傳統(tǒng)的帶隙電壓基準(zhǔn)源面積大、功耗大、不適應(yīng)低功耗小面積的要求。本文立足于低功耗、小面積、利用工作于弱反型區(qū)晶體管的特點(diǎn),對(duì)傳統(tǒng)的帶隙電壓基準(zhǔn)源做出改進(jìn),設(shè)計(jì)了一款
2011-10-09 11:22:04
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帶隙基準(zhǔn)廣泛應(yīng)用于模擬集成電路中。帶隙基準(zhǔn)電路輸出的基準(zhǔn)電壓可以為模擬集成電路提供穩(wěn)定的參考電壓或參考電流,
2023-07-06 10:42:01
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傳統(tǒng)的帶隙電壓基準(zhǔn)如圖1所示,雙極型晶體管基極-發(fā)射極電壓差ΔVBE具有正溫度系數(shù),而雙極型晶體管基極-發(fā)射極電壓VBE具有負(fù)溫度系數(shù),如果將兩個(gè)電壓進(jìn)行相加,理論上就可以通過設(shè)計(jì)合適的參數(shù)實(shí)現(xiàn)零溫度系數(shù)電壓,如圖2。具體可以參考拉扎維模集的第12章的內(nèi)容。
2023-12-15 15:47:27
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基準(zhǔn)電壓源是工藝、電源電壓、溫度變化時(shí)能夠提供穩(wěn)定輸出電壓的電路。基準(zhǔn)電壓源廣泛應(yīng)用于數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器、智能傳感器、電源轉(zhuǎn)換器等電路。
基準(zhǔn)電壓源設(shè)計(jì)的要點(diǎn)是精度高,溫度漂移小,帶隙基準(zhǔn)電壓源利用硅的帶隙
2023-09-08 17:56:48
穩(wěn)壓器、射頻電路、高精度A/D和D/A轉(zhuǎn)換器等多種集成電路中。隨著大規(guī)模集成電路的日益復(fù)雜和精密,亦對(duì)帶隙基準(zhǔn)電壓的溫度穩(wěn)定性提出了更高的要求。傳統(tǒng)的帶系基準(zhǔn)電壓源只能產(chǎn)生固定的近似1.2 V的電壓
2019-07-12 07:36:42
看了關(guān)于能帶隙基準(zhǔn)源的的介紹,其原理是利用了正溫度系數(shù)的電壓產(chǎn)生器和具有負(fù)溫度系數(shù)的電壓,從而得到具有零溫度系數(shù)的基準(zhǔn)電壓。
第一張圖是基本原理圖,用左邊電流控制右邊電流,但是書上說左右兩個(gè)晶體管
2024-01-27 11:56:26
大家好,我有一個(gè)問題,配置PIC18F85 J94ADC。在第22.3.2頁中,從PIC18F97 J95家庭數(shù)據(jù)表中得知,內(nèi)部帶隙基準(zhǔn)電壓可用于ADC正基準(zhǔn)電壓。然而,在寄存器描述中沒有提到這樣
2019-01-29 06:04:01
/℃,而且基準(zhǔn)電壓輸出精度高于5‰,是一種低溫度系數(shù)高精度的CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源。本文給出的帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計(jì)方案符合LDO穩(wěn)壓器對(duì)高精度電壓的所需。
2018-10-09 14:42:54
最近在做帶隙基準(zhǔn)源,用到AMP鉗位電壓,使倆點(diǎn)電壓一致,拉雜為沒講用到的AMP要有什么要求?但看到資料的電路基本都是單級(jí)AMP,想問下大大們,這個(gè)AMP鉗位電壓原理就是虛短虛斷么?(如果是要求增益應(yīng)該很大?。?,還有那些要求?第一次發(fā)帖,小弟先謝了。
2022-06-15 10:26:32
1,通過MS51FB9AE帶隙電壓(Band-gap)能反推出電源電壓,2,MS51FB9AE帶隙電壓(Band-gap)比較低,1.17V ~ 1.27內(nèi)3,如果我要偵測比較低的電壓(如50mV
2022-05-11 14:31:55
