主控芯片是構(gòu)建電子系統(tǒng)所不可缺少的核心芯片。從電路功能至應(yīng)用領(lǐng)域,它們可以滿足不同級(jí)別電子設(shè)備的要求。主控芯片的類型很多,其中包括可編程微控制器(MCU)、嵌入式處理器、微處理器、現(xiàn)代處理器、專用邏輯芯片和數(shù)模轉(zhuǎn)換器(ADC),等等。今天介紹的是應(yīng)用于快速充電器的主控電源芯片U8722!
快速充電器主控電源芯片U8722是一款集成 E-GaN 的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)。芯片采用準(zhǔn)諧振控制方式,最高支持 220kHz 開關(guān)頻率,適用于高功率密度的交直流轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)。
快速充電器電源芯片U8722管腳封裝形式有ESOP-7和HSOP-7兩種,ESOP-7管腳封裝為:
1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳
2 FB P 系統(tǒng)反饋輸入管腳
3 DEM I/O 消磁檢測(cè)、輸出 OVP 檢測(cè)、驅(qū)動(dòng)能力分檔判定管腳
4 VDD P 芯片供電管腳
5 SW P Boost 電路內(nèi)置 MOS 的漏極管腳
6/7 GND P 芯片參考地
8DRAIN P 內(nèi)置高壓 GaN FET 漏極、高壓?jiǎn)?dòng)供電管腳
快速充電器電源芯片U8722HSOP-7管腳封裝為:
1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳
2 FB P 系統(tǒng)反饋輸入管腳
3 DEM I/O 消磁檢測(cè)、輸出 OVP 檢測(cè)、驅(qū)動(dòng)能力分檔判定管腳
6 VDD P 芯片供電管腳
4 SW P Boost 電路內(nèi)置 MOS 的漏極管腳
5 GND P 芯片參考地
7 DRAIN P 內(nèi)置高壓 GaN FET 漏極、高壓?jiǎn)?dòng)供電管腳
在輕載和空載狀態(tài)下,當(dāng)FB管腳電壓低于VSKIP_IN (典型值 0.4V) 時(shí),系統(tǒng)進(jìn)入打嗝模式工作,停止開關(guān)動(dòng)作。當(dāng)FB電壓超過VSKIP_OUT(典型值 0.5V/0.7V) 時(shí),快速充電器電源芯片U8722重新開始開關(guān)動(dòng)作。打嗝模式降低了輕載和待機(jī)狀態(tài)下的系統(tǒng)功耗。芯片采用了打嗝噪音優(yōu)化技術(shù),可自適應(yīng)的調(diào)節(jié)打嗝VSKIP_OUT 的閾值,實(shí)現(xiàn)噪音和紋波的最優(yōu)化。
一旦檢測(cè)到故障,包含VDD過壓保護(hù)、過溫保護(hù)、輸入欠壓保護(hù)、輸出過壓保護(hù)、異常過流保護(hù)、輸出過流保護(hù)、輸出過載保護(hù)快速充電器電源芯片U8722立即停止開關(guān)動(dòng)作并進(jìn)入計(jì)時(shí)狀態(tài),同時(shí)VDD電壓被高壓供電電路鉗位到VVDD_REG_ST (典型值12V),經(jīng)過TRECOVERY (典型值1.3s) 時(shí)間后如果故障仍然存在,那么系統(tǒng)將繼續(xù)重復(fù)一個(gè)計(jì)時(shí)動(dòng)作,如果故障狀態(tài)消失,系統(tǒng)將重新啟動(dòng),以提供最安全、最高效的保障!
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