本篇內(nèi)容的上半部分，可以關(guān)注【華秋DFM】公眾號(hào)，搜索《電源PCB設(shè)計(jì)匯總（上）》繼續(xù)學(xué)習(xí)。

電源PCB設(shè)計(jì)

VDD_NPU

01

VDD_NPU的覆銅寬度需滿(mǎn)足芯片的電流需求，連接到芯片電源管腳的覆銅足夠?qū)挕?/p>

路徑不能被過(guò)孔分割太嚴(yán)重，必須計(jì)算有效線(xiàn)寬，確認(rèn)連接到CPU每個(gè)電源PIN腳的路徑都足夠。

02

VDD_NPU的電源在外圍換層時(shí)，要盡可能的多打電源過(guò)孔（7個(gè)以上0.5*0.3mm的過(guò)孔），降低換層過(guò)孔帶來(lái)的壓降。

去耦電容的GND過(guò)孔要跟它的電源過(guò)孔數(shù)量保持一致，否則會(huì)大大降低電容作用。

03

如下圖（上）所示，原理圖上靠RK3588的VDD_NPU電源管腳綠線(xiàn)以?xún)?nèi)的去耦電容務(wù)必放在對(duì)應(yīng)的電源管腳背面，電容的GND PAD盡量靠近芯片中心的GND管腳放置，如下圖（下）所示。

其余的去耦電容盡量擺放在RK3588芯片附近，并需要擺放在電源分割來(lái)源的路徑上。

04

RK3588芯片VDD_NPU的電源管腳，每個(gè)管腳就近有一個(gè)對(duì)應(yīng)過(guò)孔，并且頂層走“井”字形，交叉連接，如下圖所示 ，建議走線(xiàn)線(xiàn)寬10mil。

05

VDD_NPU電源在NPU區(qū)域線(xiàn)寬不得小于300mil，外圍區(qū)域?qū)挾炔恍∮?00mil。

盡量采用覆銅方式，降低走線(xiàn)帶來(lái)的壓降（其它信號(hào)換層過(guò)孔請(qǐng)不要隨意放置，必須規(guī)則放置，盡量騰出空間走電源，也有利于地層的覆銅）。

06

電源過(guò)孔40mil范圍（過(guò)孔中心到過(guò)孔中心間距）內(nèi)的GND過(guò)孔數(shù)量，建議≧9個(gè)。

電源PCB設(shè)計(jì)

VDD_CPU_LIT

01

VDD_CPU_LIT覆銅寬度需滿(mǎn)足芯片電流需求，連接到芯片電源管腳的覆銅足夠?qū)挕?/p>

路徑不能被過(guò)孔分割太嚴(yán)重，必須計(jì)算有效線(xiàn)寬，確認(rèn)連接到CPU每個(gè)電源PIN腳的路徑都足夠。

02

VDD_CPU_LIT的電源在外圍換層時(shí)，要盡可能的多打電源過(guò)孔（9個(gè)以上0.5*0.3mm的過(guò)孔），降低換層過(guò)孔帶來(lái)的壓降。

去耦電容的GND過(guò)孔要跟它的電源過(guò)孔數(shù)量保持一致，否則會(huì)大大降低電容作用。

03

如下圖（上）所示，原理圖上靠近RK3588的VDD_CPU_LIT電源管腳綠線(xiàn)以?xún)?nèi)的去耦電容務(wù)必放在對(duì)應(yīng)的電源管腳背面，電容的GND PAD盡量靠近芯片中心的GND管腳放置，如下圖（下）所示。

其余的去耦電容盡量擺放在RK3588芯片附近，并需要擺放在電源分割來(lái)源的路徑上。

04

RK3588芯片VDD_CPU_LIT的電源管腳，每個(gè)管腳就近有一個(gè)對(duì)應(yīng)過(guò)孔，并且頂層走“井”字形，交叉連接，如下圖建議走線(xiàn)線(xiàn)寬10mil。

05

VDD_CPU_LIT電源在CPU區(qū)域線(xiàn)寬不得小于120mil，外圍區(qū)域?qū)挾炔恍∮?00mil。

采用雙層電源覆銅方式，降低走線(xiàn)帶來(lái)壓降（其它信號(hào)換層過(guò)孔請(qǐng)不要隨意放置，必須規(guī)則放置，盡量騰出空間走電源，也有利于地層的覆銅）。

06

電源過(guò)孔40mil范圍（過(guò)孔中心到過(guò)孔中心間距）內(nèi)的GND過(guò)孔數(shù)量，建議≧9個(gè)。

電源PCB設(shè)計(jì)

VDD_VDENC

01

VDD_VDENC覆銅寬度需滿(mǎn)足芯片的電流需求，連接到芯片電源管腳的覆銅足夠?qū)挕?/p>

路徑不能被過(guò)孔分割太嚴(yán)重，必須計(jì)算有效線(xiàn)寬，確認(rèn)連接到CPU每個(gè)電源PIN腳的路徑都足夠。

02

VDD_VDENC電源在外圍換層時(shí)，要盡可能的多打電源過(guò)孔（9個(gè)以上0.5*0.3mm的過(guò)孔），降低換層過(guò)孔帶來(lái)的壓降。

