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Chipown經(jīng)典多模式ACDC芯片PN8715H/PN8712H系列可完美替換5ARxx

芯朋微電子 ? 來源:芯朋微電子 ? 2023-09-14 14:33 ? 次閱讀
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Chipown經(jīng)典多模式ACDC芯片PN8715H/PN8712H系列,可完美替代進口工業(yè)級芯片5ARxx系列 。該系列產(chǎn)品內(nèi)部集成了800V高壓功率MOSFET,通過PWM模式、降頻模式、BM模式三種工作模式混合調(diào)節(jié),實現(xiàn)了超低的待機功耗、全電壓范圍下的最佳效率!

One more thing,芯朋產(chǎn)品都不會止步于替代。DIP7封裝的PN8715HNS-B1具有線電壓欠壓保護功能,SOP12封裝的PN8715HSC-A1具有線電壓過壓保護功能,功能比競品更實用豐富,特別適合服務器、白電、PC、TV等應用場景!

芯片介紹

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一、芯片特性

隨負載情況工作于PWM、PFM、Active-Burst-Mode三種模式

內(nèi)置800V高雪崩能力的功率MOSFET

內(nèi)置跨導放大器,智能識別隔離和非隔離反饋

內(nèi)置高壓啟動功能

最高工作頻率100kHz

改善EMI的頻率調(diào)制技術

內(nèi)置線電壓補償和斜坡補償

優(yōu)異全面的保護功能: 過載保護(OLP)、逐周期過流保護(OCP)、 VDD過壓保護、CS短路保護、 過溫保護(OTP)、線電壓過壓保護(OVP)、線電壓欠壓保護(BNO)

二、應用場景

白色家電、個人電腦、服務器等應用中輔助電源

電源適配器

開放式電源

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圖1 隔離反激型應用

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圖2 非隔離反激型應用

芯片優(yōu)勢

1

800V智能功率器件

芯片內(nèi)部集成了800V高雪崩能力的功率MOSFET。PN8715H內(nèi)置MOSFET導通電阻僅0.6Ω,實現(xiàn)ICE5AR0680系列替代;PN8712H內(nèi)置MOSFET導通電阻2.8Ω,實現(xiàn)ICE5AR4780系列替代;導通損耗更低,轉換效率更高,溫升效果更佳!

2

高壓啟動

芯片內(nèi)部集成了高壓啟動管,無需外部啟動電阻,可實現(xiàn)50mW待機,具有高集成度的優(yōu)勢!

芯片對啟動電流做了分段設計,可防止VDD短路情況下,HV充電損耗過大,導致芯片過熱損壞。

3

混合工作模式

芯片通過檢測FB反饋信號決定芯片的工作頻率和CS電壓閾值。根據(jù)負載情況,工作于PWM、PFM、Burst-mode三種模式,可提高全負載段效率。

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圖3 頻率變化表現(xiàn)

4

智能選擇反饋模式

PN8715H/PN8712H可智能選擇反饋模式,適應反激非隔離或隔離應用環(huán)境。

隔離反饋模式時,S1開通,S2 open;非隔離模式時,S2開通,S1open,簡單易用!

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圖4 隔離反饋模式

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圖5 非隔離反饋模式

5

全面保護

PN8715H/PN8712H提供了極為全面和性能優(yōu)異的智能化保護功能,包括過載保護、逐周期過流保護、VDD過壓保護、CS短路保護、過溫保護,以及可選的線電壓過壓保護、線電壓欠壓保護。全方位的保駕護航,可以滿足不同應用場景的需求!

PN8715H(DIP7)特有的線電壓欠壓保護功能(可選),通過簡單的外圍電路即可實現(xiàn)自定義設置。

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圖6 BO腳外圍電路

PN8715H(SOP12)具有壓過壓保護功能,可以通過OV引腳用類似的方法實現(xiàn)。

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圖7 OV腳外圍電路







審核編輯:劉清

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:【工業(yè)級輔源系列】800V高可靠多模式ACDC,完美替換5ARxx

文章出處:【微信號:chipown,微信公眾號:芯朋微電子】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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