深圳市薩科微半導(dǎo)體公司公司，是以研究制造第三代半導(dǎo)體新材料碳化硅功率器件元器件發(fā)展起來的公司，薩科微slkoric于2022年獲授“國家級(jí)高新技術(shù)企業(yè)”，原始取得關(guān)于MOS管、IGBT管、元器件封測等發(fā)明專利幾十項(xiàng)，通過了歐盟標(biāo)準(zhǔn)的ROHS及REACH檢測。薩科微slkormicro不斷研究新技術(shù)創(chuàng)新工藝和推出新產(chǎn)品，最近推出了SL40T120FL系列IGBT單管和CMOS運(yùn)算放大器SLA333系列等產(chǎn)品，促進(jìn)公司進(jìn)步的同時(shí)也引領(lǐng)電力電子行業(yè)的不斷發(fā)展。薩科微研發(fā)技術(shù)骨干由北京清華大學(xué)和延世大學(xué)專家組成，研發(fā)、生產(chǎn)、封測、銷售等關(guān)鍵環(huán)節(jié)已經(jīng)成功往中國轉(zhuǎn)移，在集成電路的“國產(chǎn)替代”中取得不俗成績。

薩科微半導(dǎo)體最近推出了IGBT單管SL40T120FL系列,該型號(hào)功率(Pd)可達(dá)417W、集射極擊穿電壓(Vces)為1.2kV、集電極電流(Ic)為40A，集射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Vge)為1.8V，可應(yīng)用在交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路和牽引傳動(dòng)等場景。薩科微技術(shù)顧問清華大學(xué)李健雄老師介紹說，IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），也叫絕緣柵雙極型晶體管，是由MOSFET（絕緣柵型場效應(yīng)晶體管）和BJT(雙極型晶體管)相結(jié)合的電壓驅(qū)動(dòng)式功率器件，既有MOSFET管輸入阻抗高、控制功率小、易于驅(qū)動(dòng)、控制簡單、開關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn)，又結(jié)合了雙極晶體管的導(dǎo)通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點(diǎn)。IGBT還被稱為電力電子電路的“CPU”，是電力能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷哂幸欢ǖ姆糯箅妷旱墓δ?，?dǎo)通時(shí)可以看做短路線，截止時(shí)看做開路。薩科微新開發(fā)的SL40T120FL系列高性能、高可靠性與低成本的IGBT芯片，不僅僅需要在設(shè)計(jì)端不斷優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)，對(duì)晶圓制造和封裝及其散熱的要求更高，薩科微slkormicro半導(dǎo)體這兩年也在逐點(diǎn)突破。

審核編輯 黃宇