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集成電路電浪涌的產生和預防

陜西航晶微電子有限公司 ? 2022-07-29 10:33 ? 次閱讀
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器件在使用過程中最常見的失效模式之一就是電浪涌引起的電過載(EOS)損傷或燒毀。下面簡聊下集成電路電浪涌的產生和預防。

1.什么是電浪涌(電過載EOS)

電源電網的波動,電路狀態(tài)的變化,外來干擾信號的饋入以及旁鄰元器件的失效,都會在電路中產生峰值很高的電流或電壓脈沖,稱為電浪涌(電過載EOS),電浪涌會使器件瞬間工作在超過最大額定值的狀態(tài)下。電浪涌的平均功率很小,但瞬時功率很大,足以引起器件失效。有時較低功率的浪涌也會引起器件自激或CMOS電路閂鎖效應而導致失效。電浪涌引起的失效占集成電路使用失效的50%以上。

2.電浪涌與靜電的區(qū)別

靜電和電浪涌的區(qū)別在于靜電是電壓高而能量小,而浪涌能量較大,所以靜電失效的電路表面看不到失效點,功耗并不超標。而電浪涌損傷往往在開帽鏡檢時可以看到,往往伴隨著功耗的增加。

異常電應力燒毀一個器件,靠的不是器件感受到多少電壓,而是該電應力在器件上產生了多少焦耳的熱能。就好比說,一個人站在幾十千伏高壓輸電線下沒事,而用手摸220V交流電就有事是一個道理。

焦耳定律:流過純阻性負載上產生的熱能:

Q=W=Uit=U2/R×t

若R=5Ω,U1=1000V(靜電),t1=1us(靜電),則靜電在半導體上產生的熱能為:

Q1=10002V/5Ω×1uS=200 毫焦耳

若R=5Ω,U2=50V(電浪涌),t2=100ms(電浪涌),則電浪涌在半導體結上產生的熱能為:

Q2=502V/5Ω×100mS=50 焦耳

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3.電路中產生電浪涌的原因

(a)電容負載接通時產生浪涌電流。開關電路驅動電容負載時,當電路中有電壓突變時,由于電容上電壓不能突變,就會產生一個為電容充電的瞬間電流。其大小為

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例如一個穩(wěn)壓器,輸出端接一個大電容,輸入端沒有接電容。在加電的瞬間,就會產生非常大的電流,將穩(wěn)壓器燒毀。

(b)電感負載關斷時產生浪涌電壓。當電路由開態(tài)向關態(tài)轉換時,由于電感上的電流不能突變,在電感上就會產生一個阻止電流變化的浪涌電壓。其大小為

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(c)當電路中使用輸入或輸出變壓器時,在輸入變壓器初級或輸出變壓器次級開路狀態(tài)下,會感應很高的電壓,導致電路輸入級或輸出級損傷。

(d)電網電壓的波動,特別是突然的停電和來電,也會產生很大的浪涌電壓和浪涌電流。

(e)由于接線錯誤或操作失誤,如加電順序錯誤導致電路中某些晶體管正向擊穿或反相擊穿,不但晶體管特性變壞,還會引起浪涌電流。

(f)數(shù)字電路翻轉可產生浪涌電流。數(shù)字電路的翻轉過程往往是部分晶體管由導通轉為截止,而另一部分晶體管由截止轉為導通。晶體管都有相應的開關時間,即存儲電荷的充放電時間,翻轉時會出現(xiàn)兩部分晶體管同時導通,就在電路中形成了浪涌電流。

4.電浪涌的預防

(a)正確的使用集成電路,包括正確連接、加電順序、斷電順序、試驗程序、操作方法等。認真檢查外圍電子元器件,防止外圍電子元器件失效導致浪涌產生。

(b)對于產生浪涌電流的電路,原則上串入適當?shù)碾姼谢?a target="_blank">電阻來加以消除。

(c)對于產生浪涌電壓的電路,原則上并聯(lián)一個電阻,或一個二極管(電壓浪涌發(fā)生時二極管應導通)來加以消除。

(d)設計中按集成電路使用說明書進行電路設計,該使用的元器件一定不要少,如消振電容、電源濾波電容等。

(e)避免輸入變壓器初級和輸出變壓器次級開路,必要時,可并聯(lián)一個電阻或電容。

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