各位大神,請(qǐng)問有沒有做過cadence的CMOS帶隙基準(zhǔn)電路設(shè)計(jì),或者CMOS四運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)(LM324),求各位幫幫忙,我快山窮水盡了
2020-05-17 23:32:07
本文通過結(jié)合LDO與Brokaw基準(zhǔn)核心,設(shè)計(jì)出了高PSR的帶隙基準(zhǔn),此帶隙基準(zhǔn)輸出的1.186 V電壓的低頻PSR為-145 dB,最高PSR為-36 dB,溫漂可以達(dá)到7.5 ppm,適用于
2018-10-10 16:52:05
,溫度穩(wěn)定性和精度之間關(guān)系到整個(gè)電路的精確度和性能?! ‘?dāng)今設(shè)計(jì)的基準(zhǔn)電壓源大多數(shù)采用BJT帶隙基準(zhǔn)電壓源結(jié)構(gòu),以及利用MOS晶體管的亞閾特性產(chǎn)生基準(zhǔn)電壓源;然而,隨著深亞微米CMOS工藝的發(fā)展,尺寸按
2018-11-30 16:38:24
本文闡述了Banba 和Leung 兩種基本帶隙基準(zhǔn)電壓源電路的工作原理,分析了Leung結(jié)構(gòu)對(duì)于Banba 結(jié)構(gòu)改進(jìn)的方法,分別對(duì)兩個(gè)電路的參數(shù)進(jìn)行了設(shè)計(jì),并仿真其性能,由此來比較了
2009-03-11 17:28:36
70 提出了一種低壓低功耗的帶隙基準(zhǔn)電壓源電路,設(shè)計(jì)基于0.5μm 2P3M BiCMOS Process,并使用了低壓共源共柵電流鏡結(jié)構(gòu)減少了對(duì)電源電壓的依賴,消除了精度與余度之間的矛盾,并用HL50S-
2009-08-22 09:27:53
26 本文設(shè)計(jì)了采用曲率補(bǔ)償,具有較高的溫度穩(wěn)定性的高精度
帶隙基準(zhǔn)電壓源。設(shè)計(jì)中沒有使用運(yùn)算放大器,電路結(jié)構(gòu)簡單,且避免運(yùn)算放大器所帶來的高失調(diào)和必須補(bǔ)償?shù)娜毕?。?/div>
2009-08-31 11:29:44
26 設(shè)計(jì)了一種采用0.6μmCMOS工藝的低功耗差動(dòng)帶隙基準(zhǔn)電壓源電路。在設(shè)計(jì)中采用兩個(gè)pn結(jié)串聯(lián)結(jié)構(gòu)來減小運(yùn)放失調(diào)電壓的影響,并采用自偏置共源共
2009-09-04 08:57:34
30 高級(jí)基準(zhǔn)電壓Vbandgap IC設(shè)計(jì):在本文中,主要討論在CMOS 技術(shù)中基準(zhǔn)產(chǎn)生的設(shè)計(jì)著重于公認(rèn)的“帶隙”技術(shù),即是與電壓,溫度變化無關(guān)的基準(zhǔn)電壓。[關(guān)鍵詞]電壓基準(zhǔn),電流基
2009-11-01 14:35:44
34 一種抵消曲率系數(shù)的高精度低溫漂CMOS帶隙基準(zhǔn)的設(shè)計(jì):傳統(tǒng)的帶隙基準(zhǔn)使用PTAT電壓對(duì)三極管Vbe的溫度系數(shù)進(jìn)行線性補(bǔ)償來得到與溫度無關(guān)的基準(zhǔn)電壓,但由于忽略了Vbe的曲率系數(shù)
2009-12-21 10:15:46
20 電壓基準(zhǔn)是模擬集成電路的重要單元模塊,本文在0.35um BiCMOS 工藝下設(shè)計(jì)了一個(gè)帶隙基準(zhǔn)電壓源。仿真結(jié)果表明,該基準(zhǔn)源電路在典型情況下輸出電壓為1.16302V,在-45℃~105℃范圍
2010-01-11 11:42:05
31 本文提出了一種結(jié)構(gòu)簡單高電源抑制比的CMOS 帶隙基準(zhǔn)電壓源,供電電源3.3V。采用CSMC 0.5um CMOS 工藝。Spectre 仿真結(jié)果表明,基準(zhǔn)輸出電壓在溫度為-40~+80℃時(shí),溫度系數(shù)為45.53×10-6/
2010-01-11 14:20:43
