一、案例背景

車(chē)門(mén)控制板發(fā)生暗電流偏大異常的現(xiàn)象，有持續(xù)發(fā)生的情況，初步判斷發(fā)生原因?yàn)镃3 MLCC電容開(kāi)裂。據(jù)此情況，結(jié)合本次失效樣品，對(duì)失效件進(jìn)行分析，明確失效原因。

二、分析過(guò)程

1、失效復(fù)現(xiàn)

異常品暗電流值

正常品暗電流值

異常品阻值

正常品阻值

測(cè)試結(jié)果

異常品暗電流為4.9989mA，偏離要求范圍（1mA 以?xún)?nèi)），且針對(duì)關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)的分析未見(jiàn)異常。

2、外觀(guān)及X-RAY分析

X-RAY

外觀(guān)

測(cè)試結(jié)果

X-RAY 及外觀(guān)檢測(cè)，未見(jiàn)異常。

3、針對(duì)失效現(xiàn)象的初步排查

測(cè)試結(jié)果

將C3/C4 電路隔離后，暗電流值驟降至0.000385mA。

4、切片斷面分析

a）C4電容切片斷面金相分析

第一個(gè)斷面

第一個(gè)斷面局部

第二個(gè)斷面

第二個(gè)斷面局部

第三個(gè)斷面

第三個(gè)斷面局部

第四個(gè)斷面

第四個(gè)斷面局部

第五個(gè)斷面

第五個(gè)斷面局部

測(cè)試結(jié)果

有貫穿性開(kāi)裂發(fā)生。

b）C4電容切片斷面SEM分析

測(cè)試結(jié)果

針對(duì)開(kāi)裂位置的局部分析，可見(jiàn)裂紋貫穿入電容內(nèi)電極層。

c）C3電容切片斷面金相分析

第一個(gè)斷面

第二個(gè)斷面

第三個(gè)斷面

測(cè)試結(jié)果

無(wú)異常現(xiàn)象。

三、分析結(jié)果

失效原因分析

失效品暗電流遠(yuǎn)超出合格范圍，從電路分析，主要和幾個(gè) MLCC 電容相關(guān)；

通過(guò)對(duì) C3/C4 的隔離分析，初步判定 C3/C4 存在異常，說(shuō)明C3/C4是影響暗電流的關(guān)鍵；

C4的切片斷面分析發(fā)現(xiàn)，裂紋沿 45°開(kāi)裂，由陶瓷層向電極層內(nèi)部擴(kuò)展，內(nèi)部電極層亦有開(kāi)裂狀態(tài)。

失效結(jié)論

C4 陶瓷電容開(kāi)裂貫穿至內(nèi)電極，在一定的應(yīng)力狀態(tài)下，開(kāi)裂的內(nèi)電極間形成微短、漏電發(fā)生， 從而導(dǎo)致暗電流增大。

電容開(kāi)裂的特征符合 MLCC 電容受到外部應(yīng)力導(dǎo)致失效的特征，可判斷該電容是在受到外部應(yīng)力作用后形成的開(kāi)裂。

四、改善方案

針對(duì)失效機(jī)理的分析，電容應(yīng)力裂紋可能是失效的根本原因。因此，建議對(duì)全流程進(jìn)行應(yīng)力排查，包括PCBA、整機(jī)組裝。

騰昕檢測(cè)有話(huà)說(shuō)：

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審核編輯 黃宇