填補(bǔ)該領(lǐng)域技術(shù)空白，9所研制MEMS磁通門傳感器
近日，中國電科9所突破從器件設(shè)計(jì)到材料制備等多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，研制出高性能的MEMS磁通門傳感器。
MEMS磁通門傳感器作為一種高精度弱磁場傳感器，能夠感應(yīng)到外界微弱的直流或低頻磁場，被廣泛應(yīng)用于定位跟蹤、航空航天、地磁探測和電流檢測等領(lǐng)域，且長期以來依賴進(jìn)口。
為填補(bǔ)該領(lǐng)域技術(shù)空白，9所技術(shù)團(tuán)隊(duì)瞄準(zhǔn)微型化集成、薄膜磁心材料、MEMS制備工藝、測試優(yōu)化方案等方面，持續(xù)創(chuàng)新突破，成功研制高性能MEMS磁通門傳感器。
未來，技術(shù)團(tuán)隊(duì)將進(jìn)一步優(yōu)化其結(jié)構(gòu)、制作工藝、磁心材料、電路匹配，使MEMS磁通門傳感器不僅能滿足各種場合對(duì)小尺寸、高精度、低功耗、高魯棒性等的要求，還可以滿足高集成度、高匹配性、低成本的要求，為各領(lǐng)域的磁測量提供新的解決方案。
審核編輯 黃宇
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