比亞迪半導(dǎo)體股份有限公司申請(qǐng)了“半導(dǎo)體功率器件的元胞結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體功率器件”，申請(qǐng)公告日為10月17日，申請(qǐng)公告號(hào)為cn219842992u。

根據(jù)專利摘要，該實(shí)用新型公開(kāi)了半導(dǎo)體電力配件的單元結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體電力配件。上述細(xì)胞結(jié)構(gòu)包括：第一導(dǎo)電類型的移動(dòng)區(qū)域有相對(duì)設(shè)定的第一表面和第二表面。第二導(dǎo)電類型的第一混入?yún)^(qū)形成于漂流區(qū)的第一表面。第一導(dǎo)電型的源區(qū)是第二導(dǎo)電型的第一雜質(zhì)區(qū)在遠(yuǎn)離漂移區(qū)的表面形成。陰極金屬層在遠(yuǎn)離發(fā)源地和漂移區(qū)的表面上形成。溝槽柵結(jié)構(gòu)，溝槽柵結(jié)構(gòu)自源區(qū)表面延伸到移動(dòng)區(qū)。層間的介質(zhì)層位于溝槽柵結(jié)構(gòu)和陰極金屬層之間。陽(yáng)極金屬層，陽(yáng)極金屬層位于移動(dòng)區(qū)域的第二個(gè)表面。另外，幾種第二道well區(qū)位于漂移區(qū)、溝槽柵結(jié)構(gòu)的下方。