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中國車企下決“芯” 功率半導體全布局

qq876811522 ? 來源:汽勢傳媒 ? 2023-06-25 16:47 ? 次閱讀
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新能源汽車領域,中國汽車企業(yè)除了布局上游鋰資源領域和組建動力電池合資公司外,還將目光放在了上游半導體領域,布局車規(guī)級功率半導體生產和研發(fā)。

6 月 20 日,吉利孵化的功率半導體公司晶能微電子完成 A 輪融資,老股東高榕資本領投,吉利資本、廈門建發(fā)、春山資本、清控招商等機構跟投。完成 A 輪融資后,晶能微電子將按照既定目標,扎實推進功率半導體的設計研發(fā)、模塊制造和上車應用。

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晶能微電子成立于 2022 年 6 月,專注于新能源領域的芯片設計與模塊創(chuàng)新,擁有芯片設計、模塊制造、車規(guī)認證能力,能夠開發(fā)車規(guī)級 IGBT 芯片及模塊、SiC 器件、中低壓 MOSFET 等產品。

今年 3 月份,晶能微電子自主設計研發(fā)的首款車規(guī)級 IGBT 產品成功流片,該款 IGBT 芯片采用第七代微溝槽柵和場截止技術,通過優(yōu)化表面結構和 FS 結構,兼具短路耐受同時實現更低的導通 / 開關損耗,功率密度增大約 35%。兩個月后,專為新能源商用車動力總成系統(tǒng)打造的 1200V 平臺 IGBT 芯片已流片成功,為乘用車電控系統(tǒng)開發(fā)的 750V 平臺 IGBT 芯片已轉入量產階段。

無獨有偶,在車規(guī)級功率半導體領域布局的車企不止吉利一家。近日,深藍汽車與斯達半導體達成合作,雙方組建了一家名為 " 重慶安達半導體有限公司 " 的全新合資公司,雙方將圍繞車規(guī)級功率半導體模塊開展合作,共同推進下一代功率半導體在新能源汽車領域的商業(yè)化應用。

據斯達半導體 2022 年財報顯示,斯達半導體長期致力于新能源汽車功率半導體芯片和模塊的研發(fā)、生產和銷售,是國內新能源汽車大功率車規(guī)級功率模塊的主要供應商,2022 年全年斯達半導體車規(guī)級模塊配套超過 120 萬輛新能源汽車,其中 A 級及以上車型超過 60 萬輛。

此外,理想汽車在去年與三安半導體共同出資組建斯科半導體公司,專注于碳化硅功率模塊的開發(fā),規(guī)劃年產能 240 萬只碳化硅半橋功率模塊。早些年,上汽與英飛凌組建了上汽英飛凌,生產車規(guī)級 IGBT,東風汽車與中國中車組建智新半導體,投產以第六代 IGBT 技術為基礎 IGBT 模塊,IGBT 模塊將搭載于東風風神、嵐圖等自主品牌車型上。

在新能源汽車行業(yè)之中,IGBT 被應用在電機控制器、車載充電器(OBC)、車載空調以及直流充電樁中,能夠提供能源變換與傳輸,被稱之電力電子裝置的 "CPU"。

IGBT 功率半導體在新能源汽車上不僅用量較大,還是純電動汽車成本占比第二高的零部件。相關數據顯示,一輛新能源汽車大概需要使用超過 1200 顆芯片,其中功率半導體的占比接近 1/4。在成本上 IGBT 模塊在占整車成本的 7%-10% 左右,成本僅次于動力電池。

與此同時,IGBT 模塊還是 " 驅動 " 電機控制器的命脈,決定著純電動汽車的加速能力、最高時速、能源效率。因此,IGBT 模塊的技術升級也將對純電動汽車產品帶來實質性的升級。

目前,多數車企著手布局基于 SiC(碳化硅)制造的功率模塊,相較于 Si(硅)元素制造的 IGBT 芯片,SiC MOSFET 模塊具有耐高溫、耐高溫、低能量損耗優(yōu)點,能夠增加車輛續(xù)航里程,體積更小的 SiC MOSFET 模塊使得電控體積大幅度縮小,進而減輕整車重量。

功率半導體在新能源汽車產品之中的重要地位,使得車企無法忽視在這一領域布局。而隨著電動化轉型腳步加速和新能源汽車市場的高速增長,功率半導體作為產品的核心部件,穩(wěn)定且低成本的供應更為重要。

據 Strategy Analytics 數據統(tǒng)計,混合動力汽車中功率半導體的價值量達到 425 美元,是傳統(tǒng)燃油車的 6 倍;純電動汽車中的功率半導體價值量達 387 美元,是傳統(tǒng)燃油車的 5.5 倍。

功率半導體不僅僅是提高單車價值量,還存在供不應求現象。有數據顯示,2021 年中國 IGBT 供需缺口超過 1 億只。直到 2023 年,受到上游晶圓廠、封裝產能吃緊等因素影響,IGBT 依舊存在供應缺口,車規(guī) IGBT 產品供不應求,現有產能已基本售罄。

車企通過組建合資公司等方式合作布局功率半導體領域,不僅能夠確保功率模塊供應的安全穩(wěn)定和高性價比,還能夠提早布局下一代功率半導體的研發(fā),在純電動汽車市場競爭中形成一定優(yōu)勢。

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