下圖是sd協(xié)議規(guī)定的上電規(guī)范，SD NAND的工作電壓范圍是2.7V-3.6V

電源供電需要注意一下幾個(gè)方面：

1、為了確保芯片能正常上電復(fù)位，電壓要在0.5V以下至少1ms；

2、電源上升的時(shí)候需要保持電源是穩(wěn)定的、是持續(xù)上升的，上升到正常工作電壓的時(shí)間是0.1ms-35ms；

3、主機(jī)關(guān)閉電源時(shí)，將卡的VDD降至0.5伏以下a最小周期為1ms。在斷電期間，DAT, CMD和CLK應(yīng)斷開(kāi)連接或驅(qū)動(dòng)由主機(jī)到邏輯0，以避免工作電流通過(guò)信號(hào)線(xiàn)引出的情況。

電源供電能力

因?yàn)樾酒x寫(xiě)時(shí)消耗的電流比較大，因此對(duì)電源的供電要求也不低，

例如MK-米客方德MKDV1GIL-AS工業(yè)級(jí)SD NAND的工作消耗電流如下圖

電源的供電能力一定要滿(mǎn)足SD卡的耗電需求

供電電源的選擇和設(shè)計(jì)

設(shè)計(jì)電源電路時(shí)，最好時(shí)選擇DC-DC電源，LDO電源的供電能力不是很強(qiáng)，而且不是很穩(wěn)定，容易出現(xiàn)問(wèn)題，當(dāng)不良現(xiàn)象是那種偶然性現(xiàn)象時(shí)，需要大量測(cè)試才會(huì)發(fā)現(xiàn)問(wèn)題時(shí)，這個(gè)現(xiàn)象很可能是電源的問(wèn)題導(dǎo)致的。

例如應(yīng)用在內(nèi)窺鏡、打獵相機(jī)和電池門(mén)鈴方面，不良現(xiàn)象是拍照拍到幾千張時(shí)就會(huì)出現(xiàn)問(wèn)題；拍照存圖片的應(yīng)用電路如下：

經(jīng)過(guò)分析發(fā)現(xiàn)，供電電路用的一個(gè)三極管，三極管的過(guò)電流能力比較小，當(dāng)這個(gè)三極管被換成MOS管時(shí)，不良現(xiàn)象就沒(méi)有再出現(xiàn)過(guò)，所以芯片的供電電路也是非常的重要的，在設(shè)計(jì)的供電電路設(shè)計(jì)中，不僅要保證供電的驅(qū)動(dòng)能力足夠，還需要保證供電的穩(wěn)定性和電源紋波不能過(guò)大；而且電源設(shè)計(jì)時(shí)不能加EN這種使能引腳來(lái)控制電源，這種情況也容易出現(xiàn)問(wèn)題。