CGH40045F-TB漏級(jí)偏置電路采用對(duì)稱設(shè)計(jì)，主要分析原因在于降低偏置網(wǎng)絡(luò)阻抗，提高視頻帶寬VBW，從而減小功放管的電記憶效應(yīng)。

圖1 CGH40045-TB PCB圖

以下簡(jiǎn)單介紹下VBW與電記憶效應(yīng)：

1. 低阻抗通路的帶寬被稱為視頻帶寬（VBW），范圍為100KHz~200MHz，個(gè)人理解為調(diào)制信號(hào)的帶寬，即信道帶寬，跟輸入的調(diào)制信號(hào)有關(guān)。
2. 功率管的記憶效應(yīng)分為熱記憶效應(yīng)和電記憶效應(yīng)，熱記憶效應(yīng)主要跟晶體管溝道溫度周期有關(guān)，電記憶效應(yīng)主要來(lái)源于功率放大電路的直流偏置。記憶效應(yīng)的本質(zhì)在于當(dāng)前的時(shí)刻不僅跟輸入信號(hào)有關(guān)，還跟過(guò)去的某一時(shí)刻有關(guān)，體現(xiàn)在增益和相位上。

當(dāng)功放管在數(shù)字預(yù)失真方案中，減小記憶效應(yīng)對(duì)功放的影響顯的尤為重要，偏置電路是記憶效應(yīng)的一個(gè)重要來(lái)源，現(xiàn)實(shí)中，功率管的漏極到電源之間的電路阻抗（video impedance）在低頻（VBW 10MHz）時(shí)并非為0，該阻抗的存在使得加載到功率管漏極的電壓并非是個(gè)恒定值，而是隨著功放輸入信號(hào)變化。

如果是純阻性的，僅僅引起增益壓縮，如果存在電抗部分，則引起記憶效應(yīng)，因此在設(shè)計(jì)時(shí)，需要該阻抗越小越好。同時(shí)工程實(shí)驗(yàn)證明在同樣的輸入信號(hào)，同樣的DPD系統(tǒng)中，較大的視頻帶寬（VBW）的ACPR要比較小的視頻帶寬（VBW）的ACPR要好。

圖2 晶體管VBW計(jì)算公式

圖2所示，fr表征的是晶體管輸出段低頻諧振頻率，頻率越高，VBW越寬，Ltot指得是供電線跟旁路電容組成的等效電感，Ctot指的是晶體管漏級(jí)之間的電容，因此在可操作性上提高VBW的措施是降低Ltot。具體措施如下：

1.如圖1所示，漏級(jí)雙供電方式，并聯(lián)降低阻抗，減小低頻信號(hào)的影響。

2.將uF級(jí)的電容靠近漏級(jí)放置，電容的工作頻率實(shí)際大于其SFR，這樣電容呈感性，從而減小Ltot，提高VBW

3.縮短漏級(jí)供電線長(zhǎng)度，小于1/4波長(zhǎng)，但是這樣會(huì)犧牲一部分功率。