WB彈坑技術(shù)研究：Pad結(jié)構(gòu)對(duì)于彈坑的影響
彈坑是由于焊球在壓到芯片焊區(qū)表面時(shí)，接觸力、鍵合力和鍵合功率設(shè)置匹配不當(dāng)導(dǎo)致焊區(qū)的硅層受到損傷，如果彈坑損傷比較輕微，彈坑一般呈月牙型，當(dāng)彈坑損傷比較嚴(yán)重時(shí)，彈坑呈圓環(huán)型，當(dāng)彈坑損傷非常嚴(yán)重時(shí)，芯片的硅層表面可以看到明亮的硅缺失痕跡。
編輯：黃飛
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原文標(biāo)題：WB彈坑問(wèn)題的技術(shù)研究
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