27 采用二級(jí)溫度補(bǔ)償對(duì)傳統(tǒng)電流模式結(jié)構(gòu)的帶隙基準(zhǔn)電壓電路進(jìn)行改進(jìn),基于chartered 0.35um cmos工藝,使用cadence spectre進(jìn)行仿真,結(jié)果表明工作電壓為2v時(shí),電路可以輸出100mv—1.8v的寬范
2010-02-23 11:39:54
28 介紹了一種低壓電流模帶隙電壓基準(zhǔn)電路,并提出了一種新穎的啟動(dòng)電路結(jié)構(gòu).電路采用預(yù)先設(shè)置電路工作點(diǎn)和反饋控
2010-04-13 08:58:44
53 本文提出了一種結(jié)構(gòu)簡單高電源抑制比的CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源,供電電源3.3V。采用CSMC 0.5um CMOS工藝。Spectre仿真結(jié)果表明,基準(zhǔn)輸出電壓在溫度為-40~+80℃時(shí),溫度系數(shù)為45.53×10-6/℃
2010-07-14 16:14:36
41 在模擬電路和混合模擬電路中,帶隙基準(zhǔn)電路作為一個(gè)很重要的單元,隨著集成電路的發(fā)展和SOC系統(tǒng)的復(fù)雜化,已經(jīng)越來越受到國內(nèi)外學(xué)者的重視。本文簡單介紹了傳統(tǒng)的帶隙基準(zhǔn)源的
2010-07-29 15:48:34
21 在對(duì)傳統(tǒng)典型CMOS帶隙電壓基準(zhǔn)源電路分析基礎(chǔ)上提出了一種高精度,高電源抑制帶隙電壓基準(zhǔn)源。電路運(yùn)用帶隙溫度補(bǔ)償技術(shù),采用共源共柵電流鏡,兩級(jí)運(yùn)放輸出用于自身偏置電路
2010-08-03 10:51:34
0 摘要:采用共源共柵運(yùn)算放大器作為驅(qū)動(dòng),設(shè)計(jì)了一種高電源抑制比和低溫度系數(shù)的帶隙基準(zhǔn)電壓源電路,并在TSMC0.18Um CMOS工藝下,采用HSPICE進(jìn)行了仿真.仿真結(jié)果表明:在-25耀115益
2010-10-18 01:17:25
56 比較了傳統(tǒng)帶運(yùn)算放大器的帶隙基準(zhǔn)電壓源電路與采用曲率補(bǔ)償技術(shù)的改進(jìn)電路,設(shè)計(jì)了一種適合汽車電子使用的帶隙基準(zhǔn)電壓源,該設(shè)計(jì)電路基于上海貝嶺2 μm 40 V bipolar工藝,采
2010-12-22 17:22:15
23 基于工作在亞閾值區(qū)的MOS器件,運(yùn)用CMOS電流模基準(zhǔn)對(duì)CATA和PTAT電流求和的思想,提出一種具有低溫漂系數(shù)、高電源抑制比(PSRR)的CMOS電壓基準(zhǔn)源,該電路可同時(shí)提供多個(gè)輸出基準(zhǔn)電
2010-12-30 10:25:53
26 結(jié)合工作在亞閾值區(qū)、飽和區(qū)和線性區(qū)的MOS管,提出一種純MOS結(jié)構(gòu)的基準(zhǔn)電壓源,其結(jié)構(gòu)能有效補(bǔ)償MOS管的載流子遷移率和亞閾值斜率的溫度系數(shù)?;赟MIC0.13μm的CMOS工藝的仿真結(jié)
2011-01-04 16:17:31
31 低電壓帶隙基準(zhǔn)電壓源技術(shù)解決方案
本文采用一種低電壓帶隙基準(zhǔn)結(jié)構(gòu)。在TSMC0.13μm
2010-04-17 15:41:41
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14位Pipeline ADC設(shè)計(jì)的帶隙電壓基準(zhǔn)源技術(shù)
目前,基準(zhǔn)電壓源被廣泛應(yīng)用與高精度比較器,
2010-04-23 09:42:49
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低溫漂低功耗的帶隙基準(zhǔn)源技術(shù)設(shè)計(jì)
摘 要:設(shè)計(jì)一種低溫漂低功耗的帶隙基準(zhǔn)結(jié)構(gòu),在傳統(tǒng)帶隙基準(zhǔn)核心電路結(jié)構(gòu)上增加一對(duì)PNP管,兩個(gè)雙極型晶
