MOS晶體管中各種類型的泄漏電流的原因

MOS晶體管是一種廣泛應用于現代電子技術中的晶體管，它具有低功耗、小尺寸、高密度等優(yōu)點，被廣泛應用于集成電路中。然而，MOS晶體管中存在著多種不同類型的泄漏電流，這些泄漏電流會影響到晶體管的性能和穩(wěn)定性。本文將對MOS晶體管中各種類型的泄漏電流進行詳細分析和討論，以便更好地了解它們的產生原因及其對晶體管性能的影響。

1. 付加電流

付加電流是指在MOS晶體管的正常工作條件下，電網極板上的漏電流。MOS晶體管中的付加電流是由于晶體管中形成的PN結和MOS結結構中存在的一些不完美性質而產生的。這些不完美性質包括界面態(tài)、雜質、晶格缺陷等。這些因素會導致電子在PN結和MOS結中發(fā)生漏電，形成付加電流。這種漏電流的大小受到晶體管結構和工作條件的影響，當MOS晶體管的工作溫度升高時，付加電流也會隨之增加。

2. 子閾電流

子閾電流是指MOS晶體管在溝道電壓低于閾值電壓時所表現出的漏電現象。在這種情況下，擴散區(qū)中的雜質離子和界面態(tài)會對電子進行電子陷阱作用，從而導致電子從溝道中流出，形成子閾電流。子閾電流的大小取決于晶體管溝道寬度、溝道長度、工作溫度等因素。

3. 溫漂電流

溫漂電流是指MOS晶體管的門源漏極電流在溫度變化時發(fā)生的變化。在MOS晶體管中，源漏極結存在的PN結在溫度變化時，電子的擴散和漂移速度的變化會導致PN結中的電子密度發(fā)生變化，從而影響到漏電流的大小。這種漏電流的大小與晶體管結構和工作條件的影響密切相關，當溫度變化時，溫漂電流會隨之增加或減少。

4. 引入偏執(zhí)電流

在MOS晶體管二極管反向偏置情況下，由于PN結中的載流子注入，MOS結中的界面態(tài)和擴散區(qū)中的雜質離子的作用，會導致漏電流的產生。這種漏電流的大小取決于晶體管二極管結構和反向偏置電壓的大小。

5. 底漏電流

底漏電流是指在MOS晶體管底部漏電流的存在。這種漏電流的產生是由于MOS結中的缺陷和雜質引起的，它會隨著溫度的變化而變化。底漏電流的大小與晶體管結構、工作溫度等因素有關。

6. 隧道漏電流

隧道漏電流是指電子從隧道結中發(fā)生隧道穿透而穿過PN結而形成的漏電流。這種漏電流的大小取決于晶體管結構和工作電壓的大小，隨著晶體管工作電壓的增加，隧道漏電流呈指數增長。

總之，MOS晶體管中存在多種不同類型的泄漏電流，這些漏電流的產生原因各不相同，但它們都會對MOS晶體管的性能和穩(wěn)定性產生不同程度的影響。因此，在MOS晶體管設計和應用過程中需要特別注意這些泄漏電流的存在，并采取措施來增強MOS晶體管的抗泄漏能力。