在IGBT器件的開通過程中，柵極電荷Qg的充電過程是怎樣的？

A:IGBT器件例如IKZA50N65EH7的數(shù)據(jù)手冊中如圖1所示，給出了柵極電荷Qg和柵極電壓Vge的關(guān)系。圖2為IGBT器件簡化示意圖。柵極電荷的充電過程可以分為以下三個區(qū)域。在時間段AB之間電容Cge被充電，當柵極電壓Vge達到柵極閾值電壓Vgeth，IGBT器件開始工作。在時間段BC，柵極的充電過程由反饋電容Cgc(也叫密勒電容)決定，這時，Vce電壓不斷降低，電流Igc通過Cgc給柵極放電，此時柵極電壓保持恒定，這種現(xiàn)象叫作密勒平臺。在時間段CD，IGBT器件進入飽和，dVce/dt會下降到零，此時柵極電流Ig繼續(xù)給柵極-發(fā)射極電容Cge充電，柵極電壓繼續(xù)上升。

圖1

圖2

Q

在實際應(yīng)用中，如何確定IGBT器件外部柵極電阻的取值？

A：柵極驅(qū)動電阻阻值的選擇對IGBT的開關(guān)特性和開關(guān)損耗有很大的影響。在IGBT的數(shù)據(jù)手冊中，如圖 3所示的開關(guān)損耗測試條件中柵極電阻 Rgon/Rgoff是重要的條件，它選取的原則為在規(guī)定的器件測試條件下的取值，比如Rgon的取值要保證在室溫和十分之一電流下不震蕩。

柵極電阻除了可以限制柵極的充放電電流，影響IGBT的開關(guān)速度之外，還有其他方面的影響，比如：增加驅(qū)動回路的功率損耗；降低電磁干擾；防止柵極振蕩；避免器件寄生開通等。為了更好的發(fā)揮出IGBT器件開關(guān)性能的優(yōu)勢，柵極驅(qū)動電路往往采用獨立的開通和關(guān)斷柵極電阻，如圖4所示。關(guān)斷回路串聯(lián)快恢復(fù)二極管，可以使柵極關(guān)斷電阻小于開通電阻，這主要是考慮對于某些功率器件來說，關(guān)斷延遲時間往往比開通延遲時間更長。

圖3

圖4

另一方面，考慮避免器件發(fā)生寄生開通，如圖5所示，如果關(guān)斷柵極電阻較大，IGBT在關(guān)斷過程中，在高dv/dt和密勒電容Cgc作用下，根據(jù)公式:

IGBT的柵極電壓將被抬高，一旦Vge電壓高于門檻電壓Vgeth，將引起IGBT器件寄生開通，如果是半橋電路發(fā)生上下管直通現(xiàn)象，將會影響系統(tǒng)的可靠性。如果關(guān)斷電阻太小，可能會導(dǎo)致器件在關(guān)斷時由于di/dt過高造成較大的Vce電壓尖峰，導(dǎo)致器件損壞。因此，在選擇柵極電阻時需要在開關(guān)速度和可靠性之間進行權(quán)衡。在IGBT數(shù)據(jù)手冊中，圖6為指定測試條件下，IGBT開關(guān)損耗和柵極電阻的關(guān)系曲線，也可供設(shè)計者參考。但是為保證柵極電阻的選值真正適用于實際系統(tǒng)應(yīng)用，最終應(yīng)在實際系統(tǒng)中進行實驗驗證。

圖5

圖6

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Q

IGBT器件柵極電壓波形振蕩產(chǎn)生的原因？

A：在電力電子應(yīng)用中，經(jīng)常會看到柵極電壓波形振蕩現(xiàn)象。如圖7所示，驅(qū)動電流Ig流經(jīng)驅(qū)動回路的柵極電阻Rg，寄生電感Lp和IGBT器件的寄生電容Cge, 形成諧振電路，在激勵作用下，振蕩就會發(fā)生。為了避免或抑制振蕩發(fā)生，最重要的一點就是，優(yōu)化PCB驅(qū)動回路布局，減小驅(qū)動回路的寄生電感Lp。一方面可以縮短走線長度，使柵極回路盡可能短，通?？梢詼p少1nH/mm的寄生電感。當IGBT器件有Kelvin emitter 管腳時如圖8所示，驅(qū)動回路的返回端可以選擇連接Kelvin emitter 管腳。

圖7

圖8

在設(shè)計中，有時由于幾何結(jié)構(gòu)原因無法實現(xiàn)以上優(yōu)化方式時，可以使用較大的柵極電阻，增加驅(qū)動回路的阻尼效應(yīng)，也可以抑制柵極振蕩。只是增加?xùn)艠O電阻會降低效率，還可能造成開關(guān)過程中更長的延遲時間，因此應(yīng)謹慎選擇電阻取值。另外，如果PCB空間允許，柵極電阻應(yīng)盡可能的靠近IGBT器件的柵極管腳。

Q

對于IGBT器件的最小開通時間是多少？

A：在IGBT或二極管芯片剛開始開通時，不會立即充滿載流子，在載流子擴散時關(guān)斷IGBT或二極管芯片，與載流子完全充滿后關(guān)斷相比，電流變化率dIc/dt或dIF/dt可能會增加。由于di/dt升高，加上換流雜散電感的作用，IGBT在關(guān)斷時會產(chǎn)生更高的電壓過沖，也可能引起二極管反向恢復(fù)電流增加，進而導(dǎo)致“Snap off”現(xiàn)象。是否會產(chǎn)生這種現(xiàn)象主要與芯片技術(shù)，電壓和負載電流有關(guān)。需要注意的是，不同的器件在開通過程表現(xiàn)出的電壓過沖現(xiàn)象是不同的，也就是說對于最小開通時間的影響沒有統(tǒng)一的定論。在應(yīng)用中，需要根據(jù)實際情況調(diào)整IGBT器件的最小開通時間。

