眾所周知，碳化硅MOSFET具有優(yōu)秀的高頻、高壓、高溫性能，是目前電力電子領(lǐng)域最受關(guān)注的寬禁帶功率半導(dǎo)體器件。在電力電子系統(tǒng)中應(yīng)用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件，可提高功率回路開關(guān)頻率，提升系統(tǒng)效率及功率密度，降低系統(tǒng)綜合成本。

基本半導(dǎo)體第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圓平臺(tái)進(jìn)行開發(fā)，比上一代產(chǎn)品在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗以及可靠性等方面表現(xiàn)更為出色。在原有TO-247-3、TO-247-4封裝的產(chǎn)品基礎(chǔ)上，基本半導(dǎo)體還推出了帶有輔助源極的TO-247-4-PLUS、TO-263-7及SOT-227封裝的碳化硅MOSFET器件，可以更好地滿足應(yīng)用需求。

基本半導(dǎo)體第二代碳化硅MOSFET亮點(diǎn)：

更低比導(dǎo)通電阻：第二代碳化硅MOSFET通過綜合優(yōu)化芯片設(shè)計(jì)方案，比導(dǎo)通電阻降低約40%，產(chǎn)品性能顯著提升。

更低器件開關(guān)損耗：第二代碳化硅MOSFET器件Qg降低了約60%，開關(guān)損耗降低了約30%。反向傳輸電容Crss降低，提高器件的抗干擾能力，降低器件在串?dāng)_行為下誤導(dǎo)通的風(fēng)險(xiǎn)。

更高可靠性：第二代碳化硅MOSFET通過更高標(biāo)準(zhǔn)的HTGB、HTRB和H3TRB可靠性考核，產(chǎn)品可靠性表現(xiàn)出色。

更高工作結(jié)溫：第二代碳化硅MOSFET工作結(jié)溫達(dá)到175°C，提高器件高溫工作能力。

基本半導(dǎo)體推出兼容EasyPACK? 2B封裝的工業(yè)級(jí)全碳化硅MOSFET功率模塊Pcore?2 E2B，該產(chǎn)品基于高性能6英寸晶圓平臺(tái)設(shè)計(jì)，在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗、抗誤導(dǎo)通、抗雙極性退化等方面表現(xiàn)出色。

BMF240R12E2G3產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：

更穩(wěn)定導(dǎo)通電阻：新型內(nèi)部構(gòu)造極大抑制了碳化硅晶體缺陷引起的Rds(on)波動(dòng)。

更優(yōu)異抗噪特性：寬柵-源電壓范圍（Vgss: -10V~+25V），及更高閾值電壓范圍（Vth: 3V~5V），便于柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)。

更高可靠性：高性能氮化硅AMB陶瓷基板及高溫焊料引入，改善長(zhǎng)期高溫度沖擊循環(huán)的CTE失配。

應(yīng)用領(lǐng)域：燃料電池DCDC、數(shù)據(jù)中心UPS、大功率快速充電樁等。

注：如涉及作品版權(quán)問題，請(qǐng)聯(lián)系刪除。