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技術節(jié)點[Technology Node]（也稱工藝節(jié)點[Process Node]、工藝技術[Process Technology]或簡稱節(jié)點[Node]）是指特定的半導體制造工藝及其設計規(guī)則。不同的節(jié)點通常對應著不同的電路世代和架構。一般來說，技術節(jié)點越小，意味著特征尺寸越小，生產出的晶體管更小，速度更快，功耗更低。

從歷史上看，工藝節(jié)點名稱指的是晶體管的一些不同特征，包括柵極長度和第一層金屬線的半節(jié)距。最近，由于各種營銷和代工廠之間的差異，這個數(shù)字本身已經(jīng)失去了曾經(jīng)的確切含義。最近的技術節(jié)點，如22 nm、16 nm、14 nm和10 nm，純粹是指采用特定技術制造的特定一代芯片。它與任何柵極長度或半節(jié)距無關。盡管如此，這一名稱慣例一直沿用至今，這也是領先代工廠對其節(jié)點的稱呼。

大約2017年以后，節(jié)點名稱已完全被市場營銷所取代，一些領先的代工廠含糊地使用節(jié)點名稱來代表略有改動的工藝。此外，代工廠之間晶體管的尺寸、密度和性能也不再匹配。例如，英特爾的10納米與代工廠的7納米相當，而英特爾的7納米與代工廠的5納米相當。

術語

工藝節(jié)點擴展背后的驅動力是摩爾定律。要實現(xiàn)密度翻番，每個節(jié)點的接觸柵極間距(CPP)和最小金屬間距(MMP)大約需要縮小0.7倍。換句話說，0.7× CPP ? 0.7× MMP ≈ ? 面積。節(jié)點名稱實際上是摩爾定律驅動下的自我實現(xiàn)預言（ self-fulfilling prophecy ）。

歷史

從1960年代MOSFET首次量產到1990年代末，在半導體歷史的前35年中，工藝節(jié)點大體上是指的是晶體管的柵極長度（Lg），它也被認為是 "最小特征尺寸"。例如，英特爾0.5微米工藝的Lg=0.5μm。這種情況一直持續(xù)到1997年的0.25微米工藝，英特爾在這一時期開始使用更激進的柵極長度縮小。例如，其0.25微米工藝的柵極長度為0.20微米，同樣，其0.18微米工藝的柵極長度為0.13微米（領先一個節(jié)點）。在這些節(jié)點上，"工藝節(jié)點 "實際上大于柵極長度。

工藝節(jié)點這個術語本身可以追溯到1990年代，當時微處理器的發(fā)展主要由更高的頻率驅動，而DRAM的發(fā)展則主要由對大容量的需求驅動。由于更大的容量是通過更高的密度實現(xiàn)的，因此DRAM成為技術發(fā)展的驅動力。這種情況一直持續(xù)到2000年代。國際半導體技術路線圖（ITRS）為半導體行業(yè)提供了各種技術節(jié)點的指導和幫助。到2006年，隨著微處理器開始主導技術的擴展，ITRS用閃存、DRAM和MPU/ASIC的一系列獨立指標取代了這一術語。

ITRS傳統(tǒng)上將工藝節(jié)點定義為制造工藝中允許的第一層金屬線的最小半節(jié)距。它是用于描述和區(qū)分集成電路制造技術的通用指標。

意義的變化

在45納米工藝中，英特爾傳統(tǒng)平面晶體管的柵極長度達到25納米。在這一節(jié)點上，柵極長度的擴展實際上停滯了；柵極長度的任何進一步擴展都會產生不理想的結果。在32納米工藝節(jié)點之后，雖然晶體管的其他方面有所縮小，但柵極長度實際上有所增加。

隨著英特爾在其22納米工藝中引入FinFET，晶體管密度繼續(xù)增加，而柵極長度基本保持不變。這是由于FinFET的特性造成的；例如，有效溝道長度是新鰭片的函數(shù)（Weff = 2* Hfin + Wfin）。由于晶體管與過去相比發(fā)生了巨大變化，目前的命名方案失去了意義。

半節(jié)點

半節(jié)點也可追溯到1990年代，當時很容易實現(xiàn)超量收縮。全技術節(jié)點的線性收縮率預計為0.7倍（例如，全收縮后的130納米變?yōu)?0納米）。同樣，相關的半節(jié)點也有望實現(xiàn)0.9倍的線性收縮。這種想法的前提是，當新的技術節(jié)點被考慮當作全節(jié)點時，代工廠的設計規(guī)則（如標準單元）需要經(jīng)過提前布局，以兼容18個月后會出現(xiàn)半節(jié)點收縮。這樣，應對半節(jié)點收縮，只需進行各種調整，就可以實現(xiàn)向新工藝的無縫過渡，而不會遇到違反設計規(guī)則、時序或其他可靠性問題。請注意，封裝等某些步驟確實需要重新設計。

技術發(fā)展趨勢

隨著收縮變得越來越復雜，需要更多的資金、專業(yè)知識和資源，能夠提供尖端制造工藝的公司數(shù)量一直在下降。截至2020年，只有三家公司有能力在最尖端的工藝上制造集成電路：英特爾、三星和臺積電。

審核編輯：劉清