“比最佳的傳統(tǒng)硅方案體積小40%，全新的高集成氮化鎵功率芯片帶來高頻、高效的電源方案，輕松滿足人工智能和邊緣計算的高能耗需求

加利福尼亞州托倫斯，2023年8月2日訊 —— 納微半導(dǎo)體（納斯達克股票代碼：NVTS）正式宣布推出最新CRPS185 3200W鈦金Plus服務(wù)器電源方案，超越了目前行業(yè)最嚴苛的80 Plus鈦金效率要求，將有效滿足人工智能背后的數(shù)據(jù)中心服務(wù)器日益增長的功率需求。

隨著OpenAI旗下ChatGPT、微軟旗下新版Bing AI和谷歌旗下Bard的應(yīng)用興起，人工智能迅速滲透到了人們生活的方方面面。與之共同增長的，是類似英偉達旗下DGX GH200 'Grace Hopper'這樣的功耗高的AI處理器，其每個處理器的功耗需求也攀升至1600W，將每個機柜的功率規(guī)范從30-40kW提升到100kW。與此同時，全球?qū)?jié)能減排的關(guān)注以及最新的歐洲法規(guī)，都使得服務(wù)器電源必須超過80Plus的鈦金效率規(guī)范。

納微半導(dǎo)體為客戶提供了基于氮化鎵功率器件打造的服務(wù)器電源參考設(shè)計，極大地加速了客戶的開發(fā)過程，最大限度地縮短了上市時間，并通過GaNFast氮化鎵功率芯片在能源效率、功率密度和系統(tǒng)成本方面樹立了行業(yè)新標桿。這些系統(tǒng)平臺包括完整的設(shè)計支持材料，包括經(jīng)過全面測試的硬件、嵌入式軟件、原理圖、物料清單、布局、仿真和硬件測試結(jié)果。

基于此，納微推出了一款基于CRPS外形規(guī)格（該規(guī)格由有著Facebook、Intel、Google、Microsoft和Dell等公司參與的開放計算項目定義）的CRPS185 3200W鈦金Plus服務(wù)器電源解決方案。該方案能在僅為1U(40mm) x 73.5mm x 185mm (544cc)的尺寸下提供完整的3200W功率，實現(xiàn)5.9W/cm3，或接近100W/inch3的超高功率密度。與等效的傳統(tǒng)硅方案相比，尺寸縮小40%，并且輕松超過鈦金效率標準，在30%負載下效率可達到96.5%以上，在20%到60%負載范圍內(nèi)超過96%，創(chuàng)造了一個“鈦金Plus”的行業(yè)標桿，對于數(shù)據(jù)中心運營模型有著革命性的重要意義。

采用了交錯CCM圖騰柱PFC+全橋LLC的拓撲結(jié)構(gòu)，這款CRPS 185 電源解決方案選用了納微最新的650V氮化鎵功率芯片，集成了強大、高速的氮化鎵驅(qū)動器，解決了分立式氮化鎵敏感性和脆弱性問題。此外，GaNFast氮化鎵功率芯片還具備極低的開關(guān)損耗，高達800V的Vds瞬態(tài)電壓，以及低柵極電荷（Qg）、輸出電容（COSS）和無反向恢復(fù)損耗（Qrr）等高頻優(yōu)勢。氮化鎵的高開關(guān)速度減少了電源中無源元件的尺寸和數(shù)量，納微預(yù)估采用GaNFast氮化鎵功率芯片可節(jié)省LLC級系統(tǒng)材料成本的5%，每臺電源可在3年內(nèi)節(jié)省64美元（約人民幣460元）的電費。

相較于傳統(tǒng)鈦金方案，這款CRPS185 3200W鈦金Plus服務(wù)器電源在30%負載（服務(wù)器常年工作負載）下的效率高2%。因此，在實際應(yīng)用中，以電源常規(guī)工作于30%負載計算，該電源相較于傳統(tǒng)鈦金電源可3年減少757度電，減少755kg二氧化碳排放，相當(dāng)于303kg標準煤的使用，不僅能為數(shù)據(jù)中心客戶實現(xiàn)降本增效，還能助力實現(xiàn)節(jié)能減排的環(huán)保目標。

除數(shù)據(jù)中心服務(wù)器外，該鈦金Plus電源方案還可以廣泛運用于交換機/路由器電源，通信電源以及其他算力電源等應(yīng)用中。

納微半導(dǎo)體

副總裁兼中國區(qū)總經(jīng)理

查瑩杰

“ChatGPT等AI應(yīng)用的火熱僅僅只是一個開始，數(shù)據(jù)中心服務(wù)器的機柜功耗增長了2-3倍，來到了100kW，這使得用更小體積的電源提供更大的功率成為了未來發(fā)展的關(guān)鍵。

我們誠摯邀請電源設(shè)計師和系統(tǒng)架構(gòu)師與納微合作，一同探索如何通過高效率、高功率密度的產(chǎn)品路線圖，來經(jīng)濟高效、可持續(xù)地加速人工智能服務(wù)器的升級。”

關(guān)于納微半導(dǎo)體

納微半導(dǎo)體（納斯達克股票代碼: NVTS）成立于2014年，是唯一一家全面專注下一代功率半導(dǎo)體事業(yè)的公司。GaNFast氮化鎵功率芯片將氮化鎵功率器件與驅(qū)動、控制、感應(yīng)及保護集成在一起，為市場提供充電更快、功率密度更高和節(jié)能效果更好的產(chǎn)品。性能互補的GeneSiC碳化硅功率器件是經(jīng)過優(yōu)化的高功率、高電壓、高可靠性碳化硅解決方案。重點市場包括移動設(shè)備、消費電子、數(shù)據(jù)中心、電動汽車、太陽能、風(fēng)力、智能電網(wǎng)和工業(yè)市場。納微半導(dǎo)體擁有超過185項已經(jīng)獲頒或正在申請中的專利，其中，氮化鎵功率芯片已發(fā)貨超過7500萬顆，碳化硅功率器件發(fā)貨超1000萬顆。納微半導(dǎo)體于業(yè)內(nèi)率先推出唯一的氮化鎵20年質(zhì)保承諾，也是全球首家獲得CarbonNeutral認證的半導(dǎo)體公司。

納微半導(dǎo)體、GaNFast、 GaNSense、GeneSiC、SiCPAK以及納微標識是Navitas Semiconductor 及其子公司的商標或注冊商標。所有其他品牌、產(chǎn)品名稱和標志都是或可能是各自所有者用于標識產(chǎn)品或服務(wù)的商標或注冊商標。