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電子元件性能下降,如何才能保護您的模擬前端呢?

jf_pJlTbmA9 ? 來源:亞德諾半導體 ? 作者:亞德諾半導體 ? 2023-11-02 16:24 ? 次閱讀
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何謂 EOS?

EOS是一個通用術(shù)語,表示因為過多的電子通過相應(yīng)路徑試圖進入電路,導致系統(tǒng)承受過大壓力。有一點需要注意,這是一個隨功率和時間變化的函數(shù)。

如果將復雜電路看作一個簡單的消耗功率的元件,例如,將它視為一個電阻。在額定功率為1 W的1 Ω電阻上施加1.1 V電壓,計算功耗的公式如下:

pYYBAGIB18aAe9vRAAAHlpHkxGk377.png

計算得出,消耗的功率為1.21 W。雖然電阻的額定功率為1 W,但是可能存在一些余量,所以暫時不用擔心這一點。但并不能夠始終如此。

將電壓增加到2 V,會出現(xiàn)什么情況?如果功耗達到之前示例的4倍,那么電阻可能會像一個空間加熱器在很有限的時間內(nèi)提高環(huán)境溫度,但是請記住這個公式:

poYBAGIB18eASQYkAAADd64xPz8366.png

如果將電壓增加到10 V,但僅持續(xù)10毫秒呢?有趣的地方就在這里:如果不了解部件,以及設(shè)計處理部件的目的,您就無法真正了解會對該部件產(chǎn)生什么影響。現(xiàn)在,來看看整個元件系統(tǒng)。

哪些部分易受EOS影響?

一般而言,任何包含電子元件的部分都容易受到EOS影響。特別薄弱的部分是那些與外界的接口,因為它們很可能是最先接觸到靜電放電(ESD)、雷擊等的部分。我們感興趣的部件包括USB端口示波器模擬前端,以及最新的高性能物聯(lián)網(wǎng)混合器的充電端口等。

pYYBAGIB18mALOwcAAA9vy1xQqY068.jpg 圖1. 8 kV時的理想接觸放電電流波形。

如何知道要防范哪些問題?

雖然我們想要保護系統(tǒng)免受電氣過載,但是這個術(shù)語太寬泛了,對于決定如何保護系統(tǒng)沒有任何幫助。為此,IEC(以及許多其他組織)做了大量工作來弄清楚在現(xiàn)實生活中可能會遇到的EOS類型。接著將重點探討IEC規(guī)范,因為它們涵蓋廣泛的市場應(yīng)用,而與該規(guī)范相關(guān)的混亂狀況也說明需要本文來厘清。表1顯示了三個規(guī)范,它們定義了系統(tǒng)可能遇到的EOS狀況類型。在本文中只對ESD做深入探討,同時也會讓大家熟悉電快速瞬變(EFT)和浪涌。

poYBAGIB18uAQU-dAAIjHtGkew8433.jpg 圖2. 符合IEC61000-4-4標準的電快速瞬變4級波形。
pYYBAGIB18yAAfGrAABpwWa7VDE193.png 表1. IEC規(guī)范

集成電路制造商如何應(yīng)對芯片ESD?

芯片中的保護主要用于應(yīng)對制造過程中的ESD,而不是在系統(tǒng)通電狀態(tài)下的ESD。這一差異非常重要,因為在放大器連接電源和沒連接電源時,其在遭受靜電時的反應(yīng)截然不同。例如,內(nèi)部保護二極管可消除在無電源供電時對部件的靜電放電沖擊。但是,當有電源供電時,對部件的靜電放電沖擊可能會使內(nèi)部結(jié)構(gòu)傳導的電流超過其設(shè)計承受水平,這可能導致該部件損毀,具體由部件和電源電壓決定。

這是全球范圍內(nèi)亟待解決的問題!如何保護IC免受這種潛在威脅?

希望您能夠意識到,這個挑戰(zhàn)涉及很多因素,一個簡單的解決方案是無法應(yīng)用于所有情況的。下方是一個涉及因素列表,列出了決定部件能否承受EOS事件的因素。這些因素分為兩組:無法控制的因素和可以控制的因素。

無法控制的因素:

IEC波形:ESD、EFT和浪涌的曲線各有不同,它們會以不同的方式攻擊器件的某些弱點。

考慮器件的工藝技術(shù):有些工藝技術(shù)比其他技術(shù)更容易發(fā)生閂鎖。例如,CMOS工藝容易發(fā)生閂鎖,但在許多現(xiàn)代工藝中,可以通過精心設(shè)計和溝槽隔離來減輕這種危害。

考慮器件的內(nèi)部結(jié)構(gòu):集成電路的設(shè)計方法很多,所以對一種電路有效的保護方案對另一種可能無效。例如,許多器件都有時序電路,檢測到波形足夠快時,就會啟動保護結(jié)構(gòu)。這可能意味著,如果您在靜電放電的位置增加更多電容,那么能夠承受靜電放電沖擊的器件可能無法承受這種電容沖擊。這種結(jié)果出乎意料,但認識到以下這一點非常重要:常見的電路保護方法,即RC濾波器,可能會讓情況更糟。

poYBAGIB182AMB0lAACmn9IDX70112.jpg 圖3. IEC61000-4-5浪涌在8 μs/20 μs電流波形位置轉(zhuǎn)為正常狀態(tài)。