去耦電容的GND過(guò)孔要跟它的電源過(guò)孔數(shù)量保持一致，否則會(huì)大大降低電容作用。

03

如下圖（上）所示，原理圖上靠近RK3588的VDD_VDENC電源管腳綠線(xiàn)以?xún)?nèi)的去耦電容務(wù)必放在對(duì)應(yīng)的電源管腳背面，電容的GND PAD盡量靠近芯片中心的GND管腳放置，如下圖（下）所示。

其余的去耦電容盡量擺放在RK3588芯片附近，并需要擺放在電源分割來(lái)源的路徑上。

04

RK3588芯片VDD_VDENC的電源管腳，每個(gè)管腳就近有一個(gè)對(duì)應(yīng)過(guò)孔，并且頂層走“井”字形，交叉連接，如下圖建議走線(xiàn)線(xiàn)寬10mil。

05

VDD_VDENC電源在CPU區(qū)域線(xiàn)寬不得小于100mil，外圍區(qū)域?qū)挾炔恍∮?00mil，采用雙層電源覆銅方式，降低走線(xiàn)帶來(lái)壓降。

06

電源過(guò)孔30mil范圍（過(guò)孔中心到過(guò)孔中心間距）內(nèi)的GND過(guò)孔數(shù)量，建議≧8個(gè)。

電源PCB設(shè)計(jì)

VCC_DDR

01

VCC_DDR覆銅寬度需滿(mǎn)足芯片的電流需求，連接到芯片電源管腳的覆銅足夠?qū)挕?/p>

路徑不能被過(guò)孔分割太嚴(yán)重，必須計(jì)算有效線(xiàn)寬，確認(rèn)連接到CPU每個(gè)電源PIN腳的路徑都足夠。

02

VCC_DDR的電源在外圍換層時(shí)，要盡可能的多打電源過(guò)孔（9個(gè)以上0.5*0.3mm的過(guò)孔），降低換層過(guò)孔帶來(lái)的壓降。

去耦電容的GND過(guò)孔要跟它的電源過(guò)孔數(shù)量保持一致，否則會(huì)大大降低電容作用。

03

如下圖（上）所示，原理圖上靠近RK3588的VCC_DDR電源管腳的去耦電容務(wù)必放在對(duì)應(yīng)的電源管腳背面，電容的GND PAD盡量靠近芯片中心的GND管腳放置，其余的去耦電容盡量靠近RK3588，如下圖（下）所示。

04

RK3588芯片VCC_DDR的電源管腳，每個(gè)管腳需要對(duì)應(yīng)一個(gè)過(guò)孔，并且頂層走“井”字形，交叉連接，如下圖建議走線(xiàn)線(xiàn)寬10mil。

當(dāng)LPDDR4x 時(shí)，鏈接方式如下圖所示。

05

VCC_DDR電源在CPU區(qū)域線(xiàn)寬不得小于120mil，外圍區(qū)域?qū)挾炔恍∮?00mil。

盡量采用覆銅方式，降低走線(xiàn)帶來(lái)壓降（其它信號(hào)換層過(guò)孔請(qǐng)不要隨意放置，必須規(guī)則放置，盡量騰出空間走電源，也有利于地層的覆銅）。

設(shè)計(jì)完P(guān)CB后，一定要做分析檢查，才能讓生產(chǎn)更順利，這里推薦一款可以一鍵智能檢測(cè)PCB布線(xiàn)布局最優(yōu)方案的工具：華秋DFM軟件，只需上傳PCB/Gerber文件后，點(diǎn)擊一鍵DFM分析，即可根據(jù)生產(chǎn)的工藝參數(shù)對(duì)設(shè)計(jì)的PCB板進(jìn)行可制造性分析。

華秋DFM軟件是國(guó)內(nèi)首款免費(fèi)PCB可制造性和裝配分析軟件，擁有300萬(wàn)+元件庫(kù)，可輕松高效完成裝配分析。其PCB裸板的分析功能，開(kāi)發(fā)了19大項(xiàng)，52細(xì)項(xiàng)檢查規(guī)則，PCBA組裝的分析功能，開(kāi)發(fā)了10大項(xiàng)，234細(xì)項(xiàng)檢查規(guī)則。

基本可涵蓋所有可能發(fā)生的制造性問(wèn)題，能幫助設(shè)計(jì)工程師在生產(chǎn)前檢查出可制造性問(wèn)題，且能夠滿(mǎn)足工程師需要的多種場(chǎng)景，將產(chǎn)品研制的迭代次數(shù)降到最低，減少成本。

華秋DFM軟件下載地址（復(fù)制到電腦瀏覽器打開(kāi)）：

https://dfm.elecfans.com/uploads/software/promoter/HQDFM%20V3.7.0_DFMGZH.zip

專(zhuān)屬福利

上方鏈接下載還可享多層板首單立減50元

每月1次4層板免費(fèi)打樣

并領(lǐng)取多張無(wú)門(mén)檻“元器件+打板+貼片”優(yōu)惠券

審核編輯 黃宇