IGBT在控制極上加正電壓可以控制導(dǎo)通，電壓為0時(shí)可以讓其關(guān)斷，那么加一個(gè)反壓呢？IGBT會(huì)是什么情況？

關(guān)于IGBT在控制極上加反壓的情況，我們需要探討IGBT的結(jié)構(gòu)、工作原理以及反壓對(duì)其產(chǎn)生的影響。IGBT （Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種晶體管，同時(shí)具備了大功率MOSFET的低導(dǎo)通電阻和大功率BJT的高開(kāi)關(guān)速度。

IGBT結(jié)構(gòu)和工作原理

IGBT由三個(gè)區(qū)域構(gòu)成，分別是P區(qū)、N區(qū)和P+區(qū)。P+區(qū)與N區(qū)之間是PN結(jié)，P區(qū)和N區(qū)之間是NPN結(jié)。P區(qū)和N區(qū)之間通過(guò)P+區(qū)進(jìn)行連接，形成PNP型晶體管的集電區(qū)，同時(shí)也是N型MOSFET的漏極區(qū)。P+區(qū)和N區(qū)之間通過(guò)P區(qū)進(jìn)行連接，形成NBUF型MOSFET的柵極區(qū)，柵極區(qū)上面覆蓋著一層氧化物膜，作為絕緣層。這種結(jié)構(gòu)保持了IGBT的高輸入阻抗，使得其能夠輕松地控制電流。同時(shí)，IGBT結(jié)構(gòu)中的P區(qū)和N區(qū)之間的形成了PNP型晶體管，使其具備了較高的開(kāi)關(guān)速度。

IGBT的工作原理與MOSFET類(lèi)似，通過(guò)在柵極上施加正向或反向電壓來(lái)控制漏極-源極間的電流。當(dāng)柵極電壓為正時(shí)，電子會(huì)從源極流入漏極，形成導(dǎo)通狀態(tài)。反之，當(dāng)柵極電壓為零時(shí)，電子無(wú)法通過(guò)漏極，處于封鎖狀態(tài)。

添加反壓對(duì)IGBT的影響

如果在IGBT的控制極上加上一個(gè)反壓，其電壓變得負(fù)數(shù)，這時(shí)候會(huì)給晶體管帶來(lái)哪些影響呢？反壓是指介于控制極和正極之間的負(fù)電壓，如果這個(gè)負(fù)電壓足夠大，就會(huì)把IGBT擊穿，引發(fā)反向電流。這很可能會(huì)導(dǎo)致設(shè)備損壞。因此，在使用IGBT時(shí)，要避免加上過(guò)大的反壓。

當(dāng)反壓較小時(shí)，可以將其看作是一種阻礙控制極正向電壓增長(zhǎng)的效應(yīng)，使得IGBT的導(dǎo)通時(shí)間變慢。因此，反壓會(huì)影響IGBT的開(kāi)關(guān)速度和導(dǎo)通損耗。這對(duì)功率電子設(shè)備的性能有一定的影響，需要在設(shè)計(jì)時(shí)進(jìn)行評(píng)估。

對(duì)于IGBT，它的反向擊穿電壓（Reverse Breakdown Voltage）是很重要的參數(shù)。這是指加在控制極和正極之間，晶體管允許的最大反向電壓。如果反壓超過(guò)了這個(gè)值，晶體管就會(huì)被擊穿，正向電流和反向電流將同時(shí)流過(guò)晶體管，從而導(dǎo)致瞬間的能量損耗和熱量產(chǎn)生。這可能導(dǎo)致IGBT被燒毀或損壞，因此在設(shè)計(jì)電路時(shí)需要選擇具有適當(dāng)反向擊穿電壓的IGBT，以保證電路的安全性能。

綜上所述，反壓對(duì)IGBT的影響不可忽視。在使用IGBT的過(guò)程中，要盡量避免添加反壓過(guò)大的情況，同時(shí)在設(shè)計(jì)電路時(shí)需要注意選擇具有適當(dāng)反向擊穿電壓的IGBT，以保證其安全性能。