2010-04-28 08:59:11
2206 
低壓CM0S帶隙基準(zhǔn)電壓源設(shè)計(jì)
近年來,隨著微電子技術(shù)的迅速發(fā)展,低壓低功耗已成為當(dāng)今電路設(shè)計(jì)的重要標(biāo)準(zhǔn)之一。比如,在一些使用電池的系統(tǒng)
2010-05-12 17:36:54
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引言
模擬電路中廣泛地包含電壓基準(zhǔn)(reference voltage)和電流基準(zhǔn)(current reference)。在數(shù)/模轉(zhuǎn)換器、模/數(shù)轉(zhuǎn)換器等電路中,基準(zhǔn)電壓的精度直接決定著這些電路的
2010-09-30 10:11:55
4573 
在模擬及數(shù)/模混合集成電路設(shè)計(jì)中,電壓基準(zhǔn)是非常重要的電路模塊之一,而通過巧妙設(shè)計(jì)的帶隙電壓基準(zhǔn)更是以其與電源電壓、工藝、溫度變化幾乎無關(guān)的特點(diǎn),廣泛應(yīng)用
2010-11-02 09:40:44
2712 
1、MC1403型基準(zhǔn)電壓源的應(yīng)用
MC1403是美國摩托羅拉公司生產(chǎn)的高準(zhǔn)確度、低溫漂、采用激光修正的帶隙
2010-12-09 13:58:21
3900 
低電壓高精度CMOS基準(zhǔn)電流源設(shè)計(jì)
2011-01-24 15:10:17
100 本文提出了一種新穎的曲率補(bǔ)償帶隙基準(zhǔn)結(jié)構(gòu)。通過3個(gè)具有不同溫度依賴性質(zhì)的電流的適當(dāng)疊加,從而產(chǎn)生一個(gè)具有極低溫度系數(shù)的參考電壓。
2011-05-09 09:20:47
2857 
基準(zhǔn)電壓源是集成電路系統(tǒng)中一個(gè)非常重要的構(gòu)成單元。結(jié)合近年來的設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn),首先給出了帶隙基準(zhǔn)源曲率產(chǎn)生的主要原因,而后介紹了在高性能CMOS 帶隙基準(zhǔn)電壓源中所廣泛采用的幾種
2011-05-25 14:52:44
34 帶隙基準(zhǔn)計(jì)算器(BGRC)是一個(gè)帶隙基準(zhǔn)電路的設(shè)計(jì)和分析。所有的電路參數(shù)和輸出電壓的計(jì)算結(jié)溫的功能。惠普? 50G計(jì)算器或免費(fèi)的PC模擬器,可以使用計(jì)算器
2011-08-10 10:13:33
2535 
基準(zhǔn)電壓源電路作為模擬集成電路不可缺少的模塊,對(duì)其進(jìn)行分析和研究具有重要意義。本文通過Hspice對(duì)四種MOS管基準(zhǔn)電壓源電路進(jìn)行仿真,給出了電路圖、電路參數(shù)和仿真結(jié)果。
2011-08-11 10:24:17
2383 
設(shè)計(jì)了一款帶隙基準(zhǔn)電壓源,在LTspice下畫出原理圖,產(chǎn)生網(wǎng)表后,在Hspice下仿真,結(jié)果表明,溫度系數(shù)為9.14×10-16℃,電源電壓在3~5 V之間變化時(shí),基準(zhǔn)電壓在43 mV以內(nèi)變化,滿足設(shè)計(jì)
2011-08-19 11:12:08
3485 文針對(duì)傳統(tǒng)基準(zhǔn)電壓的低PSR以及低輸出電壓的問題,通過采用LDO與帶隙基準(zhǔn)的混合設(shè)計(jì),并且采用BCD工藝,得到了一種可以輸出較高參考電壓的高PSR(電源抑制)帶隙基準(zhǔn)。
2011-08-23 10:28:08
4010 
基準(zhǔn)電壓源是集成電路系統(tǒng)中一個(gè)非常重要的構(gòu)成單元。結(jié)合近年來的設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn),首先給出了帶隙基準(zhǔn)源曲率產(chǎn)生的主要原因,而后介紹了在高性能CMOS 帶隙基準(zhǔn)電壓源中所廣泛采用的幾種
