去離子水沖洗是半導(dǎo)體、微電子等領(lǐng)域的關(guān)鍵工藝步驟,其正確操作直接影響產(chǎn)品的潔凈度和性能。以下是標(biāo)準(zhǔn)化流程及注意事項:一、前期準(zhǔn)備設(shè)備檢查與校準(zhǔn)確保去離子水系統(tǒng)的電阻率≥18MΩ·cm(符合
發(fā)表于 08-20 13:35
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大顆粒雜質(zhì),防止后續(xù)清洗液被過度污染。隨后采用超聲波粗洗,將晶圓浸入含有非離子型表面活性劑的去離子水中,通過高頻振動產(chǎn)生的空化效應(yīng)剝離附著力較弱的污染物,為深度清潔
發(fā)表于 08-18 16:37
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鋰離子電池作為核心儲能部件,其制造工藝的每一次精進都推動著電動汽車、儲能系統(tǒng)等領(lǐng)域的技術(shù)革新。鋰離子電池組裝過程中的繞線和極耳焊接工藝不僅直接影響電池的能量密度、循環(huán)壽命和安全性,更是
發(fā)表于 08-11 14:53
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在鋰離子電池制造領(lǐng)域,涂布工藝是決定電池性能和質(zhì)量的關(guān)鍵步驟之一。涂布工藝的精確度直接影響到電池的容量、循環(huán)壽命以及安全性。隨著鋰離子電池技術(shù)的不斷進步,對涂布
發(fā)表于 08-05 17:55
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作為現(xiàn)代社會的“能源心臟”鋰離子電池的應(yīng)用涉及相當(dāng)廣泛。鋰離子電池的的制作工藝之中,焊接技術(shù)是連接其內(nèi)部組件、確保電池高效運作的的重要環(huán)節(jié),直接決定了電池安全性、電池壽命以及電池的生產(chǎn)成本。激光焊接
發(fā)表于 08-05 17:49
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去離子水清洗的核心目的在于有效去除物體表面的雜質(zhì)、離子及污染物,同時避免普通水中的電解質(zhì)對被清洗物的腐蝕與氧化,確保高精度工藝環(huán)境的純凈。這一過程不僅提升了產(chǎn)品質(zhì)量,還為后續(xù)加工步驟奠定了良好基礎(chǔ)
發(fā)表于 07-14 13:11
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使用瑪瑙研缽式研磨機研磨水凝膠時,需注意以下步驟和要點,以確保操作安全并獲得理想效果:一、材料與設(shè)備:◎水凝膠樣品◎去離子水或適當(dāng)溶劑(用于清洗)◎刮刀或小鏟(用于轉(zhuǎn)移樣品)◎JB-120瑪瑙研缽式
發(fā)表于 06-12 15:58
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半導(dǎo)體清洗SC1是一種基于氨水(NH?OH)、過氧化氫(H?O?)和去離子水(H?O)的化學(xué)清洗工藝,主要用于去除硅片表面的有機物、顆粒污染物及部分金屬雜質(zhì)。以下是其技術(shù)原理、配方配比、工藝特點
發(fā)表于 04-28 17:22
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本文簡單介紹了芯片離子注入后退火會引入的工藝問題:射程末端(EOR)缺陷、硼離子注入退火問題和磷離子注入退火問題。
發(fā)表于 04-23 10:54
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工作臺工藝流程介紹 一、預(yù)清洗階段 初步?jīng)_洗 將晶圓放置在工作臺的支架上,使用去離子水(DI Water)進行初步?jīng)_洗。這一步驟的目的是去除晶圓表面的一些較大顆粒雜質(zhì)和可溶性污染物。去離子水以一定的流量和壓力噴淋在晶圓表
發(fā)表于 04-01 11:16
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工藝都有其特定的目的和方法,以確保芯片的清潔度和質(zhì)量: 預(yù)處理工藝 去離子水預(yù)沖洗:芯片首先經(jīng)過去離子水的預(yù)沖洗,以去除表面的大顆粒雜質(zhì)和灰塵。這一步通常是初步的清潔,為后續(xù)的清洗
發(fā)表于 03-10 15:08
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介紹 深紫外線源,例如 Energetiq 的 LDLS?,會產(chǎn)生臭氧,這會對與 LDLS 連接的儀器和實驗的性能產(chǎn)生不利影響。儀器光路中的臭氧會吸收不同量的紫外光,具體取決于臭氧濃度。本應(yīng)用說明
發(fā)表于 02-07 06:36
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本文簡單介紹了離子注入工藝中的重要參數(shù)和離子注入工藝的監(jiān)控手段。 在硅晶圓制造過程中,離子的分布狀況對器件性能起著決定性作用,而這一分布又與
發(fā)表于 01-21 10:52
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離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過離子注入,可以實現(xiàn)對n型區(qū)域和p型區(qū)域?qū)щ娦钥刂?。本文簡要介紹離子注入工藝及其注意事項。
發(fā)表于 11-09 11:09
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與亞微米工藝類似,源漏離子注入工藝是指形成器件的源漏有源區(qū)重摻雜的工藝,降低器件有源區(qū)的串聯(lián)電阻,提高器件的速度。同時源漏離子注入也會形成n
發(fā)表于 11-09 10:04
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