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沉積氮化硅薄膜的重要制備工藝——PECVD鍍膜

美能光伏 ? 2023-09-27 08:35 ? 次閱讀
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PECVD作為太陽能電池生產(chǎn)中的一種工藝,對其性能的提升起著關鍵的作用。PECVD可以將氮化硅薄膜沉積在太陽能電池片的表面,從而有效提高太陽能電池光電轉換率。但為了清晰客觀的檢測沉積后太陽能電池片氮化硅薄膜,了解其薄膜的厚度、表面粗糙度等各種參數(shù)信息,就必須運用臺階儀進行測量。「美能光伏」生產(chǎn)的美能探針式臺階儀,可測量太陽能電池片氮化硅薄膜表面的粗糙度、翹曲應力等各種參數(shù)信息,為光伏企業(yè)用戶評估關于太陽能電池性能方面的問題。本期「美能光伏」將給您介紹PECVD工藝!

帶您深入了解PECVD工藝的基本原理

PECVD又叫化學氣相沉積,是一種利用等離子體在低溫下進行沉積的薄膜生長技術,PECVD技術是在低氣壓下,利用低溫等離子體工藝腔體陰極上產(chǎn)生輝光放電,再利用輝光放電使樣品升溫到預定的溫度,然后通入適量的工藝氣體,這些氣體經(jīng)一系列化學反應和等離子體反應在高溫下分解生成所需的化合物,然后將化合物沉積在太陽能電池片的表面或其他襯底材料表面從而形成薄膜。

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PECVD工藝的基本原理


PECVD的工藝優(yōu)勢

相較于傳統(tǒng)的CVD,PECVD的主要優(yōu)勢之一是可以在較低溫度下操作,從而減少對襯底材料的熱應力,廣泛適用于太陽能電池的制造。PECVD等離子體中含有大量高能量的電子,它們可以提供化學氣相沉積過程所需要的激活能。電子與氣相分子的碰撞能夠促進氣體分子分解、化合、激發(fā)和電力過程,生成活性很高的各種化學集團,從而顯著降低PECVD薄膜沉積的溫度范圍,使原來需要在高溫下才能進行的薄膜沉積在低溫下也可以實現(xiàn)。

PECVD方法沉積薄膜能夠避免薄膜與襯底間發(fā)生不必要的擴散與化學反應、避免薄膜或襯底材料結構變化與性能惡化、避免薄膜與襯底中出現(xiàn)較大的熱應力等,從而有效保證太陽能電池的性能穩(wěn)定。


美能探針式臺階儀

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美能探針式臺階儀是一款先進的微納測量儀器,采用出色的儀器系統(tǒng)構造和最優(yōu)化的測量及數(shù)據(jù)處理軟件,可測量表面粗糙度、波紋度、表面2D/3D形狀、翹曲和應力。從而實現(xiàn)可靠、高效、簡易的樣品檢測,并完成從研發(fā)到質量控制的完美把控。

● 配備500W像素高分辨率彩色攝像機

● 臺階高度重復性1nm

● 超高直線度導軌、反應樣品微小形貌

● 亞埃級分辨率、13μm量程下可達0.01埃

高低噪比與低線性誤差


PECVD工藝作為能夠通過薄膜沉積而直接提高太陽能電池性能的關鍵步驟,一直都是各大光伏電池廠商所著重關注的工藝流程。「美能光伏」生產(chǎn)的美能探針式臺階儀,憑借獨特的檢測技術,給予沉積在太陽能電池片表面氮化硅薄膜的針對性檢測,幫助光伏電池廠商評估薄膜沉積后太陽能電池的性能,從而實現(xiàn)有力的科學證明!

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