9月26日，慧能泰半導體旗下的供電協(xié)議芯片HUSB251通過UFCS功能認證，獲得“融合快速充電功能認證證書”。

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HUSB251產品概要

HUSB251是一款PD DRP雙向快充協(xié)議芯片，符合USB PD3.1協(xié)議規(guī)范，最大輸出輸入電壓28V；通過固件配置可實現(xiàn)PPS、28V EPR FPDO和EPR AVS，及自定義PDO。

當工作在Source模式下時，DPDM PHY支持可編程的專有協(xié)議：BC1.2和5V2.4A、QC2.0/3.0+、AFC、FCP、SCP，以及國內首個融合快充協(xié)議UFCS。

當工作在Sink模式下時，DPDM PHY支持可編程的專有協(xié)議：BC1.2、QC2.0/3.0+、UFCS。HUSB251具有32K EPPROM, 一組master/slave和UART, 獨立DPDM PHY, PD PHY, 電壓電流環(huán)路控制及通用的GPIO和ADC。可適用于電動工具、便攜式儲能、充電器、筆記本、平板等應用。

慧能泰HUSB251100W PD3.1 雙向快充應用參考設計方案支持最大雙向100W PD快充；通過控制PMIC的FB實現(xiàn)電壓調整，同時也可以通過I2C控制PMIC實現(xiàn)充放電控制。

HUSB251參考設計方案支持4 串電芯配置，采用全棧 PD DRP 協(xié)議，支持 5/9/15/20V @5A,最高可定制為140W以及28V輸出的 PD3.1 DRP 應用，方案具備靈活的 VDM 報文擴展能力和完備的系統(tǒng)充放電功率策略。

參考設計方案采用 RISC-V 內核的HUSB251完成協(xié)議識別和充放電管理，控制雙向 BUCK-BOOST 電源管理芯片，完成功率轉換。

HUSB251 內置高性能32位 RISC-V 微處理器內核和32K EPPROM、8K RAM充足的空間供用戶進行自定義開發(fā)，同時支持在線升級。

HUSB251使用了軟硬結合的靈活可編程架構，內部采用 TCPM/TCPC 分層架構，用于Type-C 接口檢測與數(shù)模電路控制。集成的PD PHY 層可實現(xiàn)BMC和CRC自動計算，同時可實現(xiàn)協(xié)議的沖突機制。

HUSB251芯片致力于打造開放平臺和差異化應用的設計理念，設計人員可以更合理有效地利用芯片上 MCU 的資源，簡化差異化應用軟件的設計，縮短系統(tǒng)開發(fā)時間，同時更好地保證系統(tǒng)的實時性和可靠性，完美實現(xiàn) PD+MCU 的應用開發(fā)。

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性能實測

看完了上面的方案介紹，下面再來看看慧能泰HUSB251 參考設計方案的實際性能表現(xiàn)。

將HUSB251DRP 100W EVB的BAT+/BAT-接電池包，使用 Power-Z KM003C 讀取 PDO 報文，顯示其支持5V3A、9V3A、15V3A、20V5A 五組 SPR 固定電壓檔位，3.3~21V5A 一組 PPS檔位，28V5A 一組 EPR 固定電壓檔位，以及 14~28V 一組 AVS 檔位。

將HUSB251PD3.1 DRP 100W EVB 同過POWERZ誘騙20V，進行放電測試：

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產品特性

雙向 100W DRP, 自動識別 E-mark 線材；

自動檢查插入適配器，智能選擇充電電壓和電

流；

支持 4 節(jié)串聯(lián)電池充電，電池電壓和串聯(lián)數(shù)量

可定制；

普通線材輸出 PDO:

5V/3A,9V/3A,12V/3A,15V/3A,20V/3A,3.3V~11V

/3A, 3.3V~21V/3A

E-Mark 線輸出 PDO:

5V/3A,9V/3A,12V/3A,15V/5A,20V/5A,3.3V~11V

/5A, 3.3V~21V/5A

支持 TYPEC 端口升級；

支持 SCP, OVP, OCP，UVP 等各種保護；

支持雙環(huán)路控制，即電壓環(huán)路和電流環(huán)路。

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慧能泰的UFCS產品布局

作為UFCS融合快充協(xié)議的重要參與制定者，慧能泰除了此次獲得認證的HUSB251之外，另還有多款支持UFCS的產品正在開發(fā)中。在推進充電接口技術融合的道路中，慧能泰憑借自身多年的技術積累，始終秉承“芯智慧芯能源，共建綠色未來”的企業(yè)使命，不斷開拓創(chuàng)新，提高資源利用率，用“芯”推動融合快充應用落地，積極構建終端快充產業(yè)新生態(tài)！

審核編輯：劉清