電動(dòng)汽車的電動(dòng)機(jī)是有源負(fù)載,其轉(zhuǎn)速范圍很寬,且在行駛過程中需要頻繁地加速和減速,工作條件比一般的調(diào)速系統(tǒng)要復(fù)雜,因此,其驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)是決定電動(dòng)汽車性能的關(guān)鍵所在。
隨著電動(dòng)汽車的發(fā)展,對電力電子功率驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)提出了更高的要求,即更輕、更緊湊、更高效、更可靠,本文重點(diǎn)提到基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET B1M160120HC助力車載充電器實(shí)現(xiàn)更快充電和更遠(yuǎn)的續(xù)航里程。
B1M160120HC主要用于用于電動(dòng)汽車的車載充電和高壓DCDC轉(zhuǎn)換,可提高能效并縮短電動(dòng)汽車的充電時(shí)間,器件專用于大功率車載充電器,其更低的導(dǎo)通電阻使得碳化硅電力電子器件具有更小的導(dǎo)通損耗,從而能獲得更高的整機(jī)效率;以下是B1M160120HC的主要應(yīng)用優(yōu)勢:
1、B1M160120HC具有導(dǎo)通電阻低、開關(guān)損耗小的特點(diǎn),可降低器件損耗,提升系統(tǒng)效率,更適合應(yīng)用于高頻電路。
2、B1M160120HC具有超低內(nèi)阻,可在大功率應(yīng)用中降低模塊的冷卻要求。
3、B1M160120HC的結(jié)溫范圍為-55°~150°,即使在具挑戰(zhàn)性的、空間受限的汽車應(yīng)用中也能確??煽啃?。
4、B1M160120HC可完全替代科銳C2M0160120D,提供TO-247-3封裝。

綜上基本半導(dǎo)體的碳化硅MOSFET B1M160120HC完全可以用于車載充電器的汽車功率模塊設(shè)計(jì)方案,國芯思辰擁有完整的供應(yīng)鏈和全面設(shè)計(jì)支持,可以提供優(yōu)良的碳化硅產(chǎn)品,該產(chǎn)品價(jià)格也非常有優(yōu)勢。
注:如涉及作品版權(quán)問題,請聯(lián)系刪除。
-
充電
+關(guān)注
關(guān)注
23文章
1428瀏覽量
98510 -
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
151文章
9661瀏覽量
233481 -
車載充電器
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
270瀏覽量
24972 -
國芯思辰
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
1184瀏覽量
2374
發(fā)布評(píng)論請先 登錄
B3M系列碳化硅MOSFET在高效高防護(hù)戶儲(chǔ)逆變器中的應(yīng)用
深度解析SiC碳化硅MOSFET功率模塊并聯(lián)技術(shù):交錯(cuò)與硬并聯(lián)
SiC碳化硅MOSFET功率半導(dǎo)體銷售培訓(xùn)手冊:電源拓?fù)渑c解析
簡單認(rèn)識(shí)博世碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)品
碳化硅 (SiC) MOSFET 分立器件與功率模塊規(guī)格書深度解析與應(yīng)用指南
EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREE
基本股份SiC功率模塊的兩電平全碳化硅混合逆變器解決方案
基本碳化硅B3M040120Z在40KW充電樁電源模塊中的應(yīng)用優(yōu)勢分析
碳化硅MOSFET全橋模塊在出口型高端逆變焊機(jī)中的應(yīng)用技術(shù)優(yōu)勢
國產(chǎn)SiC碳化硅功率模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊的必然性
國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET在有源濾波器(APF)中的革新應(yīng)用
深度分析650V國產(chǎn)碳化硅MOSFET的產(chǎn)品力及替代高壓GaN器件的潛力
國芯思辰 |碳化硅MOSFET B1M160120HC用于車載充電的汽車功率模塊
評(píng)論