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帶隙基準(zhǔn)電壓模塊之EA offset影響分析

冬至子 ? 來源:Analog CMOS ? 作者:小彭 ? 2023-07-06 11:19 ? 次閱讀
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如圖2.2(a)是兩種常見的bg結(jié)構(gòu),對于這兩個(gè)bg模塊的輸出電壓誤差來源:

  • 60%來自于運(yùn)放的offset
  • 30%來自于prosess
  • 10%來自于mismatch(對于2.2(a)是R1和R2、2.2(b)指的是M1和M2)

以上為其電路設(shè)計(jì)師的經(jīng)驗(yàn)數(shù)據(jù),僅供參考。

圖片

EA的offset是影響bg誤差的主要因素,本文只計(jì)算EA的offset對bg的影響

對于圖 2.2(a)(忽略失調(diào)電壓給兩個(gè)三極管造成的電流誤差)

圖片

假設(shè) VBE 的溫度系數(shù)絕對值是 VT 溫度系數(shù)的 K 倍,也就是

圖片

式2.9就可以表示成:

圖片

對于圖 2.2(b)(忽略M1和M2電流鏡的電流誤差)

圖片

根據(jù)2.13和式2.11,可以得到結(jié)論(實(shí)際上是片面結(jié)論):

同樣的EAoffset,對bg的輸出電壓影響一樣(實(shí)際上是錯(cuò)誤的)

下面來分析并通過仿真證明錯(cuò)誤的

由于本系列文章沒有分析bg的工作原理所以在這里補(bǔ)充(如有需要?dú)g迎留 言):

bandgap電路的兩個(gè)主要前提條件是

  • 兩個(gè)pnp的電流完全相同
  • 運(yùn)放的輸入兩點(diǎn)也就是(a)圖的A點(diǎn)和B點(diǎn)電壓完全相同

對于(a)(b)兩幅圖

如果不考慮每路電流的失配, 運(yùn)放失調(diào)電壓的影響對于以上兩種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的影響是一樣的,如果考慮電流失配呢?直觀感受是 (a)圖的運(yùn)放除了運(yùn)放的角色,還擔(dān)任電流鏡的角色,所以(a)圖的運(yùn)放失配還會(huì)影響 BG 的溫度曲線。

仿真電路以及仿真結(jié)果:

圖片

在沒有手動(dòng)加入失調(diào)電壓Vos的時(shí)候,設(shè)置好兩幅圖的其他工作條件相同(工作點(diǎn)、系統(tǒng)誤差、pnp個(gè)數(shù)以及比例、并設(shè)置好電阻比例)

圖(a)

圖片

仿真結(jié)果

圖片

如果不考慮電流的失配,兩種結(jié)構(gòu)運(yùn)放的 Vos 對 bgv 的影響一樣,已經(jīng)通過計(jì)算證明。但要考慮圖 2.2(a)Vos 引起的電流失配, Vos 還會(huì)影響 bgv 的溫度曲線,如圖2.3 紅色的曲線,可知 2.2(a) Vos 對的 bgv 的影響較大,也會(huì)改變 bg 的溫度曲線。

失調(diào)電壓結(jié)論

圖 2.2(b) Vos 只對 bgv 的值有影響,沒有影響 bgv 的溫度曲線的形狀,圖 2.2(b), 不僅對 bgv 的值有影響,也影響了 bgv 的溫度曲線形狀。

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