可以控制的因素:

PCB布局:部件離沖擊的位置越近,其電能波形就越高。這是因為,當沖擊波形沿某條路徑傳播時,從傳播路徑輻射出去的電磁波會有能量損耗、這是由于路徑電阻產(chǎn)生的熱量以及與周邊導體耦合的寄生電容和電感所導致。

保護電路:這是對器件的生存能力最有意義的部分。上述無法控制的因素將會影響保護方案的設(shè)計。

現(xiàn)在有過壓保護(OVP)和過限額(OTT)特性??梢岳眠@些特性來保護電路不受高壓瞬變影響嗎?

OVP和OTT特性讓部件的輸入在承受超過電源電壓的電壓時,本身不會受到損壞。依靠這些特性來保護電路不受高壓瞬變影響,就像是依靠雨靴來應(yīng)對高壓沖水機一樣。雨靴只對水深不超過其高度的淺水沆有效,就像OVP和OTT只適用于比其額定值低的電壓。OVP和OTT的額定電壓比給定的供電軌電壓高幾十伏。它無法抵抗8000V的高壓。

如何知道保護電路是否有效?

通過結(jié)合器件知識、經(jīng)驗和測試,大致可以知道,系統(tǒng)中應(yīng)該采用哪些部件最有利。為了保證器件可控,各家制造商提供了五花八門的保護組件,本文只討論兩種經(jīng)證實能夠有效保護模擬前端的電路保護方案。以下方案假設(shè)采用一個緩沖配置的運算放大器。這被認為是最嚴格的保護測試,因為同相輸入會承受所有沖擊,除此以外,電能無處可去(安裝保護電路之前)。

pYYBAGIB18-AYsl5AABXL2ETnxg611.jpg 圖4. IEC-61000-4-2測試中采用的電路。

設(shè)計考量:

R1應(yīng)該是一個防脈沖(厚膜)電阻,這樣它在經(jīng)受高壓瞬變時不會輕易毀壞。

R1電壓噪聲與電阻值的平方根成正比,如果系統(tǒng)需要低噪聲,這是一個重要的考慮因素。

C1應(yīng)該是一個陶瓷電容,其封裝尺寸至少為0805,以減小封裝的表面電弧。

C1至少應(yīng)為X5R類型溫度系數(shù)的電容(理想為C0G/NP0類型),以保持可預(yù)測的電容值。

C1內(nèi)部的等效串聯(lián)電感和電阻應(yīng)盡可能低,以便有效吸收沖擊。

針對給定的封裝尺寸,C1的額定電壓應(yīng)盡可能高(最低100 V)。

在本例中,C1的位置在R1之前,因為它構(gòu)建了一個電容分壓器,其中150 pF 電容(如圖5所示)將ESD波形放電到系統(tǒng)中,這樣在放大器經(jīng)受波形之前,能量已經(jīng)先分流。

poYBAGIB19CAPRX5AAA-c0xejJc530.jpg 圖5. 通過在模擬輸入端配置低通濾波器實現(xiàn)輸入保護。

poYBAGIB19GADGdWAAA86ootWNY205.png RC網(wǎng)絡(luò)保護方案

RC網(wǎng)絡(luò)保護方案

注意:雖然這種前端保護方法并沒有得到電容制造商的認可,但在針對放大器的數(shù)百次測試中證明是有效的。ESD測試曲線(如下所述)僅在有限范圍的電容產(chǎn)品上進行過測試,因此,如果使用不同的電容產(chǎn)品,需要先表征其應(yīng)對沖擊的特性,例如通過測量經(jīng)受ESD沖擊之前和之后的電容和等效串聯(lián)電阻的 方法,這一點非常重要。該電容器件應(yīng)保持容值穩(wěn)定,并且在被沖擊后,始終在直流下保持開路狀態(tài)。

設(shè)計考量:

與RC網(wǎng)絡(luò)相同:R1應(yīng)能承受脈沖,但可能需要考慮噪聲。

應(yīng)該指明D1需要滿足的標準。有些可能只涵蓋ESD,其他的則涵蓋EFT和浪涌標準。

D1應(yīng)該是雙向的,這樣它就可以同時應(yīng)對正負沖擊。

D1反向工作電壓應(yīng)盡可能高,同時仍需通過必要的測試。如果過低,在正常的系統(tǒng)電壓電平下可能出現(xiàn)漏電流。如果過高,則可能無法在系統(tǒng)損壞之前做出反應(yīng)。