Q

IGBT器件可以承受反壓嗎？反向阻斷電壓能力與Vce擊穿電壓是否有關(guān)？

A:如圖9所示，與MOSFET相比，IGBT器件本身不含體二極管，所以IGBT器件只能在一個方向上流過電流，即從集電極方向到發(fā)射極方向，因此IGBT器件應(yīng)避免承受反向電壓。由于大部分工業(yè)應(yīng)用都是感性負載，所以必要時需要在IGBT芯片旁邊反并聯(lián)一個二極管芯片，或者直接選擇一個具有集成二極管芯片的IGBT器件。例如采用600V TRENCHSTOP Performance新技術(shù)的IGBT器件，主要應(yīng)用于工業(yè)驅(qū)動，太陽能逆變器和大型家用電器等，我們分別提供帶并聯(lián)二極管和不帶并聯(lián)二極管的IGBT器件，如圖10所示。

圖9

圖10

Q

如何計算IGBT器件的工作結(jié)溫Tvj？

A：根據(jù)以下公式進行計算：

式中，熱阻Zth(j-c)為IGBT器件在瞬態(tài)脈沖時的值，可以參考數(shù)據(jù)手冊的瞬態(tài)熱阻曲線如圖11所示。Ptot為IGBT器件的總損耗，包括開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。單個周期的開關(guān)損耗可以通過測試得到IGBT器件開關(guān)波形，進行電壓電流乘積后積分得到。Tc為IGBT器件的殼溫。最終計算出來的IGBT器件的工作結(jié)溫Tvj不能超過數(shù)據(jù)手冊中的最高工作結(jié)溫Tvjmax，如圖12所示。

圖11

圖12

Q

在選擇IGBT器件的柵極驅(qū)動器時，如何計算IGBT器件需要驅(qū)動芯片提供的最大峰值電流Ipeak？

A：在選擇柵極驅(qū)動器時，一個重要的參數(shù)就是驅(qū)動器的最大峰值電流Ipeak。該參數(shù)可以通過以下公式來進行估算：

式中，Ipeak為驅(qū)動器必須提供的峰值電流（A）；UGE,max為用于開通IGBT的正柵極電壓（V）；UGE,min為用于關(guān)斷IGBT的負柵極電壓（V）或0；RGint為IGBT內(nèi)部的柵極電阻（Ω）；RGext為IGBT外部的柵極電阻（Ω）。

0.7為實際應(yīng)用中計算峰值電流的校正因數(shù)。如果IGBT驅(qū)動器外部增加了柵-射極電容Cge_ext, 采取的近似方法是將這個電容等效為內(nèi)部柵極電阻短路，即RGint可設(shè)置為0。如果采用不同的柵極電阻Rgon和Rgoff, 那么所需的峰值電流由較小的電阻確定，然后再選擇柵極驅(qū)動器。

Q

如何理解IGBT模塊的數(shù)據(jù)手冊中短路電路SC數(shù)據(jù)的含義？

A：如圖13所示，短路時間tp表示多長時間的短路會對IGBT器件產(chǎn)生影響，IGBT的短路特性通常與幾個參數(shù)有關(guān)，驅(qū)動電壓Vge，直流母線電壓Vcc及集-射極電壓Vce， 短路時間tp，結(jié)溫Tvj，和IGBT技術(shù)。圖14為短路測試的電壓電流波形示意圖。需要注意的是，短路時間tsc只適用于數(shù)據(jù)手冊中指定的條件。如果IGBT的驅(qū)動電壓Vge越高，會導(dǎo)致短路電流越大；如果直流母線電壓越高，則短路期間所累積的能量越高；如果起始結(jié)溫Tvj越高，則IGBT短路時的結(jié)溫也會越高。上述因素都會導(dǎo)致IGBT所能承受的短路時間縮短。如果實際短路時間過長，可能會損壞IGBT器件。數(shù)據(jù)手冊中只是給出了一個在指定條件下的最大短路時間作為參考。

英飛凌 IGBT7器件提供從短路能力的降額曲線

圖13

圖14

Q

對于壓接裝配的Easy/Econo系列的IGBT模塊是否可以選擇焊接方式？

A:根據(jù)國際標準IEC 60068 系列標準 Section 2 (260°C <= 10s)，該標準規(guī)定模塊的焊接溫度為260℃，焊接時間最長為10秒。在焊接過程中，不得超過223℃的最大允許外殼溫度。關(guān)于更多的詳細焊接要求，可參考英飛凌應(yīng)用指南AN2005_06。

Q

對于TO247封裝IGBT單管的CTI值是多少？

A:在IGBT單管應(yīng)用的PCB layout設(shè)計時，經(jīng)常會參考CTI值來確定爬電距離。通常情況下，IGBT單管封裝的模具化合物屬于II類材料（CTI為400-600V），無法保證具體的CTI值，可以確定的是對于IGBT器件TO247封裝的CTI值范圍為400-600。對于IGBT模塊的CTI值，可以在對應(yīng)產(chǎn)品的數(shù)據(jù)手冊中進行查看，如圖15。