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博世引領(lǐng)寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)革新

博世汽車電子事業(yè)部 ? 來源:博世汽車電子事業(yè)部 ? 2025-09-24 09:47 ? 次閱讀
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隨著全球汽車產(chǎn)業(yè)向電動化、智能化邁進(jìn),半導(dǎo)體技術(shù)已成為推動這一變革的關(guān)鍵驅(qū)動力。特別是寬禁帶半導(dǎo)體材料,如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN),因其卓越的電氣性能,正在掀起一場深刻的技術(shù)革命。這些材料相比傳統(tǒng)硅基(Si)材料不僅能在更高的電壓、頻率和溫度下高效運(yùn)行,還能顯著降低功率損耗和提升整體能效。在電動汽車(EV)和新能源技術(shù)領(lǐng)域,SiC與GaN的應(yīng)用正成為提升動力系統(tǒng)性能的核心力量,改變著汽車行業(yè)的技術(shù)藍(lán)圖。

SiC VS GaN:

誰才是未來的“明星材料”?

碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)作為寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有許多共同優(yōu)勢,例如在高電壓、高頻率和高溫環(huán)境下的穩(wěn)定性。但是,它們在應(yīng)用場景中各具特色,適用于不同的技術(shù)需求。

SiC:作為目前市場上最成熟的寬禁帶材料之一,SiC 具有極高的電流承載能力和優(yōu)越的熱導(dǎo)性,特別適用于要求高功率和高熱管理能力的應(yīng)用。SiC 器件常用于電動汽車的充電器、電驅(qū)動系統(tǒng)以及工業(yè)設(shè)備的逆變器等場合。它能夠在高電壓和高溫下穩(wěn)定運(yùn)行,是大功率電子應(yīng)用的理想選擇。

GaN:雖然GaN在材料學(xué)上比SiC略顯年輕,但它在高頻、高效率和小型化領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨大的潛力。GaN半導(dǎo)體具有更低的導(dǎo)通電阻和更小的封裝體積,使得它在快充技術(shù)和高頻應(yīng)用中非常受歡迎。例如,GaN技術(shù)已廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)、筆記本電腦等快速充電設(shè)備的適配器中。不過,目前GaN在電壓承受能力上相較SiC稍弱,因此更多應(yīng)用于中低功率領(lǐng)域。

博世的“雙重創(chuàng)新”策略:

垂直GaN推動汽車行業(yè)技術(shù)升級

博世在推動SiC技術(shù)成熟的同時,也密切關(guān)注著 GaN 技術(shù)的突破。尤其是垂直結(jié)構(gòu)的GaN半導(dǎo)體,基于其顯著改善的電氣性能,展現(xiàn)出了巨大的潛力。與傳統(tǒng)的橫向GaN結(jié)構(gòu)不同,垂直GaN半導(dǎo)體的電流垂直流經(jīng)材料層,從而大幅降低了單位面積電阻,能夠提高能效,減少功率轉(zhuǎn)換損耗,特別適用于電動汽車的逆變器和其他高頻、高效能的應(yīng)用。

垂直GaN半導(dǎo)體能夠承受更高的電壓和工作頻率,這使其成為電動汽車動力系統(tǒng)的理想選擇。博世正在加速這一技術(shù)的工業(yè)化進(jìn)程,旨在為電動汽車和其他高性能應(yīng)用提供更小、更高效的解決方案。

博世:“強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手”推動GaN技術(shù)發(fā)展

博世采用雙管齊下的策略,積極推動GaN技術(shù)的研究與應(yīng)用。一方面,博世將其在SiC領(lǐng)域的研發(fā)經(jīng)驗轉(zhuǎn)化為GaN技術(shù)的開發(fā)優(yōu)勢,通過內(nèi)部研發(fā)團(tuán)隊的緊密協(xié)作,快速建立技術(shù)平臺并開發(fā)適合汽車行業(yè)的GaN組件。博世在歐洲還參與了由公共資金支持的“YESvGAN”項目,旨在與超過20家工業(yè)伙伴共同推動垂直GaN半導(dǎo)體技術(shù)的突破。

博世通過這一系列的合作與研發(fā),力求在未來幾年內(nèi),使垂直GaN技術(shù)成為廣泛應(yīng)用于汽車和工業(yè)領(lǐng)域的核心技術(shù),推動新能源汽車的電動化與智能化進(jìn)程。

SiC與GaN的雙強(qiáng)并驅(qū)

隨著SiC和GaN技術(shù)的不斷發(fā)展,博世不僅在為汽車產(chǎn)業(yè)提供更高效的動力系統(tǒng)方案,也在推動全球范圍內(nèi)的能源轉(zhuǎn)型。SiC和GaN各自擁有獨(dú)特的優(yōu)勢,它們將在未來電動汽車、電力電子及新能源技術(shù)等各種應(yīng)用中互為補(bǔ)充,發(fā)揮重要作用。

隨著GaN技術(shù)的成熟,博世預(yù)計將能夠提供更加緊湊、高效的解決方案,以滿足電動汽車對高效能、低功率損耗和高可靠性的需求。博世的創(chuàng)新將進(jìn)一步推動汽車產(chǎn)業(yè)的可持續(xù)發(fā)展,為全球消費(fèi)者帶來更環(huán)保、更智能的駕駛體驗。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標(biāo)題:博世引領(lǐng)寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)革新:SiC VS GaN

文章出處:【微信號:AE_China_10,微信公眾號:博世汽車電子事業(yè)部】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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