě)驅(qū)動(dòng)程序。
2.3讀寫(xiě)速度
由于接口和協(xié)議的差異，兩者的速度差異比較大。SD NAND走的是4-bit傳輸帶寬，讀寫(xiě)速度相比SPI NAND要快很多，最高寫(xiě)入速度可以達(dá)到Class 10級(jí)別；而SPI NAND 主流還是1-bit傳輸模式，讀寫(xiě)速度要慢很多。
2.4穩(wěn)定度
SD NAND由于內(nèi)置了全套管理算法，在穩(wěn)定度方面會(huì)好很多。特別是針對(duì)掉電保護(hù)這塊。例如CS創(chuàng)世 SD NAND二代通過(guò)了客戶10K次的隨機(jī)掉電測(cè)試。而SPI NAND跟Raw NAND 都“繼承”了NAND Flash先擦后寫(xiě)機(jī)制帶來(lái)的弊端，在寫(xiě)入數(shù)據(jù)的時(shí)候突然掉電很容易丟失數(shù)據(jù)。
整體來(lái)看SD NAND是一個(gè)集成了完整NAND Flash算法的Total Solution，而SPI NAND主要是完成協(xié)議的轉(zhuǎn)換，內(nèi)置的算法并不完整。
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