TVS二極管泄漏對性能的影響

模擬電子領(lǐng)域,大家都知道TVS二極管容易發(fā)生泄漏,因此不能用于精密模擬前端。但有時情況不是這樣,許多數(shù)據(jù)手冊中的泄漏電流< 100μA,對于大多數(shù)模擬產(chǎn)品這個值是相當高的。對于這個數(shù)值,問題在于,它是在最高溫度(150°C)和最大工作電壓下的取值。在這種情況下,二極管極易泄漏。超過85°C,所有二極管的泄漏電流會更高。只要選擇反向工作電壓更高的TVS二極管,且不期望在85°C以上實現(xiàn)極低漏電流,則有望獲得更低的泄漏電流。

poYBAGIB19OAGhjrAAA-m3hgSq4441.jpg 圖6. 通過在模擬輸入端配置TVS二極管實現(xiàn)輸入保護。

poYBAGIB19SAMgNTAAAqdS_WGX0679.png TVS網(wǎng)絡(luò)保護方案

如果您選擇了合適的TVS,泄漏電流值可能低到讓您驚訝。圖7所示為測量12個相同產(chǎn)品型號的TVS二極管時獲得的泄漏數(shù)據(jù)。

pYYBAGIB19WAC_rqAABDR9FpTqE537.jpg 圖7. 36 V雙向TVS二極管Bournes T36SC的泄漏值,在TIA中采用ADA4530評估板,帶屏蔽,在25°C時采用10 G電阻。

在測量的12個TVS二極管中,在直流偏置電壓為5 V時,最嚴重的泄漏量為7 pA。這比最壞情況下的數(shù)據(jù)表的值要好千百萬倍。當然,不同批次的TVS二極管在泄漏方面存在差異,但這至少可以說明預(yù)期的泄漏幅度。如果系統(tǒng)經(jīng)受的溫度不會超過85°C,TVS二極管可能是個不錯的選擇。只要記住,如果您選擇的產(chǎn)品不是本文所述的測試產(chǎn)品,請表征其泄漏特性。對一個部件或制造商而言正確的結(jié)論,對其他部件或制造商可能并不正確。

測試結(jié)果:

采用IEC ESD標準對一系列運算放大器進行了測試。表2顯示不同保護方案分別適合保護的組件。雖然ESD標準規(guī)定在±8 kV要保證經(jīng)受三次沖擊,但所有這些方案都通過了在±9 kV時經(jīng)受100次沖擊的測試,以確保提供足夠的保護余量。

pYYBAGIB19eAJkiXAACP6PYsiUo259.png
poYBAGIB19iAd4f4AACCGPGVl0A243.png 表2. 通過IEC-61000-4-2測試的器件列表及其各自的保護配置

EC標準要求,通過將兩個470 kΩ電阻與30 pF電容并聯(lián),使ESD源的接地端與放大器的接地端連接在一起。本測試的設(shè)置則更為嚴格,它將ESD源的接地端與放大器的接地端直接相連。這些結(jié)果也在IEC接地耦合方案中得到了驗證,這可以進一步增強產(chǎn)品的可信賴度。請記住,由于放大器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)存在很大不同,對本列表中的器件適用的數(shù)據(jù)可能適用,也可能不適用于其他器件。如果使用其他器件或其他保護元件,建議對其進行全面測試。

使用的保護元件:

電阻:Panasonic 0805 ERJ-P6系列

電容:Yageo 0805 100 V C0G/NPO

TVS二極管:Bourns CDSOD323-T36SC(雙向,36 V,極低漏電流,符合ESD、EFT和浪涌標準)

ESD壓敏電阻:Bourns MLA系列,0603 26 V

BBonus元件:ESD壓敏電阻

TVS二極管性能良好,可以經(jīng)受無數(shù)次沖擊。這對于EFT和浪涌保護非常不錯,但是,如果您只需要ESD保護,不妨看看ESD壓敏電阻,在達到某個電壓值之前,它們都用作高壓電阻,達到該電壓值之后,它們轉(zhuǎn)變?yōu)榈蛪弘娮?,可以分流掉壓敏電阻中的電能?/p>

可采用與TVS二極管相同的配置。它們的泄漏更少,成本不到TVS二極管的一半。請注意,其設(shè)計并不要求經(jīng)受數(shù)百次沖擊,且其電阻會隨著每次沖擊下降。ESD壓敏電阻也在上述產(chǎn)品上進行了測試,當串聯(lián)電阻值約為TVS二極管所需值的兩倍時,該壓敏電阻的性能最佳。

這些產(chǎn)品只在ESD標準下進行過測試。EFT的獨特之處在于,雖然電壓不高(4 kV及以下),其沖擊卻是爆發(fā)式(5 kHz或以上),上升時間較慢(5 ns)。浪涌每次沖擊的能量大約是EFT的1000倍,但速度只有波形的1/1000。如果還需要涵蓋這些標準,請確保在這些保護元件的數(shù)據(jù)手冊上表明,它們可以應(yīng)對這個問題。

電路保護概述

雖然看起來事后在電路中添加RC濾波器或TVS二極管并不難,但請注意,本文中提到的所有其他因素會影響系統(tǒng)性能和保護級別。這包括布局、前端使用的器件,以及需要滿足的IEC標準。如果您從開始就謹記這一點,就可以避免在系統(tǒng)設(shè)計的最后階段可能出現(xiàn)需要重新設(shè)計的緊急狀況。

來源:亞德諾半導體

審核編輯:湯梓紅

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