2011-09-27 14:30:52
58 在傳統(tǒng)正溫度系數(shù)電流基礎(chǔ)上,增加兩種不同材料的電阻以實(shí)現(xiàn)帶隙基準(zhǔn)的二階溫度補(bǔ)償,采用具有反饋偏置的折疊共源共柵運(yùn)算放大器,使得所設(shè)計(jì)的帶隙基準(zhǔn)電路,具有較高的精度和溫度
2012-02-13 15:31:13
54 本文介紹了基準(zhǔn)源的發(fā)展和基本工作原理以及目前較為常用的帶隙基準(zhǔn)源電路結(jié)構(gòu)。設(shè)計(jì)了一種基于Banba結(jié)構(gòu)的基準(zhǔn)源電路,重點(diǎn)對(duì)自啟動(dòng)電路及放大電路部分進(jìn)行了分析...
2012-05-24 15:18:29
79 在傳統(tǒng)帶隙基準(zhǔn)電壓源電路結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上,通過在運(yùn)放中引入增益提高級(jí),實(shí)現(xiàn)了一種用于音頻-A/D轉(zhuǎn)換器的CMOS帶隙電壓基準(zhǔn)源。在一階溫度補(bǔ)償下實(shí)現(xiàn)了較高的電源抑制比(PSRR)和較
2012-10-10 14:49:50
43 基于SMIC0.35 m的CMOS工藝,設(shè)計(jì)了一種高電源抑制比,同時(shí)可在全工藝角下的得到低溫漂的帶隙基準(zhǔn)電路。首先采用一個(gè)具有高電源抑制比的基準(zhǔn)電壓,通過電壓放大器放大得到穩(wěn)定的電壓,以提供給帶隙
2013-01-22 14:52:12
52 介紹一種基于CSMC0.5 m工藝的低溫漂高電源抑制比帶隙基準(zhǔn)電路。本文在原有Banba帶隙基準(zhǔn)電路的基礎(chǔ)上,通過采用共源共柵電流鏡結(jié)構(gòu)和引入負(fù)反饋環(huán)路的方法,大大提高了整體電路的
2013-05-27 16:29:08
71 根據(jù)汽車發(fā)動(dòng)機(jī)控制芯片的工作環(huán)境,針對(duì)常見的溫度失效問題,提出了一種應(yīng)用在發(fā)動(dòng)機(jī)控制芯片中的帶隙基準(zhǔn)電壓源電路。該電路采用0.18 m CMOS工藝,采用電流型帶隙基準(zhǔn)電壓源結(jié)構(gòu)
2013-09-26 17:06:12
33 1.8V供電8.2ppm%2f℃的0.18μmCMOS帶隙基準(zhǔn)源
2015-11-10 10:19:33
6 一種高電源抑制低溫漂帶隙基準(zhǔn)電路設(shè)計(jì)_于全東
2017-01-03 15:24:45
1 一種帶曲率補(bǔ)償?shù)母呔?b class="flag-6" style="color: red">帶隙基準(zhǔn)源_李連輝
2017-01-07 21:45:57
0 一種高低溫高階曲率補(bǔ)償帶隙基準(zhǔn)源_張華拓
2017-01-07 21:45:57
0 一種4階曲率補(bǔ)償低溫漂低功耗帶隙基準(zhǔn)源_譚玉麟
2017-01-07 22:14:03
0 一種低溫度系數(shù)的全CMOS基準(zhǔn)電流源_羅彥彬
2017-01-08 10:18:57
6 一種低溫漂低電源電壓調(diào)整率的基準(zhǔn)電流源_唐俊龍
2017-01-08 10:18:57
7 低溫漂系數(shù)共源共柵CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源_鄧玉斌
2017-01-08 10:24:07
5 一種低溫漂超低功耗帶隙基準(zhǔn)電壓源_李連輝
2017-01-08 10:30:29
3 一種改進(jìn)型低溫度系數(shù)帶隙基準(zhǔn)源電路_范建功
2017-01-08 10:40:54
1 一種低功耗差動(dòng)CMOS帶隙基準(zhǔn)源
2017-01-14 12:38:40
6 具有溫度補(bǔ)償?shù)?b class="flag-6" style="color: red">帶隙基準(zhǔn)源及其輸出緩沖器
2017-01-22 13:43:27
