碳化硅是一種高性能的半導體材料。KeepTops的SiC肖特基二極管具有高能效、高功率密度、小尺寸和高可靠性，可在電力電子技術(shù)領(lǐng)域突破硅的極限，成為新能源。以及用于電力電子裝置的優(yōu)選裝置。

碳化硅非常堅硬，莫氏硬度為9.5，僅次于世界上最硬的鉆石（10級）。具有優(yōu)良的導熱性，是一種半導體，在高溫下可以抗氧化。

使用SiC制作的半導體器件有很多種，包括肖特基二極管。SiC肖特基二極管于1985年問世，又稱熱載流子二極管。它們通過金屬和半導體接觸形成肖特基勢壘以實現(xiàn)整流。與普通PN結(jié)二極管相比，肖特基二極管的反向恢復慣量很低。因此，肖特基二極管適用于高頻整流或高速開關(guān)。

碳化硅的使用允許極快的開關(guān)，高頻操作，零恢復和溫度獨立的行為，并與我們的低電感反相封裝耦合，這些二極管可用于任何快速開關(guān)二極管電路或高頻轉(zhuǎn)換器的應用數(shù)量。
碳化硅二極管具有效率高、功率大、頻率高等優(yōu)點。它們主要用于重型電機和工業(yè)設(shè)備中的高頻功率轉(zhuǎn)換器。

在新能源汽車中，SiC二極管主要用于車載OBC和地面充電樁設(shè)備。

在光伏逆變器中，SiC二極管主要作為升壓二極管應用于前端MPPT電路中。

KeepTops碳化硅二極管的優(yōu)點如下：
碳化硅具有輸入阻抗高、噪聲低、線性度好等特點。是目前發(fā)展最快的碳化硅器件之一，也是第一個實現(xiàn)商業(yè)化的器件。與MOSFET器件相比，JFET器件不存在柵氧化層缺陷和載流子遷移率低的局限性所帶來的可靠性問題。同時，單極工作特性使其保持良好的高頻工作能力。此外，JFET器件具有更好的高溫工作穩(wěn)定性和可靠性。

審核編輯 黃宇