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寬禁帶材料是指禁帶寬度大于 2.3eV 的半導(dǎo)體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料等最為常見，典型代表有碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)，這些半導(dǎo)體材料也稱為第三代半導(dǎo)體材料。

寬禁帶半導(dǎo)體材料適合于制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件，正在成為固態(tài)光源和電力電子、微波射頻器件的重要材料，在半導(dǎo)體照明、新一代移動(dòng)通信、智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車、消費(fèi)類電子等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。

寬禁帶半導(dǎo)體材料的表征，以載流子濃度及載流子遷移率為主，此外， 電阻率測試也很重要。

寬禁帶半導(dǎo)體材料測試難點(diǎn)在于

■寬禁半導(dǎo)體帶材料的帶隙較大，擊穿電場較高。需要上千伏高壓進(jìn)行測試。

■寬禁帶半導(dǎo)體材料是高流器件的制備材料，需要用到幾十安培的高流進(jìn)行測試。

■四線法及霍爾效應(yīng)測試均是加流測壓的過程，需要設(shè)備能輸出電流并且測試電壓。

■電阻率及電子遷移率通常范圍較大，需要電流電壓范圍都很大的設(shè)備。

■電流源和電壓表精度要高，保證測試的準(zhǔn)確性。

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林彩霞

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主要負(fù)責(zé)華東區(qū)域的技術(shù)支持工作。多年以來一直在從事測試測量相關(guān)工作，積累了豐富的測試經(jīng)驗(yàn)。目前主攻方向包括低電平信號(hào)測試、射頻/射頻元器件測試以及寬帶信號(hào)產(chǎn)生與分析、信號(hào)完整性測試、自動(dòng)化測試系統(tǒng)等。

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