Pcore2 62mm

基本半導(dǎo)體推出62mm封裝的1200V工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET半橋模塊，產(chǎn)品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技術(shù)，在保持傳統(tǒng)62mm封裝尺寸優(yōu)勢(shì)的基礎(chǔ)上，通過創(chuàng)新的模塊設(shè)計(jì)顯著降低了模塊雜散電感，使碳化硅MOSFET的高頻性能得到更充分發(fā)揮。

基于電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用，基本半導(dǎo)體針對(duì)62mm規(guī)格的碳化硅MOSFET與IGBT模塊進(jìn)行了性能仿真對(duì)比，同時(shí)可提供這一款模塊產(chǎn)品配套的整套驅(qū)動(dòng)板解決方案及零件。

產(chǎn)品拓?fù)?/p>

產(chǎn)品特點(diǎn)

基本半導(dǎo)體第三代碳化硅MOSFET芯片技術(shù)，性能更優(yōu)

低導(dǎo)通電阻，高溫下RDS(on)表現(xiàn)優(yōu)異

低開關(guān)損耗，提高開關(guān)頻率，功率密度提升

高性能Si3N4AMB和高溫焊料引入，提高產(chǎn)品可靠性

高可靠性和高功率密度

低雜散電感設(shè)計(jì)，14nH及以下

銅基板散熱

應(yīng)用領(lǐng)域

儲(chǔ)能系統(tǒng)

焊機(jī)電源

感應(yīng)加熱設(shè)備

光伏逆變器

牽引輔助變流器

產(chǎn)品列表

產(chǎn)品性能實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)對(duì)比(BMF540R12KA3與其他品牌產(chǎn)品)

1. 靜態(tài)參數(shù)測(cè)試

2. 動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試

BMF540R12KA3在ID=270A、ID=540A動(dòng)態(tài)測(cè)試時(shí)，開通損耗、關(guān)斷損耗、總損耗均優(yōu)于其它品牌同等級(jí)產(chǎn)品。

2.1 開關(guān)特性參數(shù)對(duì)比

測(cè)試條件：

VDS=600V,ID=270A, RG(on)=2Ω,

RG(off)=2Ω,Lσ=21nH, VGS=-4V/18V

測(cè)試條件：

VDS=600V,ID=540A, RG(on)=2Ω,

RG(off)=2Ω, Lσ=21nH, VGS=-4V/18V

2.2 波形對(duì)比

測(cè)試條件：

VDC=600V，VGS=-4V/+18V，

RG(on)=RG(off)=2Ω，Lload=10uH，

ID=540A，Tj=25℃

ID=540A——上橋

ID=540A——下橋

碳化硅MOSFET在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中與IGBT對(duì)比的仿真數(shù)據(jù)

1. 碳化硅MOSFET模塊與IGBT模塊對(duì)比

碳化硅MOSFET模塊與IGBT模塊在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中的對(duì)比

使用PLECS軟件建模。

紅框?yàn)闇囟群蛽p耗監(jiān)控MOSFET和IGBT的位置，其余開關(guān)位置結(jié)果完全相同，不作展示。

仿真的工況及條件

仿真80℃散熱器溫度下，兩款62mm模塊在此應(yīng)用工況中的損耗、結(jié)溫和整機(jī)效率。

應(yīng)用為電機(jī)驅(qū)動(dòng)。

3.1 仿真任務(wù)1——固定出力仿結(jié)溫

仿真80℃散熱器溫度下，母線電壓800V，輸出相電流300Arms應(yīng)用工況下的損耗、結(jié)溫和整機(jī)效率。

輸出有功功率=300A*330V*3*cosφ=237.6kW

效率（%）=輸出有功功率/（輸出有功功率+器件總損耗功率）=237.6kW/(237.6+1.11922*6)kW=97.25%

仿真結(jié)果波形

BMF540R12KA3(工況6kHz 300Arms)

F***(800A)(工況6kHz 300Arms)

3.2 仿真任務(wù)2——固定結(jié)溫仿出力

80℃散熱器溫度與約束結(jié)溫Tj≤175℃情況下，計(jì)算系統(tǒng)相電流輸出大小。

3.3 仿真任務(wù)3——開關(guān)頻率和輸出電流的關(guān)系

仿真母線電壓=800V，80℃散熱器溫度，在限制結(jié)溫Tj≤175℃情況下，兩款模塊開關(guān)頻率和輸出電流的關(guān)系。

仿真結(jié)果波形

BMF540R12KA3(工況6kHz 556.5Arms)

F***(800A)(工況6kHz 446Arms)

基本半導(dǎo)體提供碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)板整體解決方案及其零件——針對(duì)62mm

BSRD-2503所應(yīng)用到的以下三款零件為基本半導(dǎo)體自主研發(fā)產(chǎn)品，用戶可單獨(dú)使用以下零件進(jìn)行整體方案的設(shè)計(jì)。

關(guān)于基本半導(dǎo)體

深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司是中國(guó)第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新企業(yè)，專業(yè)從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。公司總部位于深圳，在北京、上海、無錫、香港以及日本名古屋設(shè)有研發(fā)中心和制造基地。公司擁有一支國(guó)際化的研發(fā)團(tuán)隊(duì)，核心團(tuán)隊(duì)由來自清華大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院、英國(guó)劍橋大學(xué)等國(guó)內(nèi)外知名高校及研究機(jī)構(gòu)的博士組成。

基本半導(dǎo)體掌握碳化硅核心技術(shù)，研發(fā)覆蓋碳化硅功率半導(dǎo)體的芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試、驅(qū)動(dòng)應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)，核心產(chǎn)品包括碳化硅二極管和MOSFET芯片、汽車級(jí)及工業(yè)級(jí)碳化硅功率模塊、功率器件驅(qū)動(dòng)芯片等，性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，服務(wù)于電動(dòng)汽車、風(fēng)光儲(chǔ)能、軌道交通、工業(yè)控制、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的全球數(shù)百家客戶。

基本半導(dǎo)體是國(guó)家級(jí)專精特新“小巨人”企業(yè)，承擔(dān)了國(guó)家工信部、科技部及廣東省、深圳市的眾多研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，與深圳清華大學(xué)研究院共建第三代半導(dǎo)體材料與器件研發(fā)中心，是國(guó)家5G中高頻器件創(chuàng)新中心股東單位之一，獲批中國(guó)科協(xié)產(chǎn)學(xué)研融合技術(shù)創(chuàng)新服務(wù)體系第三代半導(dǎo)體協(xié)同創(chuàng)新中心、廣東省第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心。