磁敏電阻是什么

磁敏電阻是一種對磁敏感且有磁阻效應的電阻元件。磁場中物 質(zhì)電阻變化的現(xiàn)象稱為磁阻效應。磁阻通常由對磁敏感的半導體材料的半導體材料制成。半導體材料的磁阻效應包括物理磁阻效應和幾何磁阻效應，也稱為磁阻效應。當添加磁場的方向或強度發(fā)生變化時，磁敏電阻的電阻值會發(fā)生相應的變化。通過這種變化，磁場的相對位移可以準確測試。舉例來說，當長方形半導體InSb片沿長度方向有電流通過時，如果在與電流片垂直的寬度方向上施 加磁場，電阻率就會增加。

磁敏電阻的特性

1是磁阻效應原理；

2磁檢測具有較高的靈敏度；

3輸出信號幅值較大；

4.抗電磁干擾能力強；

5是分辨力高。

感應電阻的主要參數(shù)

1）磁阻比：指在特定的磁感應強度下，磁感應電阻的電阻值與零磁感應強度下的電阻值之比。

2）磁阻系數(shù)：指在特定的磁感應強度下，磁敏電阻的電阻值與其標稱電阻值之比。

3）磁阻敏感性：指在一定的磁感應強度下，磁感應電阻的電阻值隨磁感應強度的相對變化率而變化。

磁敏電阻的工作原理

磁敏材料可以通過磁阻效應將磁信號轉(zhuǎn)化為電信號。磁阻效應包括兩種現(xiàn)象：材料的電阻率隨磁場而變化，元件的電阻值隨磁場而變化。前一種效應叫做磁阻效應或物理磁阻效應，后一種叫做幾何磁阻效應。

磁性電阻材料主要是電子遷移率高的半導體材料，以及鐵鎳鈷合金。常見的半導體有InSb（或InSb-NiSb共晶材料）、砷化銦（InAs）和砷化鎵（GaAs），通常為N型。高純度InSb和InAs的電子轉(zhuǎn)移率分別為5.6~6.5m/（V·s）和2.0~2.5m/（V·s）。InSb禁止帶寬小，受溫度影響大。GaAs禁止帶寬大，電子轉(zhuǎn)移率也相當大0.8m/（V·s），溫度影響小，靈敏度也高。 鎳鈷合金和鎳鐵合金具有電阻溫度系數(shù)小、性能穩(wěn)定、靈敏度高、方向性強的特點，可用于磁阻檢測。

磁敏電阻、無觸點電位器、模擬操作器、 磁傳感器等。由半導體材料制成。用于測量、計算機、無線電和自動控制。半導體InSb-NiSb磁敏電阻用于磁場、電流、位移和功率測量以及模擬操作器。其電阻值為10ω~1kω，相對靈 敏度為6~18（B=1T），溫度系數(shù)為-2.9%~0.09%（1/℃）（B=1T），極限工作頻率為1~10兆赫。當測量小于0.01T的弱磁場時，必須附加到偏置磁場。

測量磁場方向、磁帶位置、測速或速度的測量與控制、非接觸開關等。電阻值為1，10，250kΩ，相對靈敏度超過2%（3&TImes；10T下），溫度系數(shù)為3000±500&TImes；10（1/℃），感應磁場為3&TImes；10T以上，工作溫度為-55~150℃。當檢測磁場反轉(zhuǎn)或可逆磁場以下的磁信號時，還應采用偏置磁場。