15 介紹了一種低溫漂的BiCMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源及過溫保護(hù)電路。采用Brokaw帶隙基準(zhǔn)核結(jié)構(gòu),通過二階曲率補(bǔ)償技術(shù),設(shè)計(jì)的熱滯回差很好地防止了熱振蕩現(xiàn)象。
2017-09-07 20:15:25
24 基準(zhǔn)源廣泛應(yīng)用于模擬和混合集成電路設(shè)計(jì)中,例如數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器、PWM 控制器、振蕩器、運(yùn)放和PLL 等。隨著電路越來越復(fù)雜、性能要求越來越高,高精度基準(zhǔn)源已經(jīng)成為很多模塊的關(guān)鍵部分。傳統(tǒng)的帶隙基準(zhǔn)由具有
2017-10-31 10:31:24
11 基準(zhǔn)電壓源在DAC電路中占有舉足輕重的地位,其設(shè)計(jì)的好壞直接影響著DAC輸出的精度和穩(wěn)定性。而溫度的變化、電源電壓的波動(dòng)和制造工藝的偏差都會(huì)影響基準(zhǔn)電壓的特性。本文針對(duì)如何設(shè)計(jì)一個(gè)低溫度系數(shù)和高電源電壓抑制比的基準(zhǔn)電壓源作了詳細(xì)分析。
2017-11-24 11:53:32
4331 
帶隙是導(dǎo)帶的最低點(diǎn)和價(jià)帶的最高點(diǎn)的能量之差。也稱能隙。帶隙越大,電子由價(jià)帶被激發(fā)到導(dǎo)帶越難,本征載流子濃度就越低,電導(dǎo)率也就越低帶隙主要作為帶隙基準(zhǔn)的簡稱,帶隙基準(zhǔn)是所有基準(zhǔn)電壓中最受歡迎的一種
2017-11-24 15:45:20
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本文為大家介紹一個(gè)cmos無運(yùn)放帶隙基準(zhǔn)源電路。
2018-01-11 16:52:50
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本文根據(jù)基準(zhǔn)源的精度必須好于DAC設(shè)計(jì)精度指標(biāo)。利用負(fù)反饋和基本電流鏡等原理,合理設(shè)計(jì)電路的情況下得到了穩(wěn)定的PTAT電流,并根據(jù)帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計(jì)原理得到一個(gè)高精度和快速啟動(dòng)的CMOS帶隙基準(zhǔn)
2018-03-05 10:45:23
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通過一階、二階、高階以及分段等方式進(jìn)行補(bǔ)償,來提高基準(zhǔn)源的精度[1]。本文基于一階補(bǔ)償后的基準(zhǔn)電壓輸出特性,設(shè)計(jì)一個(gè)高低溫分段補(bǔ)償電路,帶隙基準(zhǔn)源在寬的溫度范圍具有較低的溫度系數(shù)。同時(shí),該補(bǔ)償方式還可以用于其他類似輸出特性的電路中,用以提高基準(zhǔn)精度。
2018-06-26 08:06:00
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本文首先介紹了帶隙基準(zhǔn)是什么,然后分析了帶隙基準(zhǔn)的原理。
2019-08-06 17:48:04
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介紹了一種采用亞閾值mos晶體管和單bjt的低溫系數(shù)(tc)和大功率電源紋波抑制(psrr)cmos子帶隙基準(zhǔn)電壓源(sub-bgr)電路。所提出的子bgr包括一種基于bjt的標(biāo)度發(fā)射極基極電壓
2019-09-30 08:00:00
4 本論文設(shè)計(jì)的帶隙基準(zhǔn)電壓源電路是LDO電源管理芯片的一個(gè)核心電路之一,蒂隙基準(zhǔn)電路在DC-DC,A/D(模/數(shù)),D/A(數(shù)/模)等集成電路中都有廣泛的應(yīng)用。LDO穩(wěn)壓器因其超低壓差,以及成熟
