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國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET在有源濾波器(APF)中的革新應(yīng)用

楊茜 ? 來源:jf_33411244 ? 2025-05-10 13:38 ? 次閱讀

國產(chǎn)碳化硅MOSFET在有源濾波器(APF)中的革新應(yīng)用

——基本半導(dǎo)體SiC MOSFET技術(shù)解析

傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動芯片,SiC功率模塊驅(qū)動板,驅(qū)動IC)分銷商,聚焦新能源、交通電動化、數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,致力于服務(wù)中國工業(yè)電源,電力電子裝備及新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。

傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級!

傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然,勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭:

傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢!

傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和高壓平面硅MOSFET的必然趨勢!

傾佳電子楊茜跟住650V SiC碳化硅MOSFET單管全面取代SJ超結(jié)MOSFET和高壓GaN 器件的必然趨勢!

APF的核心挑戰(zhàn)與碳化硅的突破

有源電力濾波器(APF)作為現(xiàn)代電網(wǎng)諧波治理的關(guān)鍵設(shè)備,需在高頻、高功率密度下實現(xiàn)快速動態(tài)響應(yīng)。傳統(tǒng)硅基器件受限于開關(guān)損耗、導(dǎo)通電阻和溫度特性,難以滿足高效、緊湊化的需求。碳化硅(SiC)材料憑借其寬禁帶特性,以更低的導(dǎo)通損耗、更高的開關(guān)頻率和耐高溫能力,成為APF升級的顛覆性解決方案。

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基本半導(dǎo)體SiC MOSFET的四大核心優(yōu)勢

體積與重量大幅縮減

以Sinexcel APF機型為例,采用SiC MOSFET的P5機型相比傳統(tǒng)硅基P2機型,體積減少超50%,重量降低超40%。例如,150A機型高度從269mm降至100mm,重量從45kg降至25kg,顯著節(jié)省安裝空間與成本。

效率躍升至99%,損耗再創(chuàng)新低

SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻較低,結(jié)合更快的開關(guān)速度,整機效率突破99%,較傳統(tǒng)97%提升顯著。

以1200V/40mΩ的B3M040120Z為例,其FOM(RDS(ON)×QG)低至3400mΩ·nC,較國際競品(如C*** 3960mΩ·nC)損耗更低,高溫下性能更穩(wěn)定。

諧波補償性能全面提升

通過SiC器件的高頻特性(載頻達40kHz)與優(yōu)化算法,諧波補償率提升至97%,較行業(yè)平均87%高出10個百分點。輸出紋波電流衰減更優(yōu),有效抑制電網(wǎng)反向污染。

高溫可靠性卓越

SiC MOSFET在175℃結(jié)溫下仍保持低損耗特性。例如,B3M040120Z在125℃時導(dǎo)通電阻僅上升1.3倍,而傳統(tǒng)硅器件上升幅度超2倍,顯著延長設(shè)備壽命。

全鏈解決方案:從器件到系統(tǒng)

模塊化設(shè)計,靈活適配場景

基本半導(dǎo)體提供多樣化封裝(TO-247、TOLL、半橋模塊等),覆蓋5A至450A電流等級。例如,E2B系列模塊BMF240R12E2G3支持1200V/240A,RDS(ON)低至5.5mΩ,適用于150A APF主功率拓撲。

驅(qū)動與電源一體化方案

隔離驅(qū)動芯片BTD5350MCWR:集成米勒鉗位功能,抑制橋臂直通風(fēng)險,驅(qū)動峰值電流達10A,適配高頻開關(guān)需求。

輔助電源:支反激搭配1700V SiC MOSFET(如B2M600170H),輸出功率可達150W,滿足APF多路供電需求。

熱管理與封裝創(chuàng)新

采用Si3N4陶瓷基板(導(dǎo)熱率90W/mK,抗彎強度700N/mm2),較傳統(tǒng)Al?O?基板散熱性能提升3倍,通過1000次溫度沖擊無失效,保障模塊長期可靠性。

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實測與仿真驗證:性能對標國際

雙脈沖測試:B3M040120Z關(guān)斷損耗較上一代B2M降低4.7%,總損耗較競品C***低4%,高溫下優(yōu)勢更顯著。

APF系統(tǒng)仿真:在800V母線、40kHz載頻下,BMF240R12E2G3模塊于60℃散熱器環(huán)境中總損耗僅165W,結(jié)溫118℃,120%過載時仍穩(wěn)定運行,結(jié)溫低于安全閾值(175℃)。

碳化硅SiC開啟APF高效時代

基本半導(dǎo)體通過全鏈自主技術(shù),實現(xiàn)了SiC MOSFET在APF中的高性能、高可靠性應(yīng)用。從分立器件到模塊化方案,從驅(qū)動設(shè)計到熱管理創(chuàng)新,其產(chǎn)品不僅對標國際一線品牌,更以更優(yōu)的性價比助力客戶降本增效。未來,隨著SiC技術(shù)的持續(xù)突破,APF將在智能電網(wǎng)、新能源等領(lǐng)域發(fā)揮更大價值,而基本半導(dǎo)體正引領(lǐng)這一變革浪潮。

BASiC基本股份SiC碳化硅MOSFET單管及模塊一級代理商傾佳電子楊茜 微信&手機:13266663313

BASIC Semiconductor —— 碳化硅芯動力,賦能高效電力!

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