2019-12-04 16:36:41
13 帶隙基準(zhǔn)廣泛應(yīng)用于模擬集成電路中。帶隙基準(zhǔn)電路輸出的基準(zhǔn)電壓可以為模擬集成電路提供穩(wěn)定的參考電壓或參考電流
2023-07-06 10:45:02
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與溫度關(guān)系很小的電壓或者電流基準(zhǔn),在實(shí)際電路設(shè)計(jì)中具有重要的應(yīng)用,比如在電流鏡結(jié)構(gòu)中,需要對(duì)一“理想的”基準(zhǔn)電流進(jìn)行精確復(fù)制,這一“理想的”基準(zhǔn)電流,一般由帶隙基準(zhǔn)電路產(chǎn)生。
2023-07-06 11:32:14
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為什么叫帶隙電壓?電壓型的帶隙與電流型的帶隙的區(qū)別? 帶隙電壓是指半導(dǎo)體材料中價(jià)帶和導(dǎo)帶之間的能隙(帶隙)所對(duì)應(yīng)的電壓值。在半導(dǎo)體物理學(xué)中,帶隙是一個(gè)很重要的概念。帶隙包含了電子的能量和位置
2023-09-20 17:41:21
4470 RS5025LV是一款低噪聲、高精度并具有超低溫漂的精密電壓基準(zhǔn)源。它的初始精度高達(dá)千分之一,溫漂為3ppm/℃,不容易隨溫度波動(dòng)。同時(shí)它的輸出電壓噪聲只有7.5uVpp/V,非常適用于一些精密系統(tǒng)
2023-09-26 15:23:10
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、速度快等優(yōu)點(diǎn),在眾多電子設(shè)備中應(yīng)用廣泛。其中,基準(zhǔn)電壓就是一個(gè)比較重要的參數(shù),而基準(zhǔn)電壓的溫度系數(shù)是指在不同溫度下電路帶來的基準(zhǔn)電壓變化情況。 通常來說,CMOS電路中使用的帶隙基準(zhǔn)技術(shù),具有多晶硅、硅谷能帶、亞穩(wěn)態(tài)等技術(shù),但是這些技術(shù)都存在著一定的溫度漂移問題。而在實(shí)際
2023-10-23 10:29:11
2367 JA3920是一款超低溫漂.寬壓輸入、高精度、輸出電壓為2.048V的全國產(chǎn)基準(zhǔn)電壓源芯片。本基準(zhǔn)電壓源既能吸收電流又能提供電流,并具有良好的線性和負(fù)載調(diào)節(jié)。
2023-11-03 11:17:04
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電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《低噪聲、極低溫漂、高精度電壓基準(zhǔn)REF50xx數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-22 10:36:21
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《低溫漂、低功耗、小型串聯(lián)電壓基準(zhǔn)REF34xx數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-27 11:27:29
0 以替代TI的REF5025/30/50/10) PCD6100是一款精密基準(zhǔn)電壓源,該器件兼具穩(wěn)健的工作特性和極低的漂移與低噪聲。利用先進(jìn)的曲率補(bǔ)償,該帶隙基準(zhǔn)電壓源可實(shí)現(xiàn) 3ppm/°C 的漂移和可預(yù)知
2024-07-04 10:39:09
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替換REF3125,電壓基準(zhǔn)源應(yīng)用于變頻器,溫漂15ppm/℃
2025-03-25 09:51:34